検索対象:     
報告書番号:
※ 半角英数字
 年 ~ 
 年
検索結果: 45 件中 1件目~20件目を表示

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

使用言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

選択した検索結果をダウンロード

論文

Electronic structure of Li$$^{+}$$@C$$_{60}$$; Photoelectron spectroscopy of the Li$$^{+}$$@C$$_{60}$$[PF$$_{6}$$$$^{-}$$] salt and STM of the single Li$$^{+}$$@C$$_{60}$$ molecules on Cu(111)

山田 洋一*; Kuklin, A. V.*; 佐藤 翔*; 江坂 文孝; 角 直也*; Zhang, C.*; 佐々木 正洋*; Kwon, E.*; 笠間 泰彦*; Avramov, P. V.*; et al.

Carbon, 133, p.23 - 30, 2018/07

 被引用回数:3 パーセンタイル:37.99(Chemistry, Physical)

本研究では、超高真空中で高純度Li$$^{+}$$@C$$_{60}$$[PF$$_{6}$$$$^{-}$$]塩の蒸発によってLi$$^{+}$$イオン内包フラーレンを調製し、走査型トンネル顕微鏡(STM)により明瞭に観察することに成功した。また、STM観察に先立って、光電子分光およびX線吸収分光などにより測定したところ、Liは正、PF$$_{6}$$は負のチャージを帯びており、C$$_{60}$$は中性であることが明らかとなった。

論文

In situ synchrotron radiation photoemission study of ultrathin surface oxides of Ge(111)-c(2$$times$$8) induced by supersonic O$$_{2}$$ beams

岡田 隆太; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*

Applied Physics Express, 8(2), p.025701_1 - 025701_4, 2015/02

 被引用回数:3 パーセンタイル:82.25(Physics, Applied)

並進運動エネルギーが26meVから2.3eVの範囲の酸素分子によるのGe(111)-c(2$$times$$8)表面の室温酸化を研究した。酸化中のその場放射光光電子分光を行い、調べた全てのビームエネルギーに関しておおよそ0.52MLに対応する酸化膜で覆われることがわかった。加えて、表面酸化物の状態は、並進エネルギーに依存することがわかった。これらの結果は、Ge(111)-c(2$$times$$8)の極薄表面酸化物の精密制御を示している。

論文

${{it In situ}}$ synchrotron radiation photoelectron spectroscopy study of the oxidation of the Ge(100)-2$$times$$1 surface by supersonic molecular oxygen beams

吉越 章隆; 寺岡 有殿; 岡田 隆太; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*

Journal of Chemical Physics, 141(17), p.174708_1 - 174708_7, 2014/11

 被引用回数:5 パーセンタイル:75.08(Chemistry, Physical)

酸素分子の並進エネルギーを2.2eVまで変えた時のGe(100)2$$times$$1表面の飽和酸化まで表面状態をその場放射光光電子で調べた。飽和吸着酸素量が1モノレイヤー以下であり、Si表面酸化と大きく異なり酸化数が+2までであることが分かった。直接活性化吸着によるGe$$^{2+}$$成分の増加を伴う吸着量の促進を観測した。本研究は室温における酸素吸着プロセスの基礎的理解に貢献する。

論文

Preferential adsorption of C$$_{60}$$ molecules to step edges of the Si(110)-16$$times$$2 single domain surface

横山 有太; 山田 洋一*; 朝岡 秀人; 佐々木 正洋*

Journal of Physics; Conference Series, 417, p.012036_1 - 012036_6, 2013/03

 パーセンタイル:100

Si(110)表面は、16$$times$$2構造という非常に特異な再構成表面を形成する。16$$times$$2構造は、単原子高さのステップがおよそ5nmの間隔で交互に並んだ凹凸構造をしており、低次元ナノ構造創成のテンプレート表面として最適である。しかし、構造をよく制御したナノ構造創成はこれまで実現されていない。本研究では、Si表面温度をさまざまに変化させながらC$$_{60}$$分子を真空蒸着し、吸着形態の変化を走査トンネル顕微鏡(STM)を用いて計測した。その結果、表面温度によってC$$_{60}$$分子の吸着しやすいサイトが変化することが明らかとなった。これは表面温度の制御によりC$$_{60}$$分子の吸着位置が制御可能であることを示しており、任意の位置での低次元ナノ構造創成につながる成果であるといえる。

