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薄膜インダクタ素子及び薄膜可変インダクタ素子

家田 淳一

山根 結太*; 深見 俊輔*

【課題】 材料を選ぶ困難性が然程には高くなく、かつ、温度依存性も然程に高くない新しいタイプの創発電磁場を利用した薄膜インダクタ素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 磁性体層と、非磁性体層又は反強磁性体層と、が積層された積層膜と、一対の電極を備え、 前記磁性体層と前記非磁性体層又は前記反強磁性体層は、積層方向と直交する方向で任意の形状で延伸され、かつ、前記積層方向の上下向きも任意であり、前記磁性体層は、略一様な磁化構造を有しており、前記一対の電極は、前記積層膜が延伸される両端に設けられ、交流電流ないしは高周波電流が印加されることを特徴とする薄膜インダクタ素子

代表出願国

 :

日本

出願番号

 :

2021-030176

公開番号

 :

2022-131304

登録番号

 :

出願日

 :

2021/02/26

公開日

 :

2022/09/07

登録日

 :

PCT出願番号

 :

PCT登録番号

 :

EPC出願番号

 :

EPC登録番号

 :

IPC

 :

H01F 17/00 (2006.01):H01F 21/00 (2006.01)

関連特許

 :

関連文献

 :

T. Yokouchi, F. Kagawa, M. Hirschberger, Y. Otani, N. Nagaosa, and Y. Tokura, Nature 586, 232 (2020).

公開特許公報

 :

P52720A.pdf

特許公報

 :

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 :

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(成果普及情報誌)

 :

Access

From 2021.3.1

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