Medium energy ion scattering analysis of InAs-GaAs(001) MBE-grown quantum dots

Bell, G.*; Quinn, P.*; Noakes, T.*; Bailey, P.*; 高橋 正光

no journal, , 

中速イオン散乱(MEIS)は従来、半導体の膜構造を調べる強力な手法として使われてきた。とくに、MEISのエネルギースペクトルは、元素の深さ分布に変換でき、その分解能は原子層レベルにまで達している。しかしながら、MEISをナノ構造(二次元の膜構造というよりはむしろ、ゼロ次元ないし一次元の構造)に対して応用する試みはほとんどなかった。最近、われわれは分子線エピタキシー(MBE)法によって作製したInAs/GaAs(001)量子ドットをMEISを用いて解析し、その内部のIn組成を解析することに成功している。本研究では、さらに進んで、この実験手法を、各種成長条件下で成長したInAs/GaAs(001)量子ドットに対して適用した。測定に用いられた試料は、SPring-8のその場X線回折測定用のMBE装置によって作製されたもので、同じ試料から得られたX線回折による組成分析結果と直接に比較可能である。成長条件の違いによるIn組成分布の変化が明らかにされた。