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論文

Capacitance transient study of a bistable deep level in e$$^{-}$$-Irradiated n-type 4H-SiC

Beyer, F. C.*; Hemmingsson, C. G.*; Pedersen, H.*; Henry, A.*; 磯谷 順一*; 森下 憲雄*; 大島 武; Janz$'e$n, E.*

Journal of Physics D; Applied Physics, 45(45), p.455301_1 - 455301_7, 2012/11

 被引用回数:16 パーセンタイル:57.69(Physics, Applied)

A bistable center, named FB center, in electron irradiated 4H-SiC was observed using capacitance transient techniques. In configuration called "$$A$$", the deep level known as EH5 ($$E$$$$_{a}$$ = $$E$$$$_{C}$$ - 1.07 eV) is detected in the deep level transient spectroscopy spectrum, whereas for configuration called "$$B$$", no obvious deep level is observed in the accessible part of the band gap. Isochronal annealing revealed that the transition temperatures to be from $$A$$ to $$B$$ is more than 730K, and for the opposite process from $$B$$ to $$A$$ is about 710 K. The energy needed to conduct the transformations were determined to be $$E$$$$_{A}$$($$A$$ to $$B$$) = (2.1 $$pm$$ 0.1) eV and $$E$$$$_{A}$$($$B$$ to $$A$$) = (2.3 $$pm$$ 0.1) eV, respectively. Since the bistable FB centre is already present after low-energy electron irradiation (200 keV), it is likely related to carbon.

論文

Identification of the gallium vacancy-oxygen pair defect in GaN

Son, N. T.*; Hemmingsson, C. G.*; Paskova, T.*; Evans, K. R.*; 碓井 彰*; 森下 憲雄; 大島 武; 磯谷 順一*; Monemar, B.*; Janz$'e$n, E.*

Physical Review B, 80(15), p.153202_1 - 153202_4, 2009/10

 被引用回数:38 パーセンタイル:79.43(Materials Science, Multidisciplinary)

耐放射線性半導体デバイスとして応用が期待される窒化ガリウム(GaN)中に、電子線照射により発生する欠陥を電子スピン共鳴(ESR)により調べた。2MeV電子線を1$$times$$10$$^{19}$$/cm$$^{2}$$照射することで欠陥を導入したGaNに対し、77KでESR測定を行ったところ、D1からD4までの4種類の欠陥に起因するESRシグナルが観測された。このうちD2について、$$^{14}$$Nの超微細相互作用を詳細に調べたところ、Nサイトを置換した酸素とGa空孔のペア複合欠陥であり、その電荷状態がマイナスであることが判明した。

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