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論文

Analysis of bonding structure of ultrathin films of oligothiophene molecules grown on passivated silicon surfaces

豊島 弘明*; 平賀 健太*; 大野 真也*; 田中 正俊*; 小澤 健一*; 間瀬 一彦*; 平尾 法恵; 関口 哲弘; 下山 巖; 馬場 祐治

Photon Factory Activity Report 2011, Part B, P. 102, 2012/00

有機分子と半導体表面との界面状態はこれまで構築されてきた無機半導体技術に有機半導体を融合していくうえで重要となる。本研究ではさまざまな分子で前処理を行ったシリコン(Si)基板表面上における$$alpha$$-チオフェンオリゴマー6量体($$alpha$$-6T)の薄膜形成過程をPES、角度分解NEXAFS(X線吸収端微細構造)、及びSDRS, RDS法により調べた。水分子を先に単分子吸着させたSi表面上に$$alpha$$-6T分子を吸着させた場合は、角度分解NEXAFS法により$$alpha$$-6T分子は基板表面上で分子主軸を直立させて配向することがわかった。また、垂直配向度は吸着厚みに依存した。0.6nmに比べ3nm以上の多分子層において配向性はより顕著であった。さらに、$$alpha$$-6T分子の配向性は前処理した分子の種類に依存した。エチレンを曝したSi表面上において、$$alpha$$-6T分子の配向はそれほど顕著でないことが見いだされた。前処理により分子配向を制御できる可能性を示す結果である。

論文

Performance of the H$$_{p}$$(10) and H$$_{p}$$(0.07) measurable electronic pocket dosimeter for $$gamma$$- and $$beta$$-rays

高橋 聖; 関口 真人; 宮内 英明; 橘 晴夫; 吉澤 道夫; 加藤 徹*; 山口 明仁*

Journal of Nuclear Science and Technology, 45(Suppl.5), p.225 - 228, 2008/06

 被引用回数:5 パーセンタイル:40.16(Nuclear Science & Technology)

In this study, the H$$_{p}$$(10) and H$$_{p}$$(0.07) detectable electronic pocket dosimeter(EPD-101) manufactured by ALOKA CO., LTD. was examined for (1) energy dependences for $$gamma$$ and $$beta$$-rays and (2) applicability for actually personal dosimetry in the mixed radiation fields. The energy responses of EPD-101 were obtained by standard irradiation in the Facility of Radiation Standards in the Japan Atomic Energy Agency (JAEA). The responses of EPD-101 were shown to be within $$pm$$20% in the irradiated energy range for the both radiations except for $$^{147}$$Pm emitting low-energy $$beta$$-rays. In order to examine the applicability of EPD-101 in actual radiation workplaces, measured values of EPD-101 were compared with those of two other types of dosimeters (glass dosimeters and thermoluminescence dosimeters) in hot cells of the Reactor Fuel Examination Facility in JAEA. As a result, EPD-101 showed lower dose for $$beta$$-ray and higher dose for $$gamma$$-ray than the other two dosimeters. The differences should be attributed to high-energy $$beta$$-emitting sources such as $$^{106}$$Ru-$$^{106}$$Rh in the facility.

論文

Statistics of individual doses of JAERI for the past 48 Years

関口 真人; 高橋 聖; 宮内 英明; 橘 晴夫; 小室 祐二*; 根本 喜代子*; 大川 伊久子*; 吉澤 道夫

Proceedings of 2nd Asian and Oceanic Congress Radiological Protection (AOCRP-2) (CD-ROM), p.114 - 117, 2006/10

日本原子力研究所では、設立の翌年(1957年)から放射線業務従事者の個人被ばく線量管理が開始された。本報告では、2005年に核燃料サイクル開発機構と統合し日本原子力研究開発機構が設立したのを機に、48年間の個人被ばくの統計(総線量,平均線量,最大線量及び線量分布等)をまとめた。1960年代は、施設のトラブルや改造に伴う被ばくが多く、総線量が1200人$$cdot$$mSvを超え平均線量も0.4mSvを超える年が多い。その後、線量低減が図られ、総線量は400人$$cdot$$mSv以下(ピーク時の約1/3)に、平均線量は0.04mSv程度(ピーク時の約1/10)まで減少した。ホットラボ施設における除染,施設の解体,実験設備の改造等による作業が多い近年においても、総線量はあまり増加していない。また、累積頻度の解析から、近年では、比較的被ばく線量の高い特定の作業者集団が存在することがわかった。

