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論文

Quantitative measurement of figure of merit for transverse thermoelectric conversion in Fe/Pt metallic multilayers

山崎 匠*; 平井 孝昌*; 八木 貴志*; 山下 雄一郎*; 内田 健一*; 関 剛斎*; 高梨 弘毅

Physical Review Applied (Internet), 21(2), p.024039_1 - 024039_11, 2024/02

 被引用回数:0

This study presents a measurement method for determining the figure of merit for transverse thermoelectric conversion in thin-film forms. Leveraging the proposed methodology, we comprehensively investigate the transverse thermoelectric coefficient, in-plane electrical conductivity, and out-of-plane thermal conductivity in epitaxial and polycrystalline Fe/Pt metallic multilayers.

論文

Direct energy conversion using Ni/SiC Schottky junction in $$^{237}$$Np and $$^{241}$$Am gamma ray regions

福田 竜生; 小畠 雅明; 菖蒲 敬久; 吉井 賢資; 神谷 潤一郎; 岩元 洋介; 牧野 高紘*; 山崎 雄一*; 大島 武*; 白井 康裕*; et al.

Journal of Applied Physics, 132(24), p.245102_1 - 245102_8, 2022/12

 被引用回数:1 パーセンタイル:17.38(Physics, Applied)

Ni/SiCショットキー接合による放射線から電気エネルギーへの変換を、特に$$^{237}$$Am (30keV)及び$$^{241}$$Am (60keV)の$$gamma$$線に着目して調べた。変換効率は吸収量ベースで最大1.6%であった。SiCは比較的放射線耐性があることから、これは放射性廃棄物からの$$gamma$$線エネルギーの再生に利用できる可能性を示している。また、高X線光電子分光(HAXPES)及び二次イオン質量分析法(SIMS)を組み合わせることで、接合界面にNi-Si化合物が生成されると効率が低下することも分かった。これは電気測定に加えてHAXPES及びSIMSの2つの手法を組み合わせて判明したことであり、今後のデバイス作成プロセスへのフィードバックが期待できる結果である。

論文

Design and actual performance of J-PARC 3 GeV rapid cycling synchrotron for high-intensity operation

山本 風海; 金正 倫計; 林 直樹; Saha, P. K.; 田村 文彦; 山本 昌亘; 谷 教夫; 高柳 智弘; 神谷 潤一郎; 菖蒲田 義博; et al.

Journal of Nuclear Science and Technology, 59(9), p.1174 - 1205, 2022/09

 被引用回数:6 パーセンタイル:84.97(Nuclear Science & Technology)

J-PARC 3GeVシンクロトロン(RCS)は、最大1MWの大強度ビームを25Hzという早い繰り返しで中性子実験及び下流の主リングシンクロトロンに供給することを目的に設計された。2007年の加速器調整運転開始以降、RCSではビーム試験を通じて加速器の設計性能が満たされているかの確認を進め、必要に応じてより安定に運転するための改善を行ってきた。その結果として、近年RCSは1MWのビーム出力で連続運転を行うことが可能となり、共用運転に向けた最後の課題の抽出と対策の検討が進められている。本論文ではRCSの設計方針と実際の性能、および改善点について議論する。

論文

新材料・新製品開発のための先端解析技術

佐々木 宏和*; 西久保 英郎*; 西田 真輔*; 山崎 悟志*; 中崎 竜介*; 磯松 岳己*; 湊 龍一郎*; 衣川 耕平*; 今村 明博*; 大友 晋哉*; et al.

古河電工時報, (138), p.2 - 10, 2019/02

電子顕微鏡や放射光等の先端解析技術は、試料の構造や化学状態について多くの有用な情報をもたらし、材料研究に欠かせないツールとなっている。本稿では、これらの先端解析技術の中から、電子線ホログラフィや放射光を用いたX線小角散乱法(SAXS)等の手法を中心に、材料研究への応用事例を紹介する。これらの手法を活用することにより、未知であった材料の本質を明らかにすることができ、新製品開発の指針を定める上で重要な知見を得ることができる。

論文

J-PARCリニアックの現状

小栗 英知; 長谷川 和男; 伊藤 崇; 千代 悦司; 平野 耕一郎; 森下 卓俊; 篠崎 信一; 青 寛幸; 大越 清紀; 近藤 恭弘; et al.

