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Energy extraction performance for a diode-pumped CPA system in Yb-doped materials at low temperature

半導体レーザー励起チャープパルス増幅におけるYb系レーザー材料の冷却によるエネルギー抽出効率の向上

河仲 準二; 西岡 一*; 井上 典洋*; 久保田 能徳*; 植田 憲一*

Kawanaka, Junji; Nishioka, Hajime*; Inoue, Norihiro*; Kubota, Yoshinori*; Ueda, Kenichi*

チャープパルス増幅の発明以来、幅広い発光スペクトルを有するチタンサファイア結晶を用いて超短パルス・超高ピーク強度レーザーの開発が盛んに行われ、これらを利用した応用研究が活発化してきている。これに伴い小型・安易操作性の観点から半導体レーザーの直接励起による全固体超高ピーク強度レーザー実現が強く望まれている。Yb:YLFとYb:glassは幅広い発光スペクトルを有し、吸収波長が高出力半導体レーザーの発振波長と一致することから、次世代の超高ピーク強度レーザー材料として注目されている。しかし、高効率・広利得幅を得るためにはレーザー下準位の再吸収を十分に飽和できる高強度励起が必要であり、現在の半導体レーザーの集光強度では難しいことがこれまで実験で示された。今回、Yb:YLF及びYb;glassの低温における吸収・発光スペクトルを観測した。その結果、室温時と低温時において断面積及びスペクトル形状に大きな差異が生じ、Yb:YLF及びYb:glassを低温に冷却することにより半導体レーザーを励起光源とした場合にも高効率・高利得幅が得られる可能性が高いことを示した。

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