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梅田 尚孝; Grisham, L. R.*; 山本 巧; 栗山 正明; 河合 視己人; 大賀 徳道; 藻垣 和彦; 秋野 昇; 山崎 晴幸*; 薄井 勝富; et al.
Nuclear Fusion, 43(7), p.522 - 526, 2003/07
被引用回数：39 パーセンタイル：73.93(Physics, Fluids & Plasmas)JT-60用負イオンNBIはプラズマ加熱と電流駆動を目的として設計され1996年より運転を行っている。目標性能はビームエネルギー500keV,入射パワー10MW,パルス幅10秒の中性粒子ビームをプラズマに入射することである。今まで、パルス幅はポートリミタの過大な熱負荷のために5.3秒に制限されていた。3.5mの位置での負イオンビームの分布を計測することによって、電極セグメント端部のビームが外側へ偏向していることが明らかになった。引出部下流における凹みによる電界の不整が原因であった。これを改善することによって、端部のビームの偏向を14mradから4mradまで減少させた。この結果、定格の10秒入射をビームエネルギー355keV,入射パワー2.6MWで達成した。
渡邊 和弘; 雨宮 亨*; 花田 磨砂也; 伊賀 尚*; 今井 剛; 井上 多加志; 柏木 美恵子; 栗山 正明; 森下 卓俊; 奥村 義和; et al.
Review of Scientific Instruments, 73(2), p.1090 - 1092, 2002/02
被引用回数：18 パーセンタイル：65.76(Instruments & Instrumentation)ITER用の中性粒子入射装置(NBI)には、1MeV,40Aでパルス幅1000秒以上の大出力負イオン源が要求されており、その設計を完了した。負イオン生成部は原研独自のカマボコ型負イオン源の特徴を生かした構造であり、負イオン加速部には5段の静電加速方式を採用した。負イオンは60cm
160cmの領域に配置した直径14mmの円孔1300個から引き出され加速される。大面積から引き出されたビームを効率良く入射させるため、電極の傾斜や孔軸変位,電界修正電極等の効果を利用して入射ポートに収束する工夫を施している。負イオン源の設計に際しては、負イオンのMeV加速試験,高電流密度生成,負イオンビーム光学最適化等を実施した。これまでに、新たに開発した真空絶縁方式の加速器でも970keV,37mAの負イオン加速に成功し本方式の有効性を示した。また、負イオン生成では目標を上回る0.1Paの極めて低い動作ガス圧力で31mA/cm
の高電流密度を達成した。これらによって、ITER-NBI実現の見通しを示した。
横堀 寿光*; 加治 芳行; 栗山 卓*; 横堀 武夫*
日本機械学会論文集,A, 57(542), p.2349 - 2354, 1991/10
本研究では、高温疲労条件に応力一定保持時間が重畳された時のき裂成長速度特性とき裂先端近傍の損傷領域成長過程を調べ、これに及ぼす応力保持時間効果の力学的効果を検討し、繰返し速度効果と比較した。その結果、応力保持時間の効果は、損傷領域を相似的に大きくし、疲労の効果にクリープ効果を線形和的に加えるもので、疲労効果、クリープ効果をimplicitな形で同時に含む高温疲労条件の応力上昇過程、下降過程とは機械的に異なることがわかった。
横堀 寿光*; 加治 芳行; 栗山 卓*; 横堀 武夫*
日本機械学会論文集,A, 54(503), p.1304 - 1311, 1988/07
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C、1.3mPaの高温真空中で、SUS304ステンレス鋼を用いて疲労き裂成長速度の応力繰返し速度特性を1Hz~0.0017Hzの3オーダの範囲にわたって実験を行い、明らかにした。またき裂先端近傍の損傷領域成長挙動を本試験機に装着された100倍率の高温顕微鏡によって連続観察した。さらにクリープ実験についても同様の実験を行った。以上の結果から、応力上昇、下降過程によるき裂成長機構が、クリープき裂成長機構とは異なった特性を示すことをき裂成長速度および損傷領域成長挙動の繰返し速度特性から証明し、き裂先端近傍の損傷領域がき裂成長挙動に大きな影響を与えることを明らかにした。
