Direct observation of interface effects of thin AlAs(100) layers buried in GaAs

安居院 あかね; Sathe, C.*; Guo, J.-H.*; Nordgren, J.*; Mankefors, S.*; Nilsson, P. O.*; Kanski, J.*; Andersson, T. G.*; Karlsson, k.*

Applied Surface Science, 166(1-4), p.309 - 312, 2000/10

https://doi.org/10.1016/S0169-4332(00)00468-2

ヘテロ構造半導体デバイスの基礎的性質を理解するうえで、界面の電子状態を知ることは一つの鍵になる。軟X線は物質中での透過長が電子線に比べ長いので、軟X線発光分光はキャッピング・レーヤーに覆われた試料やヘテロ構造中の物質の電子状態を調べるのに大変有効な手段になりうる。本研究では、GaAs(100)基盤の上に分子線エピタキシャル法でAlAsを、1,2,5,20ML成長させ、さらに100のGaAsでキャッピングした試料のAlL,発光を放射光励起の軟X線発光分光法で測定した。AlAsの20ML試料のAlLスペクトルはバルク試料スペクトルとほぼ同様の形状を示したが、モノ・レーヤー(1ML)試料は、GaASとの界面での混成効果によるスペクトル形状の変化がみられ、これは理論計算でよく説明されることがわかった。