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口頭

Characteristics of $$gamma$$-ray irradiation pentacene organic thin film field effect transistors

矢野 博明*; Cai, L.*; 平尾 敏雄; 高柳 佑太郎*; 大島 武; 西岡 泰城*

no journal, , 

近年、有機デバイスは液晶ディスプレイを始め、さまざまな分野に利用展開が考えられている。本研究では、その宇宙応用を見据え、有機デバイスの放射線影響を評価するために$$gamma$$線照射を実施した。照射線量率200Gy/hで総線量として1000Gyまでの照射を行った。放射線影響は照射前後のドレイン電流-ドレイン電流(I$$_{D}$$-V$$_{D}$$)特性を求めることで評価を行った。その結果、1000Gy照射後のI$$_{D}$$-V$$_{D}$$測定による出力電流I$$_{D}$$が未照射と比較して約10%減少すること、さらに、素子の動作電圧であるしきい値電圧が照射量の増加に伴い減少し、約600Gy程度の照射でその減少が飽和する傾向があることが見いだされた。

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