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Dharmarasu, N.*; 山口 真史*; Bourgoin, J. C.*; 高本 達也*; 大島 武; 伊藤 久義; 今泉 充*; 松田 純夫*
Applied Physics Letters, 81(1), p.64 - 66, 2002/07
被引用回数:16 パーセンタイル:55.88(Physics, Applied)n/p-InGaP太陽電池に0.38MeVから3MeVの陽子線を照射することで発生する欠陥をDLTS法を用いて調べた。その結果、HP1 (E+0.900.05eV),HP2 (E+0.730.05eV),H2 (E+0.55eV)とラベル付けされた3つの多数キャリア(ホール)トラップとEP1 (E 0.54eV)とラベル付けされた少数キャリアトラップを発見した。また、これらのトラップは全てキャリアの再結合中心として働くこと、H2は少数キャリア注入によって消滅することを見出した。