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論文

光ファイバの耐放射線性,X

角田恒巳; 荒克之; 社本尚樹*; 真田和夫*; 稲田浩一*

DEI-91-124, p.27 - 34, 1991/12

GI形光ファイバは、高い入射効率と優れた伝送特性を合わせ持ち実用性の高いものであるが、コアにドーパントを含むため、SI形やSM形などに比べ耐放射線に劣る面があった。そこで、GeO $_{2}$ -SiO $_{2}$ コアのGI形光ファイバの耐放射線性の改善を目的に、特に塩素(Cl)不純物の影響を調べた。その結果、耐放射線性に関連するフォトブリーチング効果に、Cl量の強い依存性が認められ、最適なCl含有量が10~100ppmであることがわかった。

論文

光ファイバの耐放射線特性,VIII

角田恒巳; 荒克之; 若山直昭; 真田和夫*; 稲田浩一*; 社本尚樹*

EIM-89-133, p.29 - 36, 1989/12

光ファイバに高線量の放射線を照射すると、紫外域のみならず、~1m以上の長波長帯においても大きな損失増加を生ずる。この長波長帯における損失増加の原因を調べるため、同一種のファイバにH $_{2}$ やHeを拡散し、照射試験を行なった。その結果、ファイバ内に拡散したH $_{2}$ は、放射線により容易に活性化され、Ge-OHとして吸収ピークを現すことが判った。また、He拡散の効果は、高線量下でファイバ内に生成するOHを抑制することが判った。

論文

光ファィバの耐放射線特性,(V)

角田恒巳; 荒克之; 若山直昭; 真田和夫*; 福田長*; 稲田浩一*; 未松達也*; 八橋元治*

EIM-87-1, p.1 - 9, 1987/00

信号伝送の帯域や損失など特性の優れているGI型光ファイバの耐放射線性を改善するため、それぞれドーパントの異なるファイバを試作し、検討を行なった。試作したファイバは、1):B $_{2}$ O $_{3}$ -FをドーパントとしMCVD法による作製のもの、2):Fをドーパントとしプラズマ法による作製のもの、3):GeO $_{2}$ ドーパントのVAD法による作製のものの3種である。 Co-60による照射試験の結果、B $_{2}$ O $_{3}$ -Fドープファイバが最も良好な耐放射線性を示した。1MRにおける損失増加は約35dB/km(0.85m)であり、従来のGI型ファイバを数桁上廻っており、現在最も耐放射線の良いと言われる純粋石英コアのSI型ファイバのレベルに近づけることが出来た。

口頭

Comparison of initial oxidation kinetics between p- and n-type Si(001) surfaces studied by real-time photoelectron spectroscopy

堰端勇樹*; 小川修一*; 吉越章隆; 多賀稜*; 石塚眞治*; 高桑雄二*

no journal, ,

本研究では、p型およびn型Si表面の酸化キネティクスの違いをリアルタイム光電子分光によって明らかにした。室温では、n型Si(001)の酸化速度定数がp型より大きい。n型Si(10)表面の仕事関数は負であったが、p型では正であった。このことから、酸素原子は、Si-O結合において負電荷を持つので、酸素はn型Si(001)では表面に配置する。一方、p型の場合はサブサーフェイスに潜ると結論した。n型Si(001)基板は、多くの電子を有するため電子は表面に染み出す。その結果、酸化反応がn型Si(001)表面において促進される。これらの結果から、酸化キネティクスの違いは電導度に依存することが分かった。