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論文

Electronic structure in heavy fermion compound UPd$$_2$$Al$$_3$$ through directional Compton profile measurement

小泉 昭久*; 久保 康則*; 山本 悦嗣; 芳賀 芳範; 櫻井 吉晴*

Journal of the Physical Society of Japan, 88(3), p.034714_1 - 034714_6, 2019/03

 パーセンタイル:100(Physics, Multidisciplinary)

Directional Compton profiles of a heavy fermion compound UPd$$_2$$Al$$_3$$ are measured in the basal plane of the hexagonal lattice. A remarkable change of the two-dimensional electron occupation number densities has been observed between 20 K and 100 K. Obtained results are attributed to the modification of the 5$$f$$ electronic states.

論文

Magnetic Compton scattering studies of magneto-dielectric Ba(Co$$_{0.85}$$Mn$$_{0.15}$$)O$$_{3-delta}$$

篠田 遼一*; 伊藤 真義*; 櫻井 吉晴*; 山本 博之; 平尾 法恵; 馬場 祐治; 岩瀬 彰宏*; 松井 利之*

Journal of Applied Physics, 113(17), p.17E307_1 - 17E307_3, 2013/05

 被引用回数:6 パーセンタイル:67.17(Physics, Applied)

セラミック状のバリウム-コバルト-マンガン複合酸化物Ba(Co$$_{0.85}$$Mn$$_{0.15}$$)O$$_{3-delta}$$について、軟X線光電子分光法及び磁気コンプトン散乱測定を行い、この物質が約35Kの磁気相転移温度以下で磁性誘電体特性を示すことを見いだした。この磁気秩序の起源は、180度の角度を持つコバルト4価-酸素-マンガン4価又は、90度の角度を持つマンガン4価-酸素-マンガン4価における超交換相互作用によると考えられる。磁気コンプトン散乱のプロファイルから求めた磁気スピンモーメントの温度依存性は、磁気センサー(SQUID)測定結果の温度依存性と一致した。これは磁気モーメントがスピンモーメントによって決まることを示している。また磁気コンプトン散乱のプロファイルは、温度によらず一定であった。これらの結果から、この磁性転移は、熱によるスピンの揺らぎによって起こると結論した。

論文

Microscopic magnetization process in Tb$$_{43}$$Co$$_{57}$$ film by magnetic Compton scattering

安居院 あかね; 松本 紗也加*; 櫻井 浩*; 辻 成希*; 本間 慧*; 桜井 吉晴*; 伊藤 真義*

Applied Physics Express, 4(8), p.083002_1 - 083002_3, 2011/08

 被引用回数:10 パーセンタイル:56.54(Physics, Applied)

これまでわれわれは希土類-遷移金属合金膜についてX線磁気円二色性(XMCD)による元素・軌道別の磁化曲線(ESMH)を測定し、膜全体のマクロな磁化曲線よりも急激に変化することを報告した。また、TbCo垂直磁化膜において磁気コンプトン散乱強度の印可磁場依存性からスピン選択磁化(SSHM)曲線の測定の試みに成功し、ミクロスコピックなSSMH曲線はマクロな曲線と定性的に似た形状になることを報告している。さらに、SQUIDでのマクロスコピックな測定の結果と合わせ、スピン成分のみならず、軌道成分の磁化曲線を算出することに成功したので報告する。

口頭

Electroic states at the interface of Fe/MgO magnetic tunneling junction

櫻井 浩*; 田村 拓郎*; 倉知 俊誉*; 本間 慧*; 尾池 弘美*; 安居院 あかね; 桜井 吉晴*; 伊藤 正義*; 安達 弘通*; 河田 洋*

no journal, , 

Fe/MgO/Fe強磁性トンネル接合薄膜の界面の電子状態を、高エネルギー加速器研究機構PF-AR-NE1Aにおいて、磁気コンプトン散乱で観測した。10nm/MgO1nmの実験はSPring-8-BL08Wで測定した。磁気コンプトンプロファイルの形状に磁場依存が観測された。磁気飽和(2T)の磁気コンプトンプロファイルはFe(100)のMCPに類似していることがわかった磁化測定ではFe層が薄くなるほど磁化の減少することからFe層界面で磁化低下していることがわかった。磁気コンプトン散乱はFe層内部では(100)配向bulkのFeに近い電子状態であり、Fe層界面ではFe3dの磁化減少。Feの4s,4p電子の磁化の寄与増大していることがわかった。