藤村 卓; 早川 直宏; 栗山 将
J.Appl.Polym.Sci., 25, p.4085 - 4092, 1982/00
ポリエチレンの真空中における大線量照射の効果を、2回照射の方法で検討した。ポリエチレンをまず真空中、298°Kで数百Mrd、
線照射した。生成したラジカルを消した後、化学的、物理的に変化したポリマーを真空中77°Kで再度12.7Mrd照射した。2回目の照射で生成したラジカルの熱処理による減衰を検討した。照射された試料中には多数の二重結合が生成される。この二重結合と2回目の照射によって生成したアルキルラジカルが反応してアリルラジカルが生成される。このアリルラジカルは真空中、298°Kでアルキルラジカルよりもはるかに安定である。大線量照射により生成した架橋はポリエチレンをより堅くする。この堅さはラジカルの減衰を遅くする。これらの結果から、照射されたポリエチレンにおけるラジカルの蓄積速度は、照射線量が増すに従って、増加することが示唆された。
藤村 卓; 早川 直宏; 栗山 将
J.Appl.Polym.Sci., 27, p.4093 - 4100, 1982/00
被引用回数：8 パーセンタイル：48.11(Polymer Science)ポリエチレン(PE)に対する空気中での大線量照射効果を、2回、放射線照射を行なうやり方で検討した。まずPEに空気中298°Kで線を2~300Mrad照射した。生成したラジカルを消滅させ、この一回目の大線量照射によって化学的及び物性的に変化したPEに、今度は真空中77°Kで12.7Mrad、線を照射した。この二回目の照射で生成したラジカルが試料を熱処理することにより減衰する挙動を調べた。この結果を、一回目の大線量照射をせず二回目の照射のみを行った試料におけるラジカルの減衰挙動と比較した。また本研究での結果を、先に報告した真空中で大線量照射し本研究と同様の手法で解析した結果とも比較した。その結果、空気中大線量照射によってPEが酸化され、これによってPEの主鎖が切断される。この主鎖切断によって2回目の照射によってできたラジカルの減衰は速くなる。また、真空中大線量照射と同じ位の量の二重結合が、空気中大線量照射によって生成することが明らかとなった。
藤村 卓; 荒川 和夫; 早川 直宏; 栗山 将
Polymer, 27, p.2475 - 2482, 1982/00
耐放射線性を付与することが知られている、添加剤を低密度ポリエチレンに添加すると、ポリエチレンに生成するラジカルの収率が減少することが明らかになった。この結果は、放射線照射によりポリエチレンに与えられたエネルギーの一部が芳香環を持つ添加剤に移行し、(エネルギー移動)安定化した為であると考えられる。またこの添加剤はラジカルの減衰速度を増大させることも解った。ラジカルの生成が抑えられ、また減衰が加速される為に、添加剤を含む糸では、放射線照射により発生する気体の量が減少し、また放射線による架橋も抑えられることが判明した。エチレン-プロピレン共重合体の場合も、低密度ポリエチレンと同様な結果が得られた。
藤村 卓; 早川 直宏; 栗山 将
J.Polym.Sci.,Polym.Phys.Ed., 16(5), p.945 - 948, 1978/05
真空中で放射線照射したポリエチレンに生ずるアリルラジカルの存在領域について、ポリエチレン単結晶試料を用いて、ESRにより検討した。77°kで放射線照射したポリエチレンに生成するラジカルはアルキルラジカルであるが、室音真空中で熱処理するとアリルラジカルに転換する。すべてのラジカルをアリルラジカルに転換すると、スペクトルは明瞭な異方性を示した。この試料を60C真空中で熱処理をしてもアリルラジカルのスペクトルの線型は変化しなかった。これに対し、60度で熱処理した試料をさらに室温真空中で4ヶ月放置すると、スペクトルがシャープとなった。これらの実験事実から、アリルラジカルはポリエチレンの結晶の表面、結晶のコア部分の量領域に存在すると結論した。
