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池添 博; 生田 智彦*; 光岡 真一; 永目 諭一郎; 西中 一朗; 塚田 和明; 葛巻 剛*; J.Lu*; 大規 勤*
European Physical Journal A, 2(4), p.379 - 382, 1998/00
被引用回数:10 パーセンタイル:52.75(Physics, Nuclear)Si+
反応を使って
Sgの合成実験を行った。実験はタンデム加速器からの158MeV
Siビームを
Uターゲットに照射し、反応生成核を反跳生成核分離装置を使って測定した。
崩壊は見られなかったが、自発核分裂イベントが2個見つかった。その寿命は54
秒で生成断面積は180
ピコバーンであった。この自発核分裂は新アイソトープ
Sgのものである可能性が高い。