Proceedings of 11th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan (インターネット), p.389 - 393, 2014/10

J-PARCリニアックでは現在、ビームユーザに対する利用運転を行うとともに、リニアック後段の3GeVシンクロトロンにて1MWビームを加速するためのビーム増強計画を進めている。リニアックのビーム増強計画では、加速エネルギー及びビーム電流をそれぞれ増強する。エネルギーについては、181MeVから400MeVに増強するためにACS空洞及びこれを駆動する972MHzクライストロンの開発を行ってきた。これら400MeV機器は平成24年までに量産を終了し、平成25年夏に設置工事を行った。平成26年1月に400MeV加速に成功し、現在、ビーム利用運転に供している。ビーム電流増強では、初段加速部(イオン源及びRFQ)を更新する。イオン源はセシウム添加高周波放電型、RFQは真空特性に優れる真空ロー付け接合タイプ空洞をそれぞれ採用し、平成25年春に製作が完了した。完成後は専用のテストスタンドにて性能確認試験を行っており、平成26年2月にRFQにて目標の50mAビーム加速に成功した。新初段加速部は、平成26年夏にビームラインに設置する予定である。

論文

Uniaxial strain dependence of the critical current of DI-BSCCO tapes

長村 光造*; 町屋 修太郎*; Hampshire, D. P.*; 土屋 佳則*; 菖蒲 敬久; 梶原 堅太郎*; 長部 吾郎*; 山崎 浩平*; 山田 雄一*; 藤上 純*

Superconductor Science and Technology, 27(8), p.085005_1 - 085005_11, 2014/08

 被引用回数:29 パーセンタイル:74.69(Physics, Applied)

In order to explain the effect of uniaxial strain on the critical current of DI-BSCCO-Bi2223 tapes, we employed a springboard sample holder that can smoothly and continuously apply both tensile and compressive strains to tape samples. Over a narrow tensile strain region, the critical current in the tapes decreased linearly with increasing strain and returned reversibly with decreasing strain. In this paper, we clearly characterize the reversible range terminated by both compressive and tensile strains, in which filaments do not fracture. Our analysis of the compressive regime beyond the relaxation strain suggests that although BSCCO filament fracture is the primary factor that leads to a decrease in critical current, the critical current in those regions of filaments that are not fractured increases linearly and reversibly with decreasing applied strain at compressive strains well beyond the reversible region for the tape.

論文

Critical competition between two distinct orbital-spin ordered states in perovskite vanadates

藤岡 淳*; 安江 俊夫*; 宮坂 茂樹*; 山崎 裕一*; 有馬 孝尚*; 佐賀山 基*; 稲見 俊哉; 石井 賢司; 十倉 好紀*

Physical Review B, 82(14), p.144425_1 - 144425_12, 2010/10

 被引用回数:54 パーセンタイル:85.82(Materials Science, Multidisciplinary)

We have investigated the spin/orbital phase diagram in the perovskite orthovanadate $$R$$VO$$_3$$ ($$R$$ = Eu, Y, Dy, and Ho) by measurements of magnetization, dielectric constant, specific heat, Raman scattering spectra, and X-ray diffraction, focusing on the interplay between the V $$3d$$ spin and the $$4f$$ moment of the $$R$$ ion. The results cannot be uniquely explained in terms of the exchange interaction between the V $$3d$$ spin and the $$R$$-ion $$4f$$ moment. By comparing this phase diagram with the spin/orbital ordering in TbVO$$_3$$, it is evident that the critical competition between the C-type spin/G-type orbital ordered phase and the G-type spin/C-type orbital ordered one depends not only on the GdFeO$$_3$$-type lattice distortion but also on the presence of the $$4f$$ moment of the $$R$$ ion. The magnetic field induced phase transition of the spin/orbital ordering is achieved concomitantly with polarizing $$R$$ $$4f$$ moments for DyVO$$_3$$ and HoVO$$_3$$. The results cannot be uniquely explained in terms of the exchange interaction between the V $$3d$$ spin and the $$R$$-ion $$4f$$ moment. The coupling of the $$R$$ $$4f$$ moment polarization with the lattice distortion tied with the orbital ordering of the V $$3d$$ sublattice may also be relevant to this field induced phase transition.