口頭

TbCo合金膜におけるスピン・軌道磁気磁化曲線の元素別測定

松本 紗也加*; 安居院 あかね; 桜井 吉晴*; 伊藤 正義*; 本間 慧*; 辻 成希*; 櫻井 浩*

no journal, , 

希土類-遷移金属(Dy-Co)合金膜において、X線磁気円二色性(XMCD)による元素・軌道別の磁化曲線(ESMH)は、膜全体の磁化曲線(VSM)よりも急激に変化することが報告された。一方、Tb33Co67垂直磁化膜において磁気コンプトン散乱によるスピン選択磁化曲線は、膜全体の磁化曲線と定性的に似た形状になることが報告された。本研究では、磁気コンプトン散乱実験によるTb43Co57合金膜におけるスピン選択磁化曲線測定と磁化測定を組合せ、スピン・軌道磁気磁化曲線の元素別測定をした。解析の結果、スピンと軌道の磁化曲線は形状が異なり、さらにTbとCoの元素別の磁化曲線も形状が異なることがわかった。

口頭

TbCo合金膜におけるスピン選択ヒステリシス測定

安居院 あかね; 松本 紗也加*; 櫻井 吉晴*; 伊藤 真義*; 本間 慧*; 辻 成希*; 櫻井 浩*

no journal, , 

本研究では、磁気コンプトン散乱実験によってTb$$_{43}$$Co$$_{57}$$合金膜のSSHMを測定し、スピン・軌道、元素別に磁化曲線を見積もることを試みた。Tb$$_{43}$$Co$$_{57}$$の磁気コンプトン散乱強度の印可磁場依存性から得たSSHM測定の値と基準試料の値からモーメントの絶対値を求めた。解析の結果、スピンと軌道の磁化曲線は形状が異なった。これは、TbとCoの元素別の磁化曲線の違いに起因すると考えている。

口頭

磁気コンプトン散乱を利用したTbCo合金膜のスピン選択ヒステリシス測定

安居院 あかね; 松本 紗也加*; 櫻井 浩*; 本間 慧*; 辻 成希*; 櫻井 吉晴*; 伊藤 真義*

no journal, , 

磁気コンプトン散乱には磁性電子のスピンモーメントの成分が反映される。これを利用し、希土類-遷移金属Tb$$_43$$Co$$_57$$アモルファス膜において、その散乱強度の印可磁場依存性を利用して、スピン選択ヒステリシス・ループの測定した。その結果をマクロスコピックな磁性と関連を検討するため、SQUIDにより測定されたマクロスコピックな値と比較したので報告する。

口頭

TbCo合金膜におけるスピン・軌道磁化曲線の測定

櫻井 浩*; 安居院 あかね; 松本 紗也加*; 伊藤 真義*; 櫻井 吉晴*

no journal, , 

希土類遷移金属TbFeCoは熱アシスト磁気記録材料として注目されている。特に、希土類-遷移金属アモルファス合金膜は組成比によって特性を大きく制御できるため、磁性材料として有望である。磁気スイッチング,磁気記録の材料では、磁気モーメントの磁場応答特性が重要である。「全磁気モーメント=スピン磁気モーメント+スピン磁気モーメント」で与えられる。しかし、全磁気モーメントの磁化曲線に関する報告は多いが、スピン磁気モーメントの磁化曲線と軌道磁気モーメントの磁化曲線を分離した報告は少ない。現在までに、希土類-遷移金属合金膜において、軟X線磁気円二色性により、希土類元素の4f電子の軌道磁気モーメントは膜全体の性質に大きく寄与することが報告されている。また、希土類-遷移金属垂直磁化膜において、磁気コンプトン散乱により、スピン磁気モーメントの磁化曲線が報告されている。以上から、TbCo合金膜におけるスピン・軌道磁化曲線の測定を行った。

口頭

鉄薄膜における磁気コンプトンプロファイルの磁場依存性

峯岸 克彦*; 安居院 あかね; 櫻井 浩*; 伊藤 真義*; 櫻井 吉晴*

no journal, , 

アルミホイル基板上に製膜したFe薄膜の磁気コンプトンプロファイルの磁場依存性を測定した。Fe薄膜の厚さは5$$mu$$mで(110)配向だった。電子運動量1au以下の磁気コンプトンプロファイルに磁場依存性が観測された。これは磁壁の生成に伴い磁壁内及び磁壁近傍の4s4p電子のスピン偏極減少したためと考えられる。

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