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Critical current density of YBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{y}$$ containing inclined columnar defects

傾いた柱状欠陥を含むYBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{y}$$の臨界電流密度

石川 法人   ; 末吉 哲郎*; 岩瀬 彰宏; 知見 康弘; 藤吉 孝則*; 宮原 邦幸*; 木須 隆暢*

Ishikawa, Norito; Sueyoshi, Tetsuro*; Iwase, Akihiro; Chimi, Yasuhiro; Fujiyoshi, Takanori*; Miyahara, K.*; Kisu, T.*

レーザーアブレーション法により作ったYBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{y}$$薄膜に、200MeV Auイオンを-45°の方向から照射し、傾いた柱状欠陥を試料中に導入した。照射前後に臨界電流密度の磁場角度依存性をその場測定し、さらにその磁場依存性を調べた。その結果、1~3Tの磁場領域においては磁束1本1本がそれぞれ柱状欠陥にピニングされるという描像よりむしろ磁束のbundleが柱状欠陥によってピニングされていると解釈した方がよいと結論づけることができる。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Physica C

巻

 :

357-360

号

 :

Part.1

ページ数

 :

p.505 - 508

発行年月

 :

2001/09

発表会議名

 :

13th International Symposium on Superconductor (ISS 2000)

開催年月

 :

2000/10

開催都市

 :

Tokyo

開催国

 :

Japan

キーワード

 :

柱状欠陥; イオン照射; 酸化物超伝導体; 臨界電流密度

特許データ

 :

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