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報告書

窒化ホウ素超薄膜コーティングされたシリコンの耐酸化性テスト

下山 巖; 宮内 英夫*; 馬場 祐治; 関口 哲弘; 平尾 法恵*; 奥野 健二*

JAEA-Research 2006-039, 33 Pages, 2006/06

JAEA-Research-2006-039.pdf:2.98MB

窒化ホウ素(BN)は、優れた耐熱性,化学的安定性,負電子親和性などによりシリコンカソードのコーティング材料として注目を集めている材料の一つである。われわれは膜厚10nm以下の超薄膜BNコーティングによるシリコンの耐酸化性について調べるため、化学気相蒸着法を用い1$$sim$$2原子層のBN超薄膜をシリコン上にコーティングした。BNコーティングしたシリコンとBNコーティングしないシリコンの高温ドライ酸化の比較実験を行い、X線光電子分光法により表面の化学状態変化を調べた。その結果、400$$^{circ}$$C$$sim$$1000$$^{circ}$$Cの温度領域でBNコーティングしたSiは明瞭な熱酸化が観測されず、BNコーティングによって耐酸化性が極めて向上することが明らかになった。さらにわれわれは大気中での耐酸化性を調べるためBNコーティングしたSiを室温で数日間大気曝露させ、XPSで表面状態分析を行った。その結果自然酸化膜と同程度のシリコン酸化膜が形成されたことが明らかにされた。この結果によりBN超薄膜は高温でのドライ酸化に対しては優れた耐酸化性を示すが、大気中では抗酸化膜として十分機能しないことがわかった。

論文

Characterization of B-C-N hybrid prepared by ion implantation

下山 巖; 馬場 祐治; 関口 哲弘; Nath, K. G.; 佐々木 政義*; 奥野 健二*

Journal of Vacuum Science and Technology A, 21(6), p.1843 - 1848, 2003/11

 被引用回数:6 パーセンタイル:28.14(Materials Science, Coatings & Films)

炭素同素体と窒化ホウ素(BN)の多形は互いに類似した結晶構造を持ち、そのハイブリッド化合物(B-C-Nハイブリッド)は新しい半導体材料となることが期待されている。しかしその合成方法は未だ十分確立されてはいない。われわれはイオン注入法によりB-C-Nハイブリッドの合成を試み、X線光電子分光法(XPS)を用いてその状態分析を行った。無機ベンゼンとして知られるボラジン(B$$_{3}$$N$$_{3}$$H$$_{6}$$)をイオン化し、得られるボラジンプラズマを3keVに加速してグラファイトにイオン注入を行った。得られた試料のXPSスペクトルはボラジンプラズマのドーズ量に依存して変化した。低ドーズにおいては、グラファイト表面にボラジンプラズマがイオン注入されることによりB-C, B-N, C-N結合に起因した光電子ピークが観測されたが、ドーズ量が増えるにつれグラファイト上にBNが堆積することによってB-N結合に起因した光電子ピークのみが観測された。これはグラファイト基板とBN薄膜との界面にB-C-Nハイブリッドが形成されたことを示している。

口頭

大電力ミリ波帯高速スイッチの高周波設計研究

長嶋 浩司*; 山口 智輝*; 滝井 啓太*; 関口 賢治*; 三枝 幹雄*; 小田 靖久; 福成 雅史*; 坂本 慶司

no journal, , 

大電力ミリ波帯高速スイッチの高周波特性について電磁界解析コードXFdtdにより数値シミュレーションを行った。その結果、共振器長を長くすれば、20MHz程度の周波数変調でスイッチが切り替わることが確認された。また、位相補正鏡の検討を行い、モード純度が切り替え特性に与える影響について評価を行った。以上を総合し、高周波特性の最適設計を行った。

口頭

大電力ミリ波帯高速スイッチの数値計算による損失評価

滝井 啓太*; 山口 智輝*; 長嶋 浩司*; 関口 賢治*; 三枝 幹雄*; 小田 靖久; 福成 雅史*; 坂本 慶司

no journal, , 

大電力ミリ波帯高速スイッチの損失評価をFDTD法に基づく電磁界解析コードを開発して行い、特に発熱が大きいハーフミラーに関して熱応力解析を行った。

口頭

大電力ミリ波帯高速スイッチの開発研究

本圖 理彦*; 関口 賢治*; 森 純哉*; 三枝 幹雄*; 小田 靖久; 高橋 幸司

no journal, , 

閉じ込め劣化の原因となる新古典ティアリングモード(NTM)の抑制には、磁気島内部のO点への電子サイクロトロン電流駆動が有効である。本研究室ではNTM抑制の高効率化のため、磁気島の回転周期に合わせて電磁ビーム経路を高速に切り替えるデバイスの開発を行っている。今回は高速スイッチのリング共振器部の精密温度制御による共振周波数制御を試みた。また、サファイア板をハーフミラーとする高速スイッチにて、170GHz帯ジャイロトロンの周波数変調による大電力高速切替試験を行った結果も報告する。

口頭

大電力ミリ波帯ダイプレクサの電力合成の数値計算

森 純哉*; 関口 賢治*; 本圖 理彦*; 三枝 幹雄*; 小田 靖久; 池田 亮介; 高橋 幸司

no journal, , 

トカマク型核融合炉で発生が予測される新古典ティアリングモードは、磁気島のO点に局所的に電流駆動することによって抑制ができる。その高効率な抑制には電子サイクロトロン電流駆動と大電力ミリ波帯で使用可能なダイプレクサが有効である。本研究はダイプレクサに異なる2周波数の電磁波を2台のジャイロトロンから入力し、電力合成と高速切替が可能であることをFDTD法を用いた電磁界解析でのシミュレーション結果を報告する。

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