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論文

平成22年度技術士第二次試験「原子力・放射線部門」; そのポイントを探る; 選択科目の設問と解説,2

佐々木 聡; 鈴木 惣十; 中野 純一; 高松 操; 的場 一洋*; 中野 誠*; 桶谷 浩一郎*; 夏目 智弘*

原子力eye, 57(2), p.66 - 75, 2011/02

平成22年8月8日に実施された技術士第2次試験「原子力放射線部門」の筆記試験に関し、選択科目のうち「原子炉システムの設計及び建設」,「原子炉システムの運転及び保守」の問題と解答のポイントを解説した。

論文

Study of high-energy proton and electron irradiation effects on poly- and single-crystalline CuInSe$$_{2}$$ films

岡田 浩*; 夏目 聡*; 若原 昭浩*; 吉田 明*; 大島 武; 神谷 富裕

Proceedings of 6th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application (RASEDA-6), p.147 - 150, 2004/10

カルコパイライト系の薄膜太陽電池の放射線劣化機構解明のために真空蒸着法やRFスパッタ法で作製した多結晶や単結晶CuInSe$$_{2}$$薄膜の陽子線及び電子線照射効果を調べた。加速エネルギー380keVの陽子線,2MeVの電子線を室温にてCuInSe$$_{2}$$薄膜へ照射した。その結果、陽子線,電子線ともに照射量の増加とともに電気抵抗が上昇した。抵抗上昇の温度依存性を測定し、比較したところ、電子線照射の場合、1$$times$$10$$^{17}$$/cm$$^{2}$$以下の照射では結晶粒界を越えて電流が流れるための活性化エネルギーが33meV減少したのに比べ、2$$times$$10$$^{17}$$/cm$$^{2}$$照射では53meVとなった。同様の変化は陽子線照射においても観測され、5$$times$$10$$^{16}$$/cm$$^{2}$$の照射により9.7meV低下することが見いだされた。

口頭

Electrical properties of radiation-damaged CuInSe$$_{2}$$ thin films

吉田 明*; 夏目 聡*; Lee, H.-S.*; 岡田 浩*; 若原 昭浩*; 大島 武; 伊藤 久義

no journal, , 

次世代の宇宙用高効率薄膜太陽電池への応用が期待されるCuInSe$$_{2}$$(CIS)半導体へ電子線を照射し電気特性の変化を調べた。RFスパッタ法で作製した多結晶n型CISをCu$${2}$$Se$${3}$$とともに550$$^{circ}$$Cで熱処理することでp型CISを作製し、室温で2MeV電子線を1$$times$$10$$^{15}$$$$sim$$2$$times$$10$$^{17}$$/cm$$^{2}$$の範囲で照射した。照射した試料の電気抵抗を室温で測定したところ、電子線照射量が1$$times$$10$$^{16}$$/cm$$^{2}$$まではほとんど変化はないが、それ以上の電子線照射量では急激に抵抗値が増加し、2$$times$$10$$^{17}$$/cm$$^{2}$$照射後には未照射試料の1000倍にも達することが判明した。さらに、電流-電圧特性の温度依存性を結晶粒界モデルを用いて解析した結果、電子線照射量の増加とともにCIS結晶粒界の障壁高さエネルギーが増加することが明らかとなった。これより、本研究で得られた電子線照射よる電気抵抗の増大は、結晶粒界に多量に生成されたキャリア捕獲中心に起因すると考えられる。

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