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論文

Characterization of BaZrO$$_{3}$$ nanocolumns in Zr-added (Gd,Y)Ba$$_{2}$$Cu$$_{3}$$Ox superconductor tape by anomalous small-angle X-ray scattering

大場 洋次郎; 佐々木 宏和*; 山崎 悟志*; 中崎 竜介*; 大沼 正人*

Superconductor Science and Technology, 32(5), p.055011_1 - 055011_5, 2019/05

 被引用回数:1 パーセンタイル:4.85(Physics, Applied)

Artificial pinning centers (APC) in rare-earth barium copper oxide (REBCO) tapes have been characterized by anomalous small-angle X-ray scattering (ASAXS). As Zr is distributed only in the APC, the scattering from the APC can be separated using ASAXS measurements at Zr K absorption edge. The ASAXS successfully provided the distance between the APC and the average diameter of the APC. The results confirmed that ASAXS is useful for the characterization of APC.

論文

新材料・新製品開発のための先端解析技術

佐々木 宏和*; 西久保 英郎*; 西田 真輔*; 山崎 悟志*; 中崎 竜介*; 磯松 岳己*; 湊 龍一郎*; 衣川 耕平*; 今村 明博*; 大友 晋哉*; et al.

古河電工時報, (138), p.2 - 10, 2019/02

電子顕微鏡や放射光等の先端解析技術は、試料の構造や化学状態について多くの有用な情報をもたらし、材料研究に欠かせないツールとなっている。本稿では、これらの先端解析技術の中から、電子線ホログラフィや放射光を用いたX線小角散乱法(SAXS)等の手法を中心に、材料研究への応用事例を紹介する。これらの手法を活用することにより、未知であった材料の本質を明らかにすることができ、新製品開発の指針を定める上で重要な知見を得ることができる。

口頭

異常小角X線散乱法による高温超電導線材中の人工ピンの解析

佐々木 宏和*; 山崎 悟志*; 中崎 竜介*; 大場 洋次郎; 大沼 正人*; 杉山 正明*

no journal, , 

超電導線材においては、臨界電流密度の高い線材を開発するため、人工的にピニングサイトを導入し、磁束量子を制御する技術が用いられている。臨界電流密度は人工ピンのサイズや密度等によって決まることから、産業上の要請として、これらを高精度に評価する手法を確立する必要がある。人工ピンの定量的評価には小角散乱法が有効であるが、高温超電導線材として用いられるZr添加(Gd,Y)BaCuOでは、母相の(Gd,Y)BaCuOと人工ピンとして働くBaZrOの間の電子密度差が小さいことから、通常のX線小角散乱法では有効な測定が困難である。そこで、Zr K吸収端での異常X線小角散乱法(ASAXS)により、Zrの組成分配を解析することで人工ピンの評価を試みた。電子顕微鏡観察とSPring-8を利用した実験の結果、ASAXSによって人工ピンの散乱を観測することに成功した。

口頭

異常X線小角散乱法による超電動線材中の人工ピンの解析

大場 洋次郎; 佐々木 宏和*; 山崎 悟志*; 中崎 竜介*; 大沼 正人*; 杉山 正明*

no journal, , 

超電導線材では、臨界電流密度を向上させるため、磁束のピン止め効果を狙った人工ピンの導入が研究されている。ピン止め効果は、人工ピンの形態や分散状態、サイズ等と密接に関係しており、特性向上のためには、これらを精密に評価し、磁束のピン止めメカニズムを明らかにする必要がある。このようなナノ構造の定量評価には小角散乱法が有効である。しかし、高温超電導線材として用いられるZr添加(Gd, Y)BaCuOでは、Gdの強い吸収により、中性子小角散乱法(SANS)の利用が難しく、また、通常のX線小角散乱法(SAXS)では人工ピンBaZrOと母相(Gd,Y)BaCuOの間の散乱コントラストが非常に弱いと予想されることから適用が困難である。そこで、Zrの組成分配に着目し、Zr K吸収端での異常X線小角散乱法(ASAXS)を利用して人工ピンの解析を試みた。その結果、人工ピンの散乱を明瞭に観測することに成功した。講演では、ASAXSによって得られた人工ピンの形態と、試料の組成による変化について報告し、人工ピンの生成過程について議論する。

口頭

Characterization of pinning center in Zr-doped (Gd,Y)Ba$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{x}$$ superconductor tape by anomalous small-angle X-ray scattering

大場 洋次郎; 佐々木 宏和*; 山崎 悟志*; 中崎 竜介*; 大沼 正人*

no journal, , 

Zr添加(Gd,Y)Ba$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{x}$$は、試料中に形成したナノメートルサイズのBaZrO$$_{3}$$(人工ピン)による磁束のピン止め効果を狙った超電導線材である。ピン止め効果は、人工ピンのサイズや間隔等と密接に関係しているため、これらの値を精密に評価することが重要となる。X線小角散乱法は、このようなナノ構造の評価に有効な実験手法であるが、Zr添加(Gd,Y)Ba$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{x}$$線材では、母相である(Gd,Y)Ba$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{x}$$と人工ピンの間の散乱コントラストが弱いため、適用が困難である。そこで本研究では、Zrが人工ピンのみに含まれることに着目し、Zr K吸収端での異常X線小角散乱法(ASAXS)を利用して人工ピンの解析を試みた。講演では、ASAXSによって得られた人工ピンの形態について報告し、人工ピンの生成過程について議論する。

口頭

異常X線小角散乱法による超電導線材の解析

大場 洋次郎; 佐々木 宏和*; 山崎 悟志*; 中崎 竜介*; 大沼 正人*

no journal, , 

超電導線材においては、ナノメートルサイズの人工ピンによる磁束のピン止め等、ナノ構造の制御による高性能化が行われている。小角散乱法は、このようなナノ構造の定量評価に適した実験手法である。特に、異常X線小角散乱法(ASAXS)を用いると、複雑なナノ構造を持つ試料においても、特定の元素が形成するナノ構造のみの情報を抽出することができる。本講演では、ASAXSを用いた超電導線材のナノ構造の解析について報告する。

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