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光検出素子及び固体撮像装置

武内 伴照

渡辺 恭志*; 駒野目 裕久*

【課題】電界集中を抑えつつ、半導体界面の空乏化抑制により暗電流抑圧を完全なものとする光検出素子を提供する。 【解決手段】P型の基体領域1と、基体領域1とP-N接合を構成するN型の電荷生成埋込層5と、電荷生成埋込層5に接したP型のシールド層6と、電荷生成埋込層5に接したN+型の電荷読出領域8と、シールド層6に接したフォトゲート絶縁膜4Bと、フォトゲート絶縁膜4Bの電荷読出領域8側の端部上に設けられたN型の緩和領域部14-1と、緩和領域部14-1に連続してフォトゲート絶縁膜4Bの上に設けられたP型の主透明電極層14-2を備える。主透明電極層14-2の電位がシールド層6の表面に及ぼす静電ポテンシャル効果により、シールド層6の表面にP型の電荷をピンニングする。

代表出願国

 :

日本

出願番号

 :

2022-135450

公開番号

 :

2024-32005

登録番号

 :

7572012

出願日

 :

2022/08/27

公開日

 :

2024/03/08

登録日

 :

2024/10/15

PCT出願番号

 :

PCT登録番号

 :

EPC出願番号

 :

EPC登録番号

 :

IPC

 :

H01L 27/146(2006.01):H01L 31/10 (2006.01):H04N 25/63 (2023.01):H04N 25/76 (2023.01)

関連特許

 :

特開 2018-182044

関連文献

 :

公開特許公報

 :

P53620A.pdf

特許公報

 :

P53620B.pdf

開放特許情報
データベース

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説
(JAEA R&D Navigator)

 :

Access

From 2021.3.1

 :

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