報告書

日本原子力研究所48年間の被ばく統計

白石 明美; 関口 真人; 橘 晴夫; 吉澤 道夫; 小室 祐二*; 根本 喜代子*; 大川 伊久子*

JAEA-Data/Code 2006-014, 36 Pages, 2006/06

JAEA-Data-Code-2006-014.pdf:2.46MB

日本原子力研究所(原研)では、設立の翌年(1957年)から放射線作業者(放射線業務従事者)の個人被ばく線量管理が開始された。本報告では、これまでに集積された個人被ばく線量データをもとに、2005年10月の日本原子力研究開発機構発足までの48年間にわたる被ばく統計をまとめた。これらの統計結果から、原研における放射線作業の変遷とともに、ALARAの精神に基づく被ばく線量低減が読み取れる。また、累積頻度の解析から、近年では、比較的被ばく線量の高い特定の作業集団が存在することがわかった。

論文

肺中$$^{241}$$Amに対する肺モニタの計数効率

木名瀬 栄; 大井 義弘; 関口 真人

Radioisotopes, 52(8), p.378 - 382, 2003/08

NaI(Tl)/CsI(Tl)ホスウィッチ検出器,低エネルギー用Ge半導体検出器を用いたそれぞれの肺モニタについて、JAERIファントム肺中$$^{241}$$Amの肺モニタ計数効率,肝臓中$$^{241}$$Amの肺モニタ計数効率への影響を実測評価し、肺モニタとしてのこれらの検出器の相違の特徴について調べた。その結果、肺中$$^{241}$$Amに対する低エネルギー用Ge半導体検出器の計測は、単一の光電吸収が全吸収ピークに対し主に寄与すること、肝臓中$$^{241}$$Amからの影響が小さいことを踏まえると、NaI(Tl)/CsI(Tl)ホスウィッチ検出器よりも信頼性の高い評価が可能であることがわかった。

報告書

高速実験炉「常陽」性能試験報告書 : 核出力較正,出力分布(その1),NT-41 核出力較正,NT-42 出力分布(その1)

山本 寿*; 関口 善之*; 石井 愛典*; 鈴木 惣十*; 川島 正俊*; 斉藤 宜弘*; 大西 恒二*

PNC TN941 79-112, 156 Pages, 1979/07

PNC-TN941-79-112.pdf:4.67MB

高速実験炉「常陽」の低出力性能試験のうち核出力較正試験と小型核分裂計数管による炉心中心軸上の出力分布試験の結果について述べる。▲原子炉出力は,予め較正されたPu239の小型核分裂計数偶を炉内に挿入し,得られた計数率と,計算によって得られた反応率との対応から求められた。起動系については,計数率と炉出力の関係を求め,中間系は指示計の値と原子炉出力が一致するように調整された。▲本試験の主な結果は次の通りである。▲1)起動系ch1,ch2の計数率と原子炉出力の関係は,0.1kWから10kWの範囲で直線的であることが確認された。▲2)中間系と起動系は,炉出力1kWから10kWの範囲でオーバーラップしており,この区間では中間系の指示値と炉出力の関係は直線的である。▲3)中心軸上の反応率は,Pu239Pu240,U235,U238,Th232の(n,f)反応が小型核分裂計数管によって測定された。軸方向分布の測定値から得られた軸方向ピーキング係数は1.19であり,設計値と一致した。▲4)―次冷却材の温度変化による起動系の計数率は,一次冷却材の温度が100$$^{circ}C$$上昇すると,約8%増加する。▲5)燃料貯蔵ラック内の燃料は,起動系の計数率に影響を与える。起動系と炉中心を結ぶ線上のラック内に炉心燃料が一本装荷されると,計数率は約25%増加する。▲その他の核特性として,6)等温係数は一3.65$$times$$10$$times$$-3%$$Delta$$K/K/$$^{circ}C$$(190$$^{circ}C$$$$sim$$250$$^{circ}C$$)であった。▲7)炉中心において,燃料と試験用特殊燃料集合体の置換反応度は一0.085%$$Delta$$K/Kであった。▲

口頭

日本原子力研究所48年間の被ばく統計

白石 明美; 関口 真人; 橘 晴夫; 吉澤 道夫; 小室 祐二*; 根本 喜代子*; 大川 伊久子*

no journal, , 

日本原子力研究所(原研)は、昭和31年に設立され、その翌年からフィルムバッジ(FB)による個人線量の測定を開始し、昭和40年には電算機による個人被ばく管理システムが整備され被ばくデータの管理が行われてきた。核燃料サイクル開発機構との統合(平成17年10月)を機に、原研の48年間に渡る被ばく統計をまとめ、他の測定機関の統計データとの比較等を行った。過去48年の総線量及び個人平均線量の推移から、原研における主な放射線作業の推移及び被ばく低減の努力を読み取ることができる。

