Energetically deep defect centers in vapor-phase grown zinc oxide

Frank, T.*; Pensl, G.*; Tana-Zaera, R.*; Ziga-Prez, J.*; Martnez-Toms, C.*; Muoz-Sanjos, V.*; 大島 武; 伊藤 久義; Hofmann, D.*; Pfisterer, D.*; et al.

Applied Physics A, 88(1), p.141 - 145, 2007/07

https://doi.org/10.1007/s00339-007-3963-3

酸化亜鉛(ZnO)中の欠陥準位を明らかにするため、気相成長したZnOの深部準位計測(Deep Level Transient Spectroscopy: DLTS)を行った。その結果、E4とラベル付けされた深い欠陥準位が観測された。さらに、試料に対し170keV又は2MeV電子線を照射し、発生する欠陥準位を調べたところ、E2, E3, E4, E5と呼ばれる欠陥準位が観測された。170keVと2MeV照射の結果を比べたところ、酸素及び亜鉛がはじき出されるエネルギーである2MeVの電子線照射では微量にしか観察されないE3中心は、酸素のみがはじき出される170keV電子線照射では大きなシグナルとして観察され、E3センターが酸素起因の欠陥であることを見いだした。