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論文

静電加速による350keV,0.2A,1s水素負イオンビームの生成

渡邊 和弘; 花田 磨砂也; 井上 多加志; 前野 修一*; 宮本 賢治*; 水野 誠; 小原 祥裕; 奥村 義和

EP-93-48, p.11 - 19, 1993/08

引き出し及び2段の静電型加速電極をもつ、高エネルギー負イオン源において、350keV,0.2A,1秒の世界最高レベルの水素負イオンの加速に成功した。電極は直径14mm$$Phi$$の円孔9個を有する多孔電極である。加速された負イオンビームの平均電流密度は14mA/cm$$^{2}$$以上であり、JT-60負イオンNBI用イオン源の設計値に近い値である。ビームの集束性も良く、目標値である5mrad以下である。また、電極の熱負荷の主原因は、負イオンの加速途中でのガス分子との衝突反応により生成される電子、イオン、中性粒子等の入射であることが明らかになり、負イオンの直接入射は、数%以下で極めて小さいことが判明した。

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