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Si and CeIrSi
without inversion symmetry in the crystal structure大貫 惇睦; 宮内 裕一朗*; 辻野 真彦*; 伊田 勇輝*; 摂待 力生*; 竹内 徹也*; 立岩 尚之; 松田 達磨; 芳賀 芳範; 播磨 尚朝*
Journal of the Physical Society of Japan, 77(Suppl.A), p.37 - 42, 2008/00
被引用回数:6 パーセンタイル:42.00(Physics, Multidisciplinary)反転中心を持たない重い電子系超伝導体CePt
Si及びCeIrSi
の超伝導上部臨界磁場を詳細に研究した。反強磁性と共存するCePt
Siでは比較的等方的な臨界磁場が観測されたのに対し、共存しないCeIrSi
では極めて大きな異方性が観測されている。これらを重い電子状態の形成と関連して議論する。
and CeIrSi
with the non-centrosymmetric crystal structure奥田 悠介*; 宮内 裕一朗*; 伊田 勇輝*; 武田 勇司*; 戸野広 智絵*; 大槌 泰弘*; 山田 勉*; Nguyen, D.; 松田 達磨; 芳賀 芳範; et al.
Journal of the Physical Society of Japan, 76(4), p.044708_1 - 044708_11, 2007/04
被引用回数:94 パーセンタイル:91.85(Physics, Multidisciplinary)反転中心を持たない超伝導体CeIrSi
及びLaIrSi
の単結晶育成に成功し、磁性,超伝導及びFermi面を明らかにした。LaIrSi
のフェルミ面は、反転中心がないことを反映し、スピン軌道相互作用による分裂が明確に観測される。一方圧力により、反強磁性体CeIrSi
は超伝導体へと変化する。そこでの上部臨界磁場は異方的である。これは、反転中心がない場合の理論的予測と一致する。