論文

One-dimentional nanotemplate structure of a Si(110) substrate

横山 有太; 朝岡 秀人; Sinsarp, A.*; 佐々木 正洋*

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Internet), 10, p.509 - 512, 2012/09

Si(110)-16$$times$$2再構成表面は、規則的な凹凸が非常に広範囲に渡って続く特異な1次元構造を有するため、低次元ナノ構造創製のテンプレート表面としての応用が期待される。本研究では、表面温度や蒸着量を制御しながらGeを真空蒸着することで、Geのクラスター化やナノドット化の様子を走査トンネル顕微鏡を用いて計測した。その結果、表面温度を上げるとGeのクラスターサイズが大きくなり、600$$^{circ}$$C以上で加熱することでGeナノドットが形成された。また、ナノドットが形成されることで基板の構造が変化しており、基板にひずみが生じている可能性がある。今後基板のストレス計測などを行い、ナノドット形成過程をより詳細に検討する。

論文

Ordering of C$$_{60}$$ on one-dimensional template of single-domain Ge(110)-16$$times$$2 and Si(110)-16$$times$$2 surfaces

横山 有太; Sinsarp, A.*; 山田 洋一*; 朝岡 秀人; 佐々木 正洋*

Applied Physics Express, 5(2), p.025203_1 - 025203_3, 2012/02

 被引用回数:1 パーセンタイル:93.54(Physics, Applied)

Ge(110)-16$$times$$2及びSi(110)-16$$times$$2単一ドメイン表面をテンプレートとすることで、C$$_{60}$$分子の1次元的な規則配列構造の作製を行った。Ge(110)-16$$times$$2表面では、室温においてもC$$_{60}$$分子の拡散が起こり、C$$_{60}$$分子はステップ端に選択的に吸着し、規則的なナノワイヤー構造を形成した。一方、Si(110)-16$$times$$2表面では表面とC$$_{60}$$分子の相互作用が強いため、室温ではあまり表面拡散が起こらず、ランダムに吸着した。この結果は、Ge(110)-16$$times$$2表面をテンプレートとすることで、原子・分子のナノワイヤー構造が作製できる可能性を示唆するものである。

口頭

高レベル放射性廃棄物からのラドンの線量評価

吉澤 勇二*; 甲斐 倫明*; 大越 実; 加藤 智子; 山口 徹治; 佐々木 隆之*; 服部 隆利*; 宮崎 振一郎*; 樋口 奈津子*; 床次 眞司*; et al.

no journal, , 

高レベル放射性廃棄物の地層処分において、遠い将来に放射性核種が生物圏に移行してきたときの一般公衆に対する線量評価の中で、U-238, U-234及びPu-238を親核種とする崩壊系列の放射性核種の被ばくに対して、ラドンを考慮した場合の線量への影響に関する評価結果を示す。

口頭

Si(110)-16$$times$$2単一ドメイン表面上の有機分子薄膜形成

横山 有太*; 山田 洋一*; 朝岡 秀人; 佐々木 正洋*

no journal, , 

Si(110)表面は16$$times$$2構造という特異な一次元的長周期再構成構造を有し、表面準備条件を最適化することで非常に広範囲に渡る単一ドメインを実現することができる。この表面の優れた一次元性はナノワイヤ等のテンプレートとしての利用が期待されるが、そのようなナノ構造創成は未だ実現されていない。本研究では、この表面に有機分子を蒸着することで低次元ナノ構造の創成を目指し、各種分子の吸着形態をLEED及びSTM/STSにより計測した。その結果、低被覆率においては、有機分子は16$$times$$2構造の幾何的に高い部分へやや優先的に吸着することがわかった。しかし高被覆率では、表面全体へ吸着が起こり、一次元構造の形成には至らなかった。一方で、このように形成された単分子膜は基板構造を反映した一次元の凹凸構造を有することがわかった。この凹凸は単分子膜に一軸歪を生じさせ、膜の電子状態が異方性を示す可能性がある。

