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角田 恒巳; 荒 克之; 社本 尚樹*; 真田 和夫*; 稲田 浩一*
DEI-91-124, p.27 - 34, 1991/12
GI形光ファイバは、高い入射効率と優れた伝送特性を合わせ持ち実用性の高いものであるが、コアにドーパントを含むため、SI形やSM形などに比べ耐放射線に劣る面があった。そこで、GeO-SiO
コアのGI形光ファイバの耐放射線性の改善を目的に、特に塩素(Cl)不純物の影響を調べた。その結果、耐放射線性に関連するフォトブリーチング効果に、Cl量の強い依存性が認められ、最適なCl含有量が10~100ppmであることがわかった。
森田 洋右; 川上 和市郎
EIM-87-11, p.87 - 98, 1986/00
光ファイバを放射線環境下で実際に使用するには、照射による伝送損失増加について長時間照射における増失増加、及び、これをもとにした定量的な検討が必要である。本報告はGeドープ光ファイバ、及び耐放射線性の優れているとされる低OH、高OH純石英コア光ファイバについて、室温、110
R/hにて1200時間(120MR)の照射を行い、「in situ」で照射損失を600~1600nm範囲で測定した。この結果、特に純石英コア光ファイバについて、従来、ほとんど研究されていなかった1300~1600nm帯の照射損失増加挙動を明らかにするとともに、得られた知見にもとづいて照射損失増加量を表わす実験式を導いた。この式の係数を求めることにより、所定環境での任意の線量および線量率における光ファイバの損失増加量を推定できると考えられた。
平尾 敏雄; 森田 洋右; 川上 和市郎
EIM-87-12, p.99 - 109, 1986/00
光ファイバが放射線環境下で使用される場合、放射線と熱との複合劣化環境下で用いられるのが通常である。しかしながら、光ファイバの照射損失増加における温度の影響を「in situ」で長時間にわたり研究した例はきわめて少ない。本報告では、低OH及び高OH純石英コア光ファイバ、シングルモードファイバを用い、線量率410
R/h、照射温度-20
C,25
C,65
C,100
C一定として、500~1000時間の照射を行いながら光ファイバの伝達損失増加量を測定した。この結果照射による損失増加はいずれの照射温度においても短波長(600~900nm)側及び長波長(1300~1600)nm側で顕著に認められ、そして25
C以上の照射では、特に長波長側の損失が増大するが、-20
Cの低温照射では短波長側に大きな損失増加が認められるなど、光ファイバの照射効果に及ぼす温度の影響を明らかにした。
森田 洋右; 瀬口 忠男; 森 達雄*; 宮地 雄二*
EIM-85-138, p.57 - 65, 1985/00
人工衛星用として開発された光ファイバについて、この耐放射線性をCo-
線を用い1
10
rad/h,3
10
rad/h,1
10
rad/hの比較的低い線量率で1000時間の長期間にわたり照射しながら伝送損失増加量を調べた。その結果、照射した光ファイバの伝送損失増加量は1
10
rad/hで累積線量1
10
radで約13dB/kmとなり、すでに求められている1
10
rad/hで1
10
radの損失増加量600dB/kmに比べ約1/50となった。実験結果から計算により、宇宙環境により近い100rad/h
10000hの損失増加量を求めた。また、室温付近での照射時の温度変化による損失量の変化を求め、この値が照射のない場合にくらべ100倍も大きいことを明らかにした。