論文

Unconventional ferroelectric transition in the multiferroic compound TbMnO$$_{3}$$ revealed by the absence of an anomaly in $$c$$-polarized phonon dispersion

梶本 亮一; 佐賀山 基*; 佐々井 健蔵*; 福田 竜生; 筒井 智嗣*; 有馬 孝尚*; 廣田 和馬*; 三井 由佳利*; 吉澤 英樹*; Baron, A. Q. R.*; et al.

Physical Review Letters, 102(24), p.247602_1 - 247602_4, 2009/06

 被引用回数:12 パーセンタイル:59(Physics, Multidisciplinary)

TbMnO$$_{3}$$ exhibits a spontaneous electric polarization along $$mathbf{c}$$ concomitantly with a spiral spin ordering modulated along $$mathbf{b}$$ below $$T$$$$_{rm c}$$ = 28 K. We have performed inelastic X-ray scattering measurements on a single crystal of TbMnO$$_{3}$$ to clarify whether phonon anomalies related to the ferroelectricity exist. We measured transverse modes, especially the Mn-O-Mn bending mode polarized along $$mathbf{c}$$ and propagating along $$mathbf{b}$$, which we expect is most relevant to the ferroelectricity. However, no anomaly was found in the phonon dispersion below 50 meV across $$T$$$$_{rm c}$$. The present result suggests that the mechanism of ferroelectricity in TbMnO$$_3$$ is different from that of a conventional displacive-type ferroelectric. The weak coupling between electric polarization and lattice in TbMnO$$_{3}$$ strongly suggests that the ferroelectricity is mainly derived from the spiral spin ordering.

論文

Magnetic-field-induced transition in the lattice modulation of colossal magnetoelectric GdMnO$$_3$$ and TbMnO$$_3$$ compounds

有馬 孝尚*; 後藤 剛史*; 山崎 裕一*; 宮坂 茂樹*; 石井 賢司; 坪田 雅己; 稲見 俊哉; 村上 洋一*; 十倉 好紀*

Physical Review B, 72(10), p.100102_1 - 100102_4, 2005/09

 被引用回数:129 パーセンタイル:95.45(Materials Science, Multidisciplinary)

強磁場下での単結晶放射光X線回折実験を磁気誘電化合物GdMnO$$_3$$とTbMnO$$_3$$で行った。低温で磁場の印加によって誘起される${bf P}$//aの強誘電相は斜方晶のb軸方向へのq=1/2と1/4の整合な格子変調によって特徴づけられる。この格子変調は変調ベクトル(0 1/4 1)の反強磁性スピン配列によるものである。スピン構造の変化は直接磁場誘起誘電相転移と関係づけられる。なぜなら、いかなる(0 1/4 1)の整合スピン変調はPbnm空間群を持つ歪んだペルブスカイトの${it a}$軸に垂直な映心面を壊すからである。

口頭

Inelastic X-ray scattering study of phonons in the multiferroic compound TbMnO$$_3$$

梶本 亮一; 佐賀山 基*; 佐々井 健蔵*; 福田 竜生; 筒井 智嗣*; 有馬 孝尚*; 廣田 和馬*; 三井 由佳利*; 吉澤 英樹*; Baron, A. Q. R.*; et al.

no journal, , 

An inelastic X-ray scattering study on a single crystal of TbMnO$$_3$$ was performed to reveal whether phonon anomaly related to the appearance of the ferroelectricity exists. We have measured the transverse modes, especially the Mn-O-Mn bending mode, polarized along the $$c$$ axis propagating along the $$b$$ axis, because these modes are expected to be most relevant to the spontaneous electric polarization along the $$c$$ axis concomitantly with the spiral spin ordering modulated along the $$b$$ axis. However, no anomaly in phonon dispersions was observed even below the ferroelectric transition temperature below 50 meV. The present result suggests that the mechanism of ferroelectric transition in $$R$$MnO$$_3$$ is different from that of a conventional displacive-type ferroelectric.

