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Jarrige, I.*; 小谷 章雄*; 山岡 人志*; 辻井 直人*; 石井 賢司; Upton, M.*; Casa, D.*; Kim, J. H.*; Gog, T.*; Hancock, J. N.*
Physical Review Letters, 114(12), p.126401_1 - 126401_5, 2015/03
被引用回数：11 パーセンタイル：60.87(Physics, Multidisciplinary)We combine resonant inelastic X-ray scattering and model calculations in the Kondo lattice compound YbInCu, a system characterized by a dramatic increase in Kondo temperature and associated valence fluctuations below a first-order valence transition at T 
42 K. The bulk-sensitive, element-specific, and valence-projected charge excitation spectra reveal an unusual quasigap in the Yb-derived state density which drives an instability of the electronic structure and renormalizes the low-energy effective Hamiltonian at the transition. Our results provide long-sought experimental evidence for a link between temperature-driven changes in the low-energy Kondo scale and the higher-energy electronic structure of this system.
OHancock, J. N.*; Chabot-Couture, G.*; Li, Y.*; Petrakovski
, G. A.*; 石井 賢司; Jarrige, I.; 水木 純一郎; Devereaux, T. P.*; Greven, M.*
Physical Review B, 80(9), p.092509_1 - 092509_4, 2009/09
被引用回数：21 パーセンタイル：63.91(Materials Science, Multidisciplinary)We present a resonant inelastic scattering (RIXS) study using of CuBO, which contains a lattice of CuO plaquettes electronically isolated by B
ions. The observed Cu 
-edge spectra show a small number of well-separated features, and the simple electronic structure of CuBO allows us to explore RIXS phenomenology. We find a low-energy feature that cannot be attributed to the same charge-transfer excitation discussed in other cuprates and is likely a 
transition thought to be forbidden under common considerations of -edge RIXS.
CuOLu, L.*; Hancock, J. N.*; Chabot-Couture, G.*; 石井 賢司; Vajk, O. P.*; Yu, G.*; 水木 純一郎; Casa, D.*; Gog, T.*; Greven, M.*
Physical Review B, 74(22), p.224509_1 - 224509_9, 2006/12
被引用回数：34 パーセンタイル：77.83(Materials Science, Multidisciplinary)モット絶縁体であるLaCuOについて、1-7eVのエネルギー損失領域に渡って測定した銅のK吸収端での共鳴非弾性X線散乱(RIXS)の研究について報告する。高温超伝導体HgBaCuO
で最初に見つかったように、入射エネルギーに対して散乱断面積が細かく変わることを利用して、RIXSスペクトルには分散の小さい幾つかの電子正孔対励起があることを示すことができた。励起の詳細な構造がCuO面に垂直な偏光と平行な偏光で類似していることから、励起には
正孔が中心的な役割を果たしていることがわかる。一方で、2eV付近に現れる励起強度については偏光依存性があることから、異なる電荷移動プロセスと考えられる2つの励起が存在することがわかった。この偏光依存性は、RIXSのプロセスにおいて
電子も何らかの役割を果たしていることを示唆している。
