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口頭

イオン照射によるダイヤモンド結晶中の窒素空孔センターの生成

山本 卓; 小野田 忍; 大島 武; Naydenov, B.*; Dolde, F.*; Fedder, H.*; Honert, J.*; Jelezko, F.*; Wrachtrup, J.*; 寺地 徳之*; et al.

no journal, , 

ダイヤモンド結晶中の負に帯電した窒素空孔センター(NV)は、室温で動作可能な量子ビットとして最も有力な材料の一つであるが、応用的観点からはNVセンターを効率よく人工的に生成する必要がある。本研究では、イオン照射条件,熱処理条件,試料の品質の違い(欠陥量、おもに窒素濃度)で、NVセンターの生成にどのような影響があるかを系統的に調べた。その結果、NV生成の収率は照射量が多くなると下がる傾向にあり、照射エネルギーが高い方が収率が上がることがわかった。一方、マイクロビームによる局所的照射試料における収率は25%から数百%であり、ブロードビーム照射試料(例えば、照射量$$10^{9}/cm^{2}$$試料では4%)と比較すると収率が飛躍的に改善することがわかった。マイクロビーム照射試料において、収率がそれぞれの試料で異なることから、ダイヤモンド試料基板の質の違いがNV生成に重要な要素であることが示唆される。

口頭

ダイヤモンドへの低エネルギーイオン注入による発光センターの規則配列作製

小松原 彰*; 寺地 徳之*; 堀 匡寛*; 熊谷 国憲*; 田村 崇人*; 大島 武; 小野田 忍; 山本 卓; Muller, C.*; Naydenov, B.*; et al.

no journal, , 

ダイヤモンド中に発光中心を作製することで、量子計算及び量子通信などに応用することができる。本研究では、ダイヤモンドへシリコン(Si)イオンを格子状に照射することで、シリコン-空孔(Si-V)センターを作製し、SiVセンターの生成収率と位置精度の制御性について検討した。生成収率の測定のため、格子状に照射したSiイオンの数を各格子点あたり、2から1000個で変化させた。共焦点顕微鏡を用いて、SiVセンターの水平方向及び深さ方向の空間分布を測定した。観察の結果、SiVが規則的に格子状に生成されていることがわかった。しかし、1格子点あたり100個の場合、明瞭な格子状パターンを観測することができなかったことから、生成収率が1%以下であることが推定された。

口頭

Creation of nitrogen-vacancy centers in diamonds by nitrogen ion implantation

大島 武; 山本 卓; 小野田 忍; 阿部 浩之; 佐藤 真一郎; Jahnke, K.*; Heller, P.*; Gerstmayr, A.*; H$"a$ussler, A.*; Naydenov, B.*; et al.

no journal, , 

ダイヤモンド中のマイナスに帯電した窒素-空孔(NV$$^{-}$$)中心はスピンを利用した量子計算の観点から注目されている。高純度IIaダイヤモンドに窒素(N)イオンを注入することでNV$$^{-}$$の形成を試みた。本研究では、長いスピン緩和時間(T$$_{2}$$)を達成することを目的とし、スピン散乱の原因となる$$^{13}$$Cを減少させた高濃度$$^{12}$$C (99.99%)のダイヤモンドを化学気相法を用いて成長した。Nイオンは、打ち込んだNと試料にもともと残留していたNを区別するため、$$^{15}$$Nイオンを用い、10MeVのエネルギーでのマイクロビーム照射を行った。Nを打ち込んだ領域を共焦点顕微鏡及びODMR(optically detected magnetic resonance)で評価したところ、$$^{15}$$N由来のNV$$^{-}$$$$^{14}$$N由来のNV$$^{-}$$の両者が形成されることが見いだされた。T$$_{2}$$を測定した結果、両者のNV$$^{-}$$とも2msであり、イオン注入を用いて形成したNV$$^{-}$$のこれまでの報告値より10倍程度長い値であることが判明した。

口頭

Defect engineering in fabrication of NV centers by nitrogen ion implantation

山本 卓; 小野田 忍; 大島 武; 磯谷 順一*; 寺地 徳之*; 谷口 尚*; 渡邊 賢司*; 小泉 聡*; 梅田 享英*; Jelezko, F.*; et al.

