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渡邊 和弘; 山中 晴彦; 前島 哲也; 井上 多加志; 花田 磨砂也; 田中 滋*; 門脇 慎*
no journal, ,
ITER NBIでは負イオンを-1MVの電位上で生成し接地電位に向けて加速することから、負イオン生成電源は大地から-1MVの絶縁を持たせることが必要であり、そのために直流-1MVの絶縁変圧器が必要である。しかしながらこのような絶縁変圧器は未経験領域にあり、その直流絶縁特性を実証する必要があった。このためITERの受託研究開発タスクとして絶縁変圧器試験体を試作し耐電圧試験を行った。その結果、すべての試験を満足し、実機絶縁変圧器製作を確実なものにした。
渡邊 和弘; 山中 晴彦; 山口 耕平*; 門脇 慎*; 市村 智*
no journal, ,
ITER用プロジェクトにおいては、直流-1MVに絶縁された高電圧デッキに設置されるイオン源やイオン引き出し電源に交流電力を絶縁して供給するための絶縁変圧器が必要である。直流-1MVの絶縁性能と組立手順等を検証確認するために、絶縁変圧器のモックアップ試験体を開発した。高電圧の耐電圧試験を実施した結果、直流-1MV以上の十分な絶縁性能を確認できた。
戸張 博之; 花田 磨砂也; 渡邊 和弘; 柏木 美恵子; 小島 有志; 大楽 正幸; 関 則和; 阿部 宏幸; 梅田 尚孝; 山中 晴彦; et al.
no journal, ,
ITERおよびJT-60SAの中性粒子入射装置(NBI)に向けた技術開発の進展を報告する。ITER NBIの高電圧電源用1MV絶縁変圧器開発では、1MVを変圧器から引き出すブッシング開発が課題であった。従来技術では製作不可能な巨大な碍子が必要となったため、新たに絶縁ガスを封入したFRP絶縁管の内部に碍子製の小型コンデンサーブッシングを装着する同軸構造の複合型ブッシングを考案した。これにより安価で入手製の高い1MV絶縁変圧器を実現した。また、直流1MV高電圧導体を真空中に導入するHVブッシング開発では、内部に設置される大面積の円筒電極間の耐電圧特性を詳細に調べ、面積の効果を考慮した絶縁特性をモックアップ試験で明らかにし、HVブッシングの絶縁設計指針を構築した。また、負イオンの長時間生成と加速に向けて、高沸点の流体を用いた負イオン源内のプラズマ電極の温度制御技術の開発、並びに負イオンの偏向を補正する電極を組み込んだ冷却性能強化型負イオン引出部を開発した。その結果、15Aの負イオンビームを100秒生成および従来の2ケタ増となるビームエネルギー密度40MJ/m
を達成した。