口頭

Organic monolayers on the Si(110)-16$$times$$2 single domain surface

横山 有太*; 山田 洋一*; 朝岡 秀人; 佐々木 正洋*

no journal, , 

Si(110)-16$$times$$2表面は特異な1次元長周期再構成構造を有するため、低次元ナノ構造作製のテンプレート表面としての応用が期待される。本研究では、この表面上に各種有機分子を蒸着し、吸着形態や薄膜構造をLEED及びSTMを用いて測定した。その結果、低被覆率領域においては、有機分子は幾何的に高い列付近へ優先的に吸着することがわかった。一方高被覆率では、基板の構造を反映したアモルファス膜が形成された。これらの結果から、低被覆率領域における有機分子の選択吸着をより効率的に制御することができれば、本表面をテンプレートとした低次元ナノ構造作製が可能であると考えられる。

口頭

Ge(110)-6$$times$$2及びSi(110)-6$$times$$2単一ドメイン表面をテンプレートとした分子ナノワイヤー作製

山田 洋一*; Sinsarp, A.*; 横山 有太; 朝岡 秀人; 佐々木 正洋*

no journal, , 

Si(110)及びGe(110)表面は16$$times$$2構造と呼ばれる特異な擬一次元表面再構成構造を有する。特に16$$times$$2構造の単一ドメインは、非常に均一な一次元性を有するため、ナノワイヤー作製のテンプレートとしての利用が期待されている。本研究では、Si(110)-16$$times$$2及びGe(110)-16$$times$$2の単一ドメインを作製することに成功した。さらに、Ge(110)-16$$times$$2単一ドメイン表面において、$$^{60}$$C分子のナノワイヤー作製に成功した。

口頭

超音速酸素分子線によるGe(111)-c(2$$times$$8)表面の室温酸化の促進

岡田 隆太; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*

no journal, , 

次世代デバイス材料としてSiよりも移動度などで優れた物性を有するGeが期待されている。Geを電界効果トランジスタ(FET)に応用するためには、Ge酸化膜の制御が不可欠である。またデバイスでは、さまざまな結晶面上のGe酸化膜が考えられる。本研究によってGeの代表的な低指数面である(111)の室温酸化反応に対して、超音速酸素分子線によって、バックフィリングより酸化が進むことが放射光XPSによるその場観測から明らかになった。本研究で観測されたGeのXPSスペクトルの比較から、超音速酸素分子線による酸化はバックフィリング酸化よりも、高配位の酸化成分を持つことが明らかになった。本研究は、高品質なGe酸化膜を形成する応用上重要な基礎的知見となる。

口頭

超音速酸素分子線により形成されるGe(100)-2$$times$$1表面の酸化状態

吉越 章隆; 寺岡 有殿; 岡田 隆太; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*

no journal, , 

次世代デバイス材料としてSiよりも優れた移動度を有するGeが期待されている。Geを電界効果トランジスタ(FET)材料に応用するためには、極薄酸化膜をよく制御した表面の作製が不可欠である。本研究では、Ge(100)単結晶表面の室温における酸化反応を放射光XPSによるその場計測によって調べた。特に超音速酸素分子線技術を用いることで、入射酸素のエネルギーと酸化反応との関連を詳細に検討した。この結果、入射酸素分子線のエネルギーの増加とともにGeの高酸化数のGeの割合が多くなることがわかった。本研究は、高品質なGe酸化膜を実現するうえで重要な基礎的知見となる。

口頭

超音速酸素分子線によるGe(100)及び(111)表面の室温酸化の促進

岡田 隆太; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 神農 宗徹*; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*

no journal, , 

次世代デバイス材料としてSiよりも移動度などで優れた物性を有するGeが期待されている。Geを電界効果トランジスタ(FET)に応用するためには、Ge酸化膜の制御が不可欠である。またデバイスではさまざまな結晶面上のGe酸化膜が考えられる。本研究によってGeの代表的な低指数面である(100)及び(111)の室温酸化反応に対して、超音速酸素分子線によって、バックフィリングより酸化が進むことが放射光XPSによるその場観測から明らかになった。本研究で観測されたGeのXPSスペクトルの比較から、超音速酸素分子線による酸化はバックフィリング酸化よりも、Geの酸化成分が増加する明らかになった。本研究は高品質なGe酸化膜を形成する応用上重要な基礎的知見となる。

