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論文

A Positron lifetime study of defects in neutron-irradiated Si

A.Li*; H.Huang*; D.Li*; S.Zheng*; H.Du*; S.Zhu*; 岩田 忠夫

Japanese Journal of Applied Physics, 32(3), p.1033 - 1038, 1993/03

 被引用回数:8 パーセンタイル:44.69(Physics, Applied)

中性子照射したSiについて陽電子寿命測定を行い、100~800$$^{circ}$$Cにおける欠陥のアニーリングを調べた。陽電子寿命スペクトルの2成分フィッティングを行った。第1成分は完全結晶中のfreeな陽電子及びmonovacancy-substitutional oxygen complexesに捕獲された陽電子の平均に対応し、第2成分はdivacancyまたはdivacancy-substitutional oxygen complexes及びquadrivacancy-substitutional oxygen complexesに捕獲された陽電子の平均に対応するものであることを示した。2成分データをトラッピング模型によって解析し、これらのvacancy型欠陥による陽電子捕獲率(欠陥濃度に比例する)を求めた。これらの欠陥のアニーリングを議論した。

論文

Positron annihilation study on neutron irradiated Si

S.Zhu*; A.Li*; S.Zheng*; H.Huang*; D.Li*; 岩田 忠夫

Chin. J. Nucl. Phys., 14(2), p.166 - 168, 1992/00

シリコンに1.45$$times$$10$$^{20}$$n/cm$$^{2}$$及び3.1$$times$$10$$^{17}$$n/cm$$^{2}$$の中性子照射を行い、陽電子寿命の測定をアニーリング温度(343~1073K)の関数として行った。短寿命成分は、バルク中及び酸素-monovacancy対にトラップされた陽電子の寿命の平均である。長寿命成分はdivacancyあるいはquadrivacancyによるものである。照射量が3.1$$times$$10$$^{17}$$n/cm$$^{2}$$の場合にはquadrivacancyによるものは観測されなかった。

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