Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Beyer, F. C.*; Hemmingsson, C. G.*; Pedersen, H.*; Henry, A.*; 磯谷 順一*; 森下 憲雄*; 大島 武; Janzn, E.*
Journal of Physics D; Applied Physics, 45(45), p.455301_1 - 455301_7, 2012/11
被引用回数:16 パーセンタイル:57.69(Physics, Applied)A bistable center, named FB center, in electron irradiated 4H-SiC was observed using capacitance transient techniques. In configuration called "", the deep level known as EH5 ( = - 1.07 eV) is detected in the deep level transient spectroscopy spectrum, whereas for configuration called "", no obvious deep level is observed in the accessible part of the band gap. Isochronal annealing revealed that the transition temperatures to be from to is more than 730K, and for the opposite process from to is about 710 K. The energy needed to conduct the transformations were determined to be ( to ) = (2.1 0.1) eV and ( to ) = (2.3 0.1) eV, respectively. Since the bistable FB centre is already present after low-energy electron irradiation (200 keV), it is likely related to carbon.
Son, N. T.*; Hemmingsson, C. G.*; Paskova, T.*; Evans, K. R.*; 碓井 彰*; 森下 憲雄; 大島 武; 磯谷 順一*; Monemar, B.*; Janzn, E.*
Physical Review B, 80(15), p.153202_1 - 153202_4, 2009/10
被引用回数:38 パーセンタイル:79.43(Materials Science, Multidisciplinary)耐放射線性半導体デバイスとして応用が期待される窒化ガリウム(GaN)中に、電子線照射により発生する欠陥を電子スピン共鳴(ESR)により調べた。2MeV電子線を110/cm照射することで欠陥を導入したGaNに対し、77KでESR測定を行ったところ、D1からD4までの4種類の欠陥に起因するESRシグナルが観測された。このうちD2について、Nの超微細相互作用を詳細に調べたところ、Nサイトを置換した酸素とGa空孔のペア複合欠陥であり、その電荷状態がマイナスであることが判明した。