口頭

$$gamma$$$$beta$$線混合場での電子ポケット線量計の適応性

高橋 聖; 関口 真人; 橘 晴夫; 星 慎太郎; 吉澤 道夫; 加藤 徹*; 山口 明仁*

no journal, , 

従来、原子力科学研究所では$$gamma$$$$beta$$線混合場の作業の線量管理には熱ルミネセンス線量計(TLD)を補助線量計として多く使用してきた。今回、$$gamma$$$$beta$$線同時測定が可能なアロカ社製70$$mu$$m線量当量対応形電子ポケット線量計(EPD)について、$$beta$$線に対するエネルギー特性試験及び実作業環境場における70$$mu$$m線量当量のTLD(UD-808型)との比較測定を行った。EPDの$$beta$$線エネルギー特性試験は原科研放射線標準施設の$$beta$$線標準照射場において行った。実作業環境場でのEPDとTLDの比較は、使用済燃料取扱施設でEPD, TLD及び原科研において被ばく管理上の基本線量計として使用しているガラス線量計を同時に胸部に装着し、各線量計による70$$mu$$m線量当量を測定して行った。EPDの$$beta$$線のエネルギー特性は、残留最大エネルギー0.5MeV$$sim$$2.2MeVで$$pm$$30%の許容範囲内に収まっていることが確認できた。また、実作業環境場での70$$mu$$m線量当量の測定結果について、EPDの方がTLDよりも基本線量計であるガラス線量計に近い指示値を示した。EPDは、線量の表示や内蔵メモリーによる時系列データの取込み等の機能面に優れており、また取扱が容易であることから、$$gamma$$$$beta$$線混合場の作業における線量管理について有用であると考えられる。

口頭

電子化様式を用いた放射線管理手帳の運用

宮内 英明; 関口 真人; 高橋 聖; 安田 孝行; 橘 晴夫; 吉澤 道夫

no journal, , 

原子力機構原子力科学研究所では、平成18年度から電子化様式を用いた新しい形式の放射線管理手帳(放射線従事者中央登録センター承認)の運用を開始したので報告する。この新しい手帳は、パソコン対応の電子ファイル化した様式を用い、出力された記録をバインダーに綴じ込む方式であることが特徴である。これらにより、各綴込み様式の変更及び記録の作成が容易になり、業務の効率化が図られた。近年、共同利用施設の増加とともに、複数の研究施設を利用する放射線業務従事者が増えている。本形式の放射線管理手帳は、このような放射線業務従事者の個人線量の的確な管理、並びに特殊健康診断及び教育訓練の把握に有効と考えられる。

口頭

表面修飾Si(001)表面上の$$alpha$$-sexithiophene超薄膜の構造

平賀 健太*; 豊島 弘明*; 大野 真也*; 平尾 法恵; 関口 哲弘; 下山 巖; 馬場 祐治; 向井 孝三*; 吉信 淳*; 田中 正俊*

no journal, , 

有機半導体分子と半導体基板表面との界面構造の特性を自在に制御する技術の確立は有機トランジスタや太陽電池の作製・実用化において重要である。本研究ではさまざまな膜厚(0.25から1.0nm)の$$alpha$$-sexithiophene($$alpha$$-6T)超薄膜を形成し、表面反射分光(RDS, SDRS)、S 1sの角度分解NEXAFS(X線吸収端微細構造)、UPSを測定した。RDS, SDRS、及びNEXAFSからは分子の配向について、一方でUPSからは配向の完全性に関する情報が得られた。表面修飾の方法や膜厚に依存した分子配向や凝集構造の相違について報告する。

口頭

Structure of $$alpha$$-sexithiophene thin films grown on semiconductor surface studied by near-edge X-ray absorption fine structure

平賀 健太*; 豊島 弘明*; 中島 淳貴*; 田中 博也*; 大野 真也*; 田中 正俊*; 関口 哲弘; 平尾 法恵; 下山 巖; 馬場 祐治

no journal, , 

半導体表面上に成長させた有機分子薄膜の立体分子構造を解析することは有機半導体の微細構造技術において重要である。SiO$$_{2}$$/Si(001), H$$_{2}$$O/Si(001), C$$_{2}$$H$$_{4}$$/Si(001), WSe$$_{2}$$, GaSeなど様々な半導体表面上に$$alpha$$-6チオフェン($$alpha$$-6T)分子を真空蒸着し、X線吸収端微細構造法により成長過程を研究した。表面基板の違いにより$$alpha$$-6T分子の配向状態は大きく異なった。例えば、$$alpha$$-6T/GaSe系では6T分子主軸は基板平行に寝て配向するのに対し、$$alpha$$-6T/SiO$$_{2}$$/Si(001)では分子は立って配向する。

