Transport critical current density in a BiPbSrCaCuO ceramic

白石 健介; 坂本 宏*; 弥野 光一*; 乙黒 靖男*

Japanese Journal of Applied Physics, 31(1A-B), p.L17 - L20, 1992/01

https://doi.org/10.1143/JJAP.31.L17

焼結したBiPbSrCaCuOペレットの臨界電流密度を直接通電法によって、90Kから20Kの範囲の温度の関数として、1.0Tまでの磁場中で測定した。零磁場では、77Kで1.9MA・mであった臨界電流密度は、温度の降下に対してほぼ直接的に増加し、50Kで9.4MA・mになる。さらに温度を下げると臨界電流密度の上昇の割合はやや低下するが、20Kでは11.8M・mになる。温度を20Kに保って、1.0Tの磁場中で測定した後、この温度で磁場をかけないで測定すると臨界電流密度は8.6MA・mに低下する。零磁場で温度を上げていくと、低温で1.0Tの磁場をかけた効果は徐々に回復し、70Kでほぼ元の値になる。なお、70K以上の温度で磁場をかけて臨界電流密度を測定しても、それは零磁場で測定する臨界電流密度に影響を及ぼさない。