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安居院 あかね; Guo, J.*; Sathe, C.*; Nordgren, J.*; 日高 昌則*; 山田 勲*
Physica Status Solidi (C), 3(8), p.2880 - 2883, 2006/09
被引用回数:0 パーセンタイル:0.02(Materials Science, Multidisciplinary)擬1次元系CuGeOに単結晶について、Cuの吸収端の吸収分光と共鳴発光分光を行った。発光スペクトルは強い励起エネルギー依存性をしめした。このスペクトルはCu 3間の-励起をしめしている。電子は物性にかかわる電子であるので分光データから、系の電子構造などについて言及する。
安居院 あかね; Guo, J.-H.*; Sathe, C.*; Nordgren, J.*; 日高 昌則*; 山田 勲*
Solid State Communications, 118(12), p.619 - 622, 2001/06
被引用回数:5 パーセンタイル:32.77(Physics, Condensed Matter)近年有機化合物以外で初めて、スピン・パイエルス様相転位が発見された。擬一次元遷移金属化合物、CuGeOの電子構造を調べるため、CuのL端及び、OのK端で軟X線吸収と軟X線発光をそれぞれ測定した。OのK端発光では、Oに異なる電子状態をもつサイトが2つ見つけられた。CuについてはCu様の吸収スペクトルが観測された。また発光スペクトルについては、吸収測定では禁制になるdd遷移がはっきりと観測され、それらの起源について議論した。
安居院 あかね; Sathe, C.*; Guo, J.-H.*; Nordgren, J.*; Mankefors, S.*; Nilsson, P. O.*; Kanski, J.*; Andersson, T. G.*; Karlsson, k.*
Applied Surface Science, 166(1-4), p.309 - 312, 2000/10
被引用回数:2 パーセンタイル:15.67(Chemistry, Physical)ヘテロ構造半導体デバイスの基礎的性質を理解するうえで、界面の電子状態を知ることは一つの鍵になる。軟X線は物質中での透過長が電子線に比べ長いので、軟X線発光分光はキャッピング・レーヤーに覆われた試料やヘテロ構造中の物質の電子状態を調べるのに大変有効な手段になりうる。本研究では、GaAs(100)基盤の上に分子線エピタキシャル法でAlAsを、1,2,5,20ML成長させ、さらに100のGaAsでキャッピングした試料のAlL,発光を放射光励起の軟X線発光分光法で測定した。AlAsの20ML試料のAlLスペクトルはバルク試料スペクトルとほぼ同様の形状を示したが、モノ・レーヤー(1ML)試料は、GaASとの界面での混成効果によるスペクトル形状の変化がみられ、これは理論計算でよく説明されることがわかった。