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論文

Defects at nitrogen site in electron-irradiated AlN

Son, N. T.*; Gali, A.*; Szab, .*; Bikermann, M.*; 大島武; 磯谷順一*; Janzn, E.*

Applied Physics Letters, 98(24), p.242116_1 - 242116_3, 2011/06

https://doi.org/10.1063/1.3600638

被引用回数：9 パーセンタイル：38.03(Physics, Applied)

耐放射線性にも優れるといわれる窒化アルミ(AlN)中に発生する照射欠陥に関しての知見を得るために、AlN試料に2MeV電子線を照射し、発生した欠陥を電子常磁性共鳴(EPR)により調べた。その結果、EI-1と名付けられたスピン1/2の欠陥中心が観測された。電子のスピンと囲まれる4つの $^{27}$ Aの核スピンとの超微細相互作用を詳細に調べ、さらに、スーパーセルを用いた理論計算結果と比較したところ、得られたEI-1中心はAlN中の中性の窒素空孔型の欠陥であると帰結できた。