口頭

Enhancement of surface oxidation on Ge(111)-c(2$$times$$8) caused by supersonic O$$_2$$ beam

岡田 隆太; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 神農 宗徹*; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*

no journal, , 

次世代FET材料としてSiよりも移動度などで優れた物性を有するGeが注目されている。また、FETの応用技術としてさまざまな結晶面方位が利用されることが想定されている。Geを用いたFETを実用化するには、Ge酸化膜の特性を理解することが不可欠である。本研究の目的の一つは、Ge酸化膜の特性の一つである酸化状態を超音速酸素分子線によって制御することである。われわれはGe(100)-2$$times$$1表面において並進運動エネルギーが高い超音速酸素分子線によって、室温酸化反応が促進されることを報告している。本実験では、Geの代表的な低指数面である(111)-c(2$$times$$8)表面上の酸化膜に注目した。表面構造に由来する(100)とは異なる酸化状態を形成できることが期待されるので、高分解能放射光XPSによってバックフィリング及び超音速酸素分子線によるGe室温酸化膜を分析した。実験の結果、高エネルギーの超音速酸素分子線によって形成したGe(111)酸化膜には、(100)表面上では形成されなかったGe$$^3$$$$^+$$成分が明瞭に観測された。これはGe酸化膜を形成する際に面方位によって酸化状態に変化が起きることを示している。この発見はGe単結晶表面の酸化状態の制御に重要な基礎的知見を与える。

口頭

Analysis of oxide layer on Ge(100)-2$$times$$1 formed by supersonic O$$_2$$ beam

吉越 章隆; 岡田 隆太; 寺岡 有殿; 神農 宗徹*; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*

no journal, , 

Si系LSIの高性能化に対して移動度の優れたGe材料の導入が有望視され、Ge単結晶表面の酸化膜の形成機構及び安定性の研究が活発化している。Ge酸化において、酸化を誘起する酸素分子の並進運動エネルギーは、酸化膜形成を理解するうえで重要な要素である。われわれは、Ge(100)表面の室温酸化において高エネルギーの超音速酸素分子線を用いることで、バックフィリング酸化よりも吸着酸素量が増加することを見いだしている。本研究では、超音速酸素分子線及びバックフィリング酸化によって形成した吸着酸素量の異なるGe(100)上の酸化膜を放射光XPSによって分析することで、酸化膜形成を理解するうえで重要なGeの酸化状態の分析を行った。Ge 3d XPSスペクトルの比較から、双方のGe酸化の価数に違いがないことがわかった。しかし、超音速酸素分子線による酸化膜では2価の酸化成分の量が増加することを確認した。これは新たなGe(100)表面への酸素の吸着を示唆している。この発見はGe(100)表面酸化膜の形成機構を理解するうえで重要な基礎的知見を与える。

口頭

超音速分子線によるGe(111)-c(2$$times$$8)表面の酸化促進効果

岡田 隆太; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 神農 宗徹*; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*

no journal, , 

次世代電界効果トランジスタ(FET)の材料として、移動度でSiよりも優れるGeが期待されている。Ge材料をFETに用いる際は、その酸化膜の制御が不可欠であり、Ge単結晶表面上の酸化膜形成に関する研究が活発化している。Ge酸化を誘起する酸素分子の持つ並進運動エネルギーは、形成される酸化膜の酸化状態を決定する重要な要素の一つである。本研究では、室温の酸素曝露及び超音速酸素分子線によってGe(111)室温酸化膜を形成し、放射光XPSによって分析し比較を行った。酸化膜のGe 3dスペクトルの比較から、超音速酸素分子線の並進運動エネルギーを高めることで酸化が促進され、Ge$$^3$$$$^+$$成分が形成されることを明らかにした。この結果は、Ge酸化膜の形成を理解するうえで重要な基礎的知見を与える。

