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論文

Oxygen microclusters in Czochralski-grown Si probed by positron annihilation

上殿 明良*; 河野 孝央*; L.Wei*; 谷川 庄一郎*; 碇 敦*; 川上 和人*; 伊藤 久義

Japanese Journal of Applied Physics, 33(8B), p.L1131 - L1134, 1994/08

 被引用回数:2 パーセンタイル:17.89(Physics, Applied)

引き上げ法(CZ法)により作製したSi単結晶中の酸素原子の凝集(クラスタリング)挙動を陽電子消滅法を用いて調べた。450$$^{circ}$$Cから1000$$^{circ}$$Cの温度範囲で熱処理を加えたSi試料の陽電子寿命測定を行った結果、熱処理温度を増加させると陽電子寿命が減少することが解った。これは、陽電子を捕獲する酸素クラスターが熱処理により形成されることで説明できる。また、CZ-Si結晶に3MeV電子線照射により空孔-酸素複合体を導入し、等時アニールによる陽電子捕獲速度の変化を調べた。この結果、単一空孔と酸素の複合体VOnの濃度が700$$^{circ}$$C以上の高温アニールで増加することが解った。これに対し、赤外吸収測定からはVO濃度はアニールにより増加しないことが示された。従って、得られた結果は、酸素クラスタリングに伴うVOn(n:2以上)が700$$^{circ}$$C以上の熱処理により生成されることを示している。

論文

Defects in electron-irradiated 3C-SiC epilayers observed by positron annihilation

伊藤 久義; 吉川 正人; 梨山 勇; L.Wei*; 谷川 庄一郎*; 三沢 俊司*; 奥村 元*; 吉田 貞史*

Hyperfine Interactions, 79, p.725 - 729, 1993/00

 被引用回数:19 パーセンタイル:73.6(Physics, Atomic, Molecular & Chemical)

エピタキシャル成長立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)半導体中に1MeV電子線照射により生成する欠陥を陽電子消滅法を用いて調べた。この結果、照射量約1$$times$$10$$^{17}$$e/cm$$^{2}$$以上の範囲で、3C-SiC試料における陽電子消滅ガンマ線のエネルギースペクトル幅(ドップラー広がり幅)が照射量増加とともに狭くなり、スペクトル尖鋭化の程度を表すSパラメータが増加することが解った。また、SiCにおける陽電子の有効拡散長は、照射量増加に対し減少することが見い出された。これらの結果は、電子線照射による空孔型欠陥の形成を示している。さらに、Sパラメータの照射量依存性は、照射による単一空孔及び二重空孔の形成を仮定した計算結果とよく一致することが判明した。これより、照射中に単一空孔の生成に加え、空孔間の結合が生じ二重空孔が形成されると推測される。

論文

Characterization of defects in As-grown and electron-irradiated 3C-SiC epilayers by using slow positrons

伊藤 久義; 吉川 正人; 梨山 勇; L.Wei*; 谷川 庄一郎*; 三沢 俊司*; 奥村 元*; 吉田 貞史*

Mater. Sci. Forum, 117-118, p.501 - 506, 1993/00

化学気相成長(CVD)法によりSi基板上にエピタキシャル成長させて作製した単結晶3C-SiCに対し、1MeV電子線照射前後における欠陥を、低速陽電子を用いた陽電子消滅測定により評価した。この結果、消滅ガンマ線のエネルギースペクトルを表すSパラメータが、2$$times$$10$$^{16}$$e/cm$$^{2}$$以下の照射量領域で、照射量とともに減少し、スペクトルのドップラー幅が広がることが見い出された。さらに、この低照射量領域の電子線照射により、陽電子の有効拡散長が照射前と比較し増加することが解った。これらの結果は、エピタキシャル成長3C-SiC結晶中に空孔型欠陥が残存し、この欠陥が低照射量電子線照射によって減少することを示唆している。

論文

Positron annihilation and electron spin resonance of electron-irradiated 3C-SiC

伊藤 久義; 吉川 正人; L.Wei*; 谷川 庄一郎*; 梨山 勇*; 三沢 俊司*; 奥村 元*; 吉田 貞史*

Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 262, p.331 - 336, 1992/00

化学気相成長法によりシリコン基板上にエピタキシャル成長して作製した立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)に、1MeV電子線照射により生成する欠陥を陽電子消滅及び電子スピン共鳴(ESR)法を用いて調べた。エネルギー可変単色陽電子ビームを用いた測定の結果、SiCへの電子線照射による消滅ガンマ線エネルギーのドップラー広がりの光鋭及び陽電子有効拡散長の減少が見い出され、照射による空孔型欠陥の生成が明らかになった。またESR測定からSi副格子位置の点欠陥の点欠陥に起因すると考えられるTlスペクトルが観測され、さらにTlセンター濃度の照射による増加はSiCキャリア(電子)濃度の減少とよく一致することが解った。これは、Tlセンターが電子トラップとして働き、電子一個を捕獲した状態にあることを示している。以上の結果から、電子線照射により3C-SiC中に負に帯電したSi単一空孔が形成されると結論される。

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