no journal, , 

$$^{15}$$Nイオン照射で生成した高純度$$^{12}$$C濃縮ダイヤモンド中のNV中心について、単一スピンの光学的検出磁気共鳴を測定した。詳細な光学的検出磁気共鳴測定から、$$^{15}$$Nイオン照射によって$$^{14}$$NVと$$^{15}$$NVが[$$^{14}$$NV]/[$$^{15}$$NV] $$sim$$ 1の比で生成され、収率(イオン照射量に対する生成したNV中心の割合)は70-100%であることがわかった。スピンコヒーレンス時間は室温で2msと長く、これまで報告されているイオン照射試料の中で最も長いことがわかった。これらの結果は、イオン照射で生成したNVスピンを用いた応用が十分期待できると結論できた。

口頭

イオン照射による同位体濃縮ダイヤモンド結晶中窒素-空孔発光中心の単一スピン光検出磁気共鳴評価

山本 卓; 小野田 忍; 大島 武; 寺地 徳之*; 渡邊 賢司*; 谷口 尚*; 小泉 聡*; 梅田 享英*; 磯谷 順一*; McGuinness, L.*; et al.

no journal, , 

窒素イオン注入と熱処理によって生成した同位体濃縮ダイヤモンド単結晶中の窒素空孔発光中心(NV)のスピン特性を、共焦点顕微鏡による光学的検出磁気共鳴法を用いて詳細に測定した。スピンエコー測定の結果、電子スピンコヒーレンス時間は、イオン照射したNVとしては最長の2ミリ秒、表面付近(15ナノメートルの深さ)でも500マイクロ秒以上と非常に長いことがわかった。これらの結果は、良質な同位体濃縮結晶の結晶性と不純物スピンの低減、及び、熱処理による十分な照射損傷の回復を反映している。また、窒素分子イオン照射による近接するNVペアの作製に成功し、2つのNVスピン間の磁気的結合にも成功した。これらの単一NVのスピン特性は、室温で動作可能なナノマグネトメトリーや量子情報処理への応用が期待できる。

口頭

単一欠陥をプローブにしたダイヤモンド結晶の共焦点蛍光顕微鏡評価

小野田 忍; 阿部 浩之; 山本 卓; 大島 武; 谷口 尚*; 寺地 徳之*; Siyushev, P.*; Tran, T. H.*; Yang, S.*; Fedder, H.*; et al.

no journal, , 

ダイヤモンド中の欠陥の一つであるNV(窒素-空孔)センターは、炭素を置換した窒素と隣接位置の空孔とのペアーであり、量子ビットや磁気センサーとしての応用が期待されている。NVセンターは、電子基底状態と励起状態が三重項状態となっている。縮退している励起準位は、低温(4K)になると二つに分裂することが知られている。それぞれの準位はそれぞれが三重項状態となっているため、6つの準位を持つ。励起準位の分裂の程度は、歪みが大きくなると大きくなり、1GPaの外部圧力によって10THzの分裂が起こる。逆にいえば、励起状態の各エネルギー差を測定することで、NVセンターを取り巻く歪みの大きさを検出することが可能となる。NVセンターは光吸収係数・蛍光量子効率が高く、単一のNVセンターでさえ検出が可能という特徴があることから、本研究では、個々のNVセンターが存在する場所の歪みを、高感度かつ高空間分解能で引き出すことに取り組んだ。その結果、他の方法では得られない感度,空間分解能で、残留歪みの大きさと分布、不純物分布を得ることに成功した。

口頭

ダイヤモンドへの低エネルギーイオン注入による発光センターの規則配列作製,2

田村 崇人*; 小松原 彰*; 寺地 徳之*; 小野田 忍; 大島 武; Christoph, M.*; Naydenov, B.*; McGuinness, L.*; Jelezko, F.*; 品田 賢宏*; et al.

