Tunnel magnetoresistance in the ultrathin MnGa-based perpendicular MTJs with bcc-Co based interlayers

鈴木 和也; 一ノ瀬 智弘*; 飯浜 聡*; 門馬 簾*; 鎌田 尚樹*; 水上 成美*

no journal, , 

垂直磁気トンネル接合(p-MTJ)は、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ,磁気センサー,高周波デバイスなどの豊富なアプリケーションのためのキーデバイスである。用途に応じた適切な磁気特性が求められるだけでなく、動作温度における高いTMR比も必要とされる。正方晶Mn系合金は、飽和磁化が小さく、保磁力が大きく、垂直磁気異方性が大きく、ギルバート減衰係数が小さいため、p-MTJの電極材料として魅力的な垂直磁化材料の一つである。しかし、Mn系合金を強磁性電極として用いたp-MTJでは、FeCo間層を用いても室温で最大60%と小さなTMRしか示さない。本発表では、bcc-CoMn合金を中間層に用いたp-MTJとそのTMR特性を示すとともに、MnGa系p-MTJの最近の進展についても簡単に紹介する。