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Iniotakis, C.*; 林 伸彦; 澤 雄生*; 横山 毅人*; May, U.*; 田仲 由喜夫*; Sigrist, M.*
Physical Review B, 76(1), p.012501_1 - 012501_4, 2007/07
被引用回数：87 パーセンタイル：92.31(Materials Science, Multidisciplinary)常伝導金属とCePt
Siのような空間反転対称性のない超伝導体とから構成される接合系を理論的に調べた。特徴的なゼロバイアス・アノーマリーが、混成パリティの超伝導相の存在によって、特定のトンネル方向に対して現れることを明らかにした。接合面におけるアンドレーエフ束縛状態の形成がその起源である。このトンネル特性から、混成パリティの超伝導ペアリング対称性を検証することができる。
