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光検出素子及び固体撮像装置

武内 伴照; 土谷 邦彦

上柳 智裕*; 渡辺 恭志*

電圧感度が高く、且つ耐放射線特性を有する光検出素子及びこの光検出素子を画素とした固体撮像装置を提供する。P型の基体領域(11)と、基体領域(11)の上面に設けられたゲート絶縁膜(23)と、基体領域(11)の上部に埋め込まれたN型の電荷生成埋込領域(13)と、電荷生成埋込領域(13)の内径の基体領域(11)の上部に埋め込まれたN型の電荷読出領域(15i,j)と、電荷読出領域(15i,j)の内径側に埋め込まれたN型のリセットドレイン領域(16i,j)と、電荷生成埋込領域の上方となるゲート絶縁膜(23)上に設けられた透明電極(21i,j)と、電荷読出領域(15i,j)とリセットドレイン領域(16i,j)との間のゲート絶縁膜(23)上に設けられたリセットゲート電極(22i,j)とを備える。

代表出願国

 :

日本

出願番号

 :

2016-535804

公開番号

 :

WO-2016-013227

登録番号

 :

6531255

出願日

 :

2015/07/23

公開日

 :

2016/01/28

登録日

 :

2019/05/31

PCT出願番号

 :

PCT/JP2015/003704

PCT登録番号

 :

EPC出願番号

 :

EPC登録番号

 :

IPC

 :

H01L 27/146(2006.01):H04N 5/361(2011.01):H04N 5/374(2011.01):H01L 31/02 (2006.01)

関連特許

 :

【Radiation resistant semiconductor device structure.(United States Patent No.6,690,074)】

関連文献

 :

公開特許公報

 :

P14093A.pdf

特許公報

 :

P14093B.pdf

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データベース

 :

広報プレスリリース

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論文解説記事
(成果普及情報誌)

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Access

From 2021.3.1

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