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馬場 祐治; 吉井 賢資; 佐々木 貞吉
Photon Factory Activity Report, (14), P. 424, 1996/00
銅単結晶表面に四塩化炭素を種々の厚みで吸着させ、塩素1s電子を放射光軟X線で光励起した時の脱離イオンを測定した。単層吸着では、脱離イオン種はClのみであり、これはCl 1s
共鳴励起後のスペクテータオージェ遷移に伴う速いC-Cl結合解離に寄因する。一方、多層吸着の場合は、CCl
など重い分子イオン種の脱離も起こり、これはオージェ遷移後の二次電子の効果によることを明らかにした。
馬場 祐治; 吉井 賢資; 佐々木 貞吉
Photon Factory Activity Report, (14), P. 426, 1996/00
銅単結晶表面に凝縮したジメチルジスルフィドに対し、放射光軟X線によりS1s共鳴励起を行うことによりS-S及びS-C結合部を選択的に切断できることを見出した。オージェ電子スペクトルの測定により、この選択的な結合切断は、S-S及びS-C結合部の反結合性
軌道に局在した電子(スペクテータ電子)の効果によることを明らかにした。