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口頭

金薄膜/希硫酸水溶液界面の中性子反射率解析

水沢まり*; 桜井健次*; 山崎大; 武田全康

no journal, ,

電気二重層は電極と電解質の界面に常に存在して電極反応の進行に影響を及ぼすとされ、その構造は電極の表面モフォロジーと密接な関係がある。本研究では、電極/電解質界面モデルとして金薄膜/希硫酸を用い、中性子反射率法により構造評価を行った。シリコン(100)ウエハー上(30mm30mm、厚さ2mm)上にクロムおよび金を各々25nm程度スパッタにより堆積させた電極モデル試料を0.005mol/l硫酸に浸漬し、中性子反射率を測定した。実験はJ-PARC/MLFの中性子反射率(BL17)で行い、硫酸溶液浸漬後も反射率の強度振動周期に変化がないが、0.5 q $_{z} <$ 1.5nm $^{-1}$ の近傍の反射強度がやや強くなっている結果が得られ、金と硫酸溶液との界面に散乱長密度の高い層が、厚さ0.51nm程度存在していると考えられる。