口頭

半導体表面上のオリゴチオフェン分子薄膜の構造解析

小玉 開*; 平賀 健太*; 大野 真也*; 関口 哲弘; 馬場 祐治; 田中 正俊*

no journal, , 

有機半導体デバイスの性能は界面構造に大きく依存する。我々はSiO$$_{2}$$、GaSe、WSe$$_{2}$$等の半導体基板上に成長させた$$alpha$$-オリゴチオフェン6量体($$alpha$$-6T)分子薄膜の構造をX線吸収端微細構造(NEXAFS)法により解析した。$$alpha$$-6T分子は長軸方向に$$sigma$$$$^{*}$$軌道が、また分子面には$$pi$$$$^{*}$$軌道が存在するため、直線偏光X線を用いることにより分子配向構造を詳細に決定することできる。基板に依存して$$alpha$$-6T分子配向構造が異なることが見出された。GaSe基板上で$$alpha$$-6T分子は長軸を基板平行に配向する。一方、SiO$$_{2}$$では分子は長軸を垂直に立った構造をとる。配向構造の違いは分子と基板との界面における相互作用の違いに基づくと解釈した。

口頭

Analysis of the structure of $$alpha$$-sexithiophene thin films grown on layered materials

小玉 開*; 平賀 健太*; 大野 真也*; 関口 哲弘; 馬場 祐治; 田中 正俊*

no journal, , 

有機半導体分子は配向方向により電子的性質が異なるため、分子配向の制御に興味がもたれている。WSe$$_{2}$$やGaSeは層構造をもつ半導体であり、Si表面のように有機物を分解せず、またSiO$$_{2}$$表面のようにランダム構造でなく規則正しい表面構造をもつことから、有機半導体分子を規則正しく配列できる基板の候補として期待されている。本研究では、SiO$$_{2}$$/Si表面および 劈開して得たWSe2とGaSeの清浄基板上に有機半導体である$$alpha$$-チオフェン6量体(6T)を分子層数制御して真空蒸着を行い、単分子以下から数層の薄膜を作製した。直線偏光放射光を用いた角度依存X線吸収端微細構造(NEXAFS)法により、有機半導体分子の配向構造を解析した。分子配向角度が膜厚に依存して大きく変化すること、また基板の種類により膜厚依存性がかなり異なることが見だされた。基板の最表面原子構造と6T分子固体の構造的な整合性および分子-基板間相互作用の違いが系の安定性に影響し、配向構造が異なると考えられる。

口頭

Mie散乱理論を用いた粒子サイズ分布決定における最適解の評価

関口 健太郎; 神野 智史*; 田中 宏尭*; 一ノ瀬 紘佑*; 金崎 真聡*; 榊 泰直; 近藤 公伯; 松井 隆太郎; 岸本 泰明; 福田 祐仁

no journal, , 

光散乱強度の角度分布データから散乱粒子の粒径分布を得る問題は代表的な逆問題であり、分布関数の形状に特別な仮定を置くことなく安定な解を得るためには、不安定性を引き起こす要因とその影響を精度よく評価することが必要である。本研究では、Mie散乱理論を使って我々が開発したアルゴリズムを用いて、複数の異なる粒径分布を与え得る系を扱う場合の解の不安定要因について検討する。数値解析上の技法の精査と並行して、引き続き実験条件の制御によって評価を行うアプローチを採る。

口頭

サブミクロンサイズ水素クラスターに対するMie散乱を用いたサイズ評価法の検討

田中 宏尭; 神野 智史*; 金崎 真聡*; 関口 健太郎; 一ノ瀬 紘佑*; 榊 泰直; 近藤 公伯; 松井 隆太郎; 岸本 泰明; 福田 祐仁

no journal, , 

高繰り返し超高純度陽子線源のための新たなターゲットとして、サブミクロンサイズの水素クラスターターゲットの開発に着手し、これまでに、半径200$$sim$$1000nmの水素クラスターの生成を示唆する結果を得ている。水素クラスターのサイズ計測には、Mie散乱を用いたサイズ評価を実施している。しかし、ここでは、計測誤差を含む散乱光強度の角度分布と(装置関数が考慮されていない)Mie散乱理論値を用いて作成された応答関数を用いて逆問題を解き、水素クラスターサイズ分布を求めるため、得られるサイズ分布もエラー成分を含むものとなり、現実にどのサイズのクラスターが生成されているのかを正確に判断するのは容易ではない。そこで、本研究では、サイズ既知の標準サンプルを用いて、適切な応答関数作成方法の検討を行った。

口頭

高強度レーザーを用いた高エネルギー粒子線発生技術開発

福田 祐仁; 金崎 真聡*; 関口 健太郎; 杉山 僚; 近藤 公伯

no journal, , 

CR-39による粒子線の同定では、エッチピット開口部の形状を解析することで、イオンの入射エネルギーや入射角、イオン種といった様々な情報を得ることができる。本研究では、電磁場構造のイメージングに用いる5cm角程度のCR-39に入射した大量の陽子線のエッチピットを一度に解析するために、エッチピット開口部の半径と、開口部中心のグレイスケールを組み合わせたエネルギーの評価手法を開発した。

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