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Van der Beek, C. J.*; Rizza, G.*; Konczykowski, M.*; Fertey, P.*; Monnet, I.*; Klein, T.*; 岡崎 竜二*; 石角 元志; 鬼頭 聖*; 伊豫 彰*; et al.
Physical Review B, 81(17), p.174517_1 - 174517_11, 2010/05
被引用回数:98 パーセンタイル:93.75(Materials Science, Multidisciplinary)PrFeAsOとNdFeAs(O,F)超伝導単結晶での不均一性とフラックスピニングを定量的に評価するために、局所磁場測定が行われた。巨視的なスケールでの臨界電流密度の空間的な揺らぎにも関わらず、主要な寄与は、平均自由行程揺らぎ機構によるミクロな欠陥による磁束線の集団ピン止めから来ていることが示された。実験から導き出された欠陥密度はドーパントの原子密度と一致している。このことはドーパント原子が磁束のピン止めと準粒子散乱の両方に重要な役割を担っていることを示している。
常盤 欣文; Garst, M.*; Gegenwart, P.*; Bud'ko, S. L.*; Canfield, P. C.*
no journal, ,
対称性が破れた2つの相が同時に不安定化する二重臨界点(BCP)はスピンフロップを伴うメタ磁性において現れる。重い電子系YbAgGeにおいて、そのような二重臨界点がTBCP=0.3K、メタ磁性転移磁場4.5Tにおいて見られる。この二重臨界点近傍でみられるホール係数や熱膨張の異常な振る舞いは、パラメーター空間で近傍に位置している量子二重臨界点(QBCP)に起因していると考えられる。我々は、交流磁場法を用いた磁気熱量効果の精密測定により、磁気グリューナイゼン比()が、において符号反転を伴う発散を見せることを明らかにした。これは理論予想通りの結果である。また、この量子臨界点を反映し、はを臨界点への距離としたスケーリング則を示す。我々は、この物質の幾何学的フラストレーションがの小さい値の要因であり、本物質がQBCP近傍に位置する原因と考え議論する。