口頭

放射線からの直接エネルギー変換; 放射性廃棄物の資源化の試み

吉井 賢資; 福田 竜生; 神谷 潤一郎; 塩飽 秀啓; 小林 徹; 谷田 肇; 山崎 雄一*; 大島 武*; 矢板 毅

no journal, , 

原子力発電所などから発生する放射性廃棄物は年々増え続けており、その処理や貯蔵の方法については現在議論がなされているところである。放射性廃棄物に含まれるRIは長期間連続的にエネルギーを放射し続けることから、安定なエネルギー源としてもみなすことができる。このような視点での研究は過去なされていたが、現在の我が国では盛んではない。廃棄物の貯蔵限界が迫っていることを踏まえ、本研究では廃棄物の資源化の可能性について再検討を行った。特に、固化体からの主なガンマ線である660keV ($$^{137}$$Cs), 60keV ($$^{241}$$Am), 30keV ($$^{237}$$Np)を用いた変換に重点を置いた。試料については、炭化ケイ素(SiC), III-V属半導体(CdTe, GaAs等)などを対象とした。測定の結果、入射エネルギーを基準としたエネルギー変換効率は0.1-1%以下と高くはないものの、廃棄物のエネルギー資源化への可能性があることが示唆された。またガンマ線吸収効率の高い重元素を含む系のほうが良いことも確かめられた。詳細は当日報告する。

口頭

SiCの放射線直接エネルギー変換材料への応用可能性

吉井 賢資; 福田 竜生; 谷田 肇; 塩飽 秀啓; 神谷 潤一郎; 牧野 高紘*; 山崎 雄一*; 大島 武*; 矢板 毅

no journal, , 

放射性廃棄物を安定的なエネルギー源として活用するため、放射線の直接エネルギー変換研究を行った。前回の学会では、SiCやCdTeなど放射線劣化に強い半導体接合系について調べたが、有害物質を含まないSiCに絞った研究を行った。試料は単結晶SiC上にNi薄膜を80nm積層したショットキーダイオードを用いた。エネルギー変換実験は、$$^{237}$$Npからのガンマ線(30keV)および$$^{241}$$Amからのガンマ線(60keV)の利用を想定し、SPring-8の放射光ビームラインBL22XUからの単色X線を用いて行った。さらにCuK$$alpha$$線(8keV)を利用した実験も行った。発電実験に先立ち、暗電流条件において電流-電圧測定を行ったところ、理想のダイオードに近い良質な試料であることが分かった。ガンマ線あるいはX線照射時の電力は1cm$$^{2}$$当たり0.1$$mu$$W程度であった。また、市販のSi対応電池では60keV近傍においてはほとんど発電せず、SiCの優位性が判明した。入射光に対する効率は8-60keVで0.1%程度以下であった。モンテカルロ法により試料内部におけるX線のエネルギー損失過程についての計算を進めており、それに基づく効率計算なども報告する。

口頭

Ni/SiCショットキー 接合を用いた$$^{237}$$Npおよび$$^{241}$$Amガンマ線領域の放射線直接エネルギー変換; 発電能力に及ぼす界面の影響

福田 竜生; 小畠 雅明; 菖蒲 敬久; 吉井 賢資; 神谷 潤一郎; 岩元 洋介; 牧野 高紘*; 山崎 雄一*; 大島 武*; 白井 康裕*; et al.

no journal, , 

最近、放射性廃棄物を資源化する試みとして、ガンマ線の直接エネルギー変換研究を行っている。過去の学会ではNi/SiCショットキー接合での発電を報告したが、今回は発電量の異なるこの系について、その違いの起源を調べた。試料は単結晶SiC上にNi薄膜を80nm積層したショットキー接合を用いた。エネルギー変換実験は、$$^{237}$$Npからのガンマ線(30keV)および$$^{241}$$Amからのガンマ線(60keV)の利用を想定し、SPring-8のJAEA専用ビームラインBL22XUからの単色放射光X線を用いて行った。電力は1cm$$^{2}$$当たりに換算して0.1mW程度と、過去の報告とほぼ同じであった。モンテカルロ法(PHITSコード)により試料内部におけるガンマ線吸収を求めたところ、エネルギー変換効率は1-2%となり、過去報告されたIII-V属半導体での値と近い。しかし、試料によっては、変換効率は1/10以下であった。この起源を明らかにするため、放射光硬X線光電子分光と二次イオン質量分析を併用してNi-SiC界面の分析を行ったところ、発電量の少ない試料では界面で化学反応が起こっており、ショットキー接合が損傷を受けていることが分かった。

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