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光検出素子、固体撮像装置及びその駆動方法

武内 伴照; 土谷 邦彦

渡辺 恭志*; 田中 茂雄*

【課題】電荷読出領域における電界集中を抑えて暗電流の発生を抑制でき、放射線環境下でも高感度且つ広ダイナミックレンジな撮像が可能な光検出素子を提供する。 【解決手段】P型の基体領域1と、基体領域1の上部に埋め込まれ、基体領域1とフォトダイオードを構成するN型の電荷生成埋込領域5と、電荷生成埋込領域5の上面に設けられたP型のシールド領域6と、シールド領域6の上面に接して設けられたゲート絶縁膜4と、ゲート絶縁膜4上に設けられた透明電極14と、基体領域1の上部に埋め込まれたP型のウェル領域11と、電荷生成埋込領域5側のウェル領域11の端部において、基体領域1の上部に埋め込まれたN+型の電荷読出領域8とを備え、透明電極14の電位がゲート絶縁膜4を介してシールド領域6の表面に及ぼす静電ポテンシャル効果により、シールド領域6の表面にP型の電荷をピンニングする。