no journal, , 

量子情報通信において有望な系の一つに挙げられるダイヤモンド中のSiVセンター(シリコンと原子空孔からなる発光センタ)の作製に関する研究を行った。早稲田大学が開発した数十keV級低エネルギー単一イオン注入技術を用いて、狙った位置にSiイオンを1個ずつ注入するとともに、その位置に同時に形成される空孔欠陥を再結合させることで、SiVセンターを作製した。作製したSiVセンターの共焦点顕微鏡像を観察したところ、狙い通り500nm間隔でSiVセンターの規則配列が形成されていることがわかった。さらに、注入イオン数に対する発光センターの生成数を調べた結果、1スポットあたりの注入イオン数が100個の領域においてSiVセンターからの発光が確認され、SiVセンターの生成収率が1%以上であることが明らかとなった。

口頭

Magnetically-coupled diamond qubits by molecular nitrogen implantation

山本 卓*; Muller, C.*; McGuinness, L.*; 寺地 徳之*; Naydenov, B.*; 小野田 忍; 大島 武; 小泉 聡*; Wrachtrup, J.*; 磯谷 順一*; et al.

no journal, , 

化学気相成長(CVD)法によって作製した高品質ダイヤモンドに、低エネルギーの窒素分子イオン注入によって窒素と欠陥を導入するとともに、炭素イオン照射によって欠陥を追加で導入した。その後、高温熱処理を施すことで、窒素-空孔(NV)量子ビットを作製した。本研究から、単一のNV量子ビットについては36%の高効率で、NV量子ビットのペアについては4%の効率で作製することに成功し、従来よりも高い収率を実現することができた。また、55kHzの磁気双極子結合強さや0.6msを超える長いコヒーレンス時間を有するNV量子ビットのペアを見いだすことができた。以上のように、本研究では、量子コンピュータへの応用に欠かせない長いコヒーレンス時間を持つ2量子ビット化を実現できた。

口頭

高純度$$^{12}$$C同位体濃縮ダイヤモンドのホモエピタキシャル合成

寺地 徳之*; 山本 卓*; 小泉 聡*; 渡邊 賢司*; 谷口 尚*; 小野田 忍; 大島 武; Naydenov, B.*; Jelezko, F.*; 磯谷 順一*

no journal, , 

本研究では、$$^{12}$$C炭素同位体比が天然存在比より約3桁高い同位体濃縮メタンガスを用いてダイヤモンド薄膜を合成し、その発光特性を評価した。発光特性の評価には、窒素イオンを照射することで作製した窒素-空孔欠陥(NVセンター)からの発光を利用した。測定の結果、照射領域からはNVセンター固有の発光スペクトルが観測された。NVセンターに加えて、シリコン-空孔欠陥(SiVセンター)が、0.01ppb以下の密度ではあるが、照射領域近傍で観測された。一方、照射領域以外からは余分な発光が検出されることはなく、良質のダイヤモンドホモエピタキシャル膜が作製できたといえる。

口頭

ダイヤモンドスピン量子ビットの磁気的結合

山本 卓*; Muller, C.*; McGuinness, L.*; 寺地 徳之*; Naydenov, B.*; 小野田 忍; 大島 武; 小泉 聡*; Wrachtrup, J.*; Jelezko, F.*; et al.

no journal, , 

ダイヤモンド中の負に帯電した窒素空孔欠陥(NV)の電子スピンは、初期化・操作・読み出しを室温大気環境下で行なえるほぼ唯一の固体量子ビットである。量子コンピュータ実現のためには、多量子ビット化が重要である。2つのNVスピン間の磁気的結合や量子もつれが観測されているが、ゲート操作時間に比べて短いスピンコヒーレンス時間のために忠実度の高い量子もつれ生成の実証には至っていない。最近、我々は高純度$$^{12}$$C濃縮結晶を用いて窒素イオン照射で生成したNVにおいて最長のコヒーレンス時間(2ms)を達成した。本研究では、得られたコヒーレンス時間の長いNVを用い、ナノスケールの距離に隔てられた2つのNV量子ビット間の磁気的結合に取り組んだ。二重電子電子共鳴測定とスピンエコー測定を行うことで、作製した2量子ビットを用いて99.9%以上の高い忠実度のスピン操作できる可能性を示した。

口頭

窒素分子・炭素イオン共注入による室温ダイヤモンドスピン量子ビット

山本 卓*; Muller, C.*; McGuinness, L.*; 寺地 徳之*; Naydenov, B.*; 小野田 忍; 大島 武; 小泉 聡*; Wrachtrup, J.*; Jelezko, F.*; et al.

