近接場光リソグラフィ生成7600本/mm多層膜回折格子の1keV領域における回折効率評価

小池 雅人; 川添 忠*; 今園 孝志; 宮内 真二*; 佐野 一雄*; 大津 元一*

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数keVの軟X線域での分光計測の必要性が高まっている。従来の回折格子は、格子定数が数百nm以上あり分散が小さいためkeV領域では実用的な分解能を期待できない。このため、本研究では最近開発された近接場光リソグラフィー装置を用いて数keVの軟X線域用の高刻線密度(7600本/mm)ラミナー型回折格子(格子定数:132nm)を製作した。この方式の利点は上述の高刻線密度回折格子を実用的サイズである5mm角で製作可能なほか、ゾーンプレートのように不等間隔で湾曲した格子溝を数メートルの凹面基板上に製作が可能であることなど、拡張性に富んでいる点にある。次に、数keV領域で高い反射率を呈するMo/SiO多層膜(膜周期:約5nm,30対)を回折格子面上に蒸着した。製作した多層膜回折格子の回折効率を0.8-1,7keV領域で立命館大学SRセンターBL-11(軟X線光学素子評価装置)を用いて測定した。その結果、数度程度の比較的大きな斜入射角において2%以上の高い回折効率が得られたほか、回折効率カーブのバンド幅は測定エネルギーの10%程度あった。このことはCCDなどのイメージング装置を用いた同時分光測定への応用の可能性があることを示唆している。