口頭

Ge(111)-c(2$$times$$8)表面の飽和酸化膜におけるGe$$^3$$$$^+$$成分の並進運動エネルギーによる変化

岡田 隆太; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 神農 宗徹*; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*

no journal, , 

Geを用いた電界効果トランジスタの実現には、その酸化膜の制御が不可欠である。本研究の目的は、超音速酸素分子線によってGe酸化膜の酸化状態を制御することである。われわれは、高い並進運動エネルギーを持つ超音速酸素分子線によってGe(111)表面を室温酸化することで、Ge$$^3$$$$^+$$成分を形成できることを明らかにしている。これは、酸化を誘起する酸素分子の並進運動エネルギーを制御することで、Ge(111)表面室温酸化膜の酸化状態を制御できることを示唆している。本実験では、広範囲の並進運動エネルギーの酸素分子によって十分に酸化されたGe酸化膜を放射光XPSによって分析した。飽和酸化膜のGe 3dスペクトルの比較から、Ge$$^3$$$$^+$$成分の形成はエネルギー閾値を境に活性化吸着が起きることが原因であることを明らかにした。この結果は、Ge(111)表面上の酸化膜の制御するうえで重要な基礎的知見を与える。

口頭

Ge(100)-2$$times$$1表面に対する酸素分子の初期吸着確率の並進運動エネルギーによる変化

吉越 章隆; 岡田 隆太; 寺岡 有殿; 神農 宗徹*; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*

no journal, , 

Geを用いた電界効果トランジスタ等のデバイスを実用化するためには、Ge酸化膜の制御が不可欠である。Ge酸化膜の制御を行うには、酸化を誘起する酸素分子の反応ダイナミクスを詳細に理解する必要がある。本研究では、酸化反応ダイナミクスにとって重要な初期吸着確率に注目した。本実験では、Ge(100)室温表面酸化における酸素分子の並進エネルギーの変化に伴う、初期吸着確率の変化を放射光XPSによって観測した。実験の結果、超音速酸素分子線による酸化は、バックフィリング酸化よりも初期吸着確率が小さいことが明らかとなった。これは、酸素分子のトラッピング確率の減少に起因すると考えられる。一方、超音速酸素分子線の並進運動エネルギーが増加すると初期吸着確率が大きくなることから、活性化吸着が誘起されていることが明らかとなった。この結果は、Ge(100)表面上の酸化反応ダイナミクスを理解するうえで重要な基礎的知見を与える。

口頭

Ge(111)-c(2$$times$$8)室温酸化において酸素分子の並進運動エネルギーで誘起される酸化状態の放射光光電子分光分析

岡田 隆太; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 神農 宗徹*; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*

no journal, , 

Siを用いた電界効果トランジスタにおいて、Geをチャンネルに利用し高性能化を図る研究が活発化しており、その低指数面上の極薄酸化物や酸化状態の解明が求められている。本研究では、0.027eVから2.2eVまでの異なる並進運動エネルギー(E$$_k$$)を持つ超音速O$$_2$$分子線によって、特に電子移動度に優れたGe(111)表面上に室温で誘起される表面酸化状態の違いを、放射光XPSによるその場分析によって調べた。E$$_k$$の増加に伴い酸素吸着量が増加し、それに対応したGeの酸化成分が変化することがわかった。さらに、E$$_k$$が2.2eVでは、O$$_2$$ガスの曝露で形成される酸化膜とは異なるGe$$^3$$$$^+$$を含む酸化物が形成できることが明らかとなった。

口頭

O$$_2$$分子の並進運動エネルギーによるGe(111)-c(2$$times$$8)室温表面の酸化促進と生成酸化物の相関

岡田 隆太; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 神農 宗徹*; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*

no journal, , 

Ge低指数面の中で特に電子移動度の大きな(111)面は、電界効果トランジスタのチャンネル材料として有望視され、極薄酸化物とその界面及び生成物の解明が重要となっている。本研究では異なる並進運動エネルギー(E$$_k$$)のO$$_2$$分子による表面酸化物の違いを放射光XPSにより調べた。E$$_k$$の増加により酸素の吸着量が増加し、それに対応してGe酸化成分が変化することを発見した。さらに、この吸着酸素量の増加は、1.0eVにエネルギー閾値を持つ、Ge$$^3$$$$^+$$形成を促進する活性化吸着反応に起因することがわかった。

45 件中 1件目~20件目を表示