no journal, , 

量子ビットへの応用が期待されるダイヤモンド中の窒素-空孔欠陥(NV)センターの効率的な形成技術の確立を目指し、窒素分子(N$$_{2}$$)イオンと炭素(C)イオンの共注入を試みた。試料には$$^{12}$$Cを99.998%濃縮したガスを原料に化学気相法で作製した高品質・高純度ダイヤモンドを用い、20keVのエネルギーで$$^{15}$$N$$_{2}$$分子イオン及び$$^{12}$$Cイオンを室温で注入した。注入後に真空中で1000$$^{circ}$$C、2時間の熱処理を行った。共焦点顕微鏡を用いた光検出磁気共鳴(ODMR)評価を行いNVセンターの生成効率を評価したところ、N$$_{2}$$イオンとCイオンの共注入を行った試料は36%、比較のため作製したN$$_{2}$$イオン注入のみの試料は20%となり、共注入を行うことで生成効率が向上することが明らかとなった。また、量子ビット応用に重要となるスピン緩和時間を見積もったところ、両試料とも約0.8msであり、従来報告されている表面付近に存在するNVのスピン緩和時間に比べ長いことから、良質なNVが形成できていることも確認された。

口頭

ダイヤモンドへの低エネルギーSiイオン注入におけるSi-Vセンタ生成収率の評価

田村 崇人*; 小池 悟大*; 寺地 徳之*; 小野田 忍; McGuinness, L.*; Rogers, L.*; Christoph, M.*; Naydenov, B.*; Wu, E.*; Yan, L.*; et al.

no journal, , 

量子情報通信において重要な要素技術の1つである単一光子源として知られているシリコンと原子空孔からなるSiVセンターの生成収率を調べた。以前の研究で、60keVの低エネルギーSiイオンをスポット状に集束させてダイヤモンドに注入することで、SiVセンターの配列を作製することが可能であることを見出している。本研究では、1スポットあたりの注入イオン数を減らしていき、たった1つのSiVセンターを作製するための最小イオン注入量を求め、SiVセンターの収率を調べた。その結果、60keVの低エネルギーSiイオン注入の場合、SiVセンターが形成される収率が15%であることが分かった。

口頭

keVからサブGeVのイオン注入を用いて形成したNVセンターの特性評価

小野田 忍; 春山 盛善; 寺地 徳之*; 磯谷 順一*; Christoph, M.*; McGuinness, L.*; Balasubramanian, P.*; Naydenov, B.*; Jelezko, F.*; 小池 悟大*; et al.

no journal, , 

室温動作可能な量子ビットとして応用可能な良質な窒素・空孔(NV)を実現するためには、$$^{13}$$C、格子位置の不純物窒素、格子欠陥等の余剰なスピンを取り除く必要がある。狙った箇所にNVを形成することが容易なイオン注入は、窒素イオンを効率よくNVに変換可能という利点があるが、一方で余剰な欠陥を残留させない工夫が必要がある。本研究では、原子空孔の挙動を調べる目的で、keVからサブGeVのイオンビームを用いて、異なる濃度・分布の原子空孔を導入し、その後、1000$$^{circ}$$Cの熱処理を施して原子空孔を拡散させてNVを形成した。NVの分布を解析することで打込んだイオンと原子空孔の挙動を考察した結果、生成されたNVは熱拡散せず安定に存在することが判明した。また、NVが安定であることから、NVの分布を調べることでイオンの飛跡が検出できることも見出した。

口頭

量子ビームを活用したダイヤモンド中のカラーセンター形成技術の現状

小野田 忍; 春山 盛善; 寺地 徳之*; 磯谷 順一*; 小池 悟大*; 東又 格*; 稲葉 優文*; 山野 楓*; 加藤 かなみ*; Christoph, M.*; et al.

no journal, , 

炭素を置換した窒素と隣接する原子空孔からなるNV(Nitrogen-Vacancy)センターは、ダイヤモンド中のカラーセンターの中でも優れた電子スピン特性を持っていることで知られている。発表では、我々が取り組んできた量子ビームを用いたカラーセンター形成技術について紹介するとともに、世界的な技術動向と課題を述べる。

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