検索対象:     
報告書番号:
※ 半角英数字
 年 ~ 
 年
検索結果: 5 件中 1件目~5件目を表示
  • 1

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

使用言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

選択した検索結果をダウンロード

論文

Development of a method for positron annihilation lifetime measurement in thin polyethylene films using a Na-22 source

山脇 正人*; 上杉 直也*; 岡 壽崇; 長澤 尚胤*; 安藤 太一*; O'Rourke, B. E.*; 小林 慶規*

Japanese Journal of Applied Physics, 59(11), p.116504_1 - 116504_5, 2020/11

15$$mu$$mから2000$$mu$$mの厚みを持つポリエチレンの陽電子消滅寿命測定を行った。試料厚がNa-22からの陽電子の飛程よりも薄い場合、陽電子はポリエチレン試料を突き抜けてしまい、精確な陽電子寿命測定が行えない。そこで、試料の裏にアニールしたSUS基板を配置し、SUS基板中で消滅した陽電子を計測することで、薄膜ポリエチレン試料中での陽電子消滅を分析する手法を開発した。この手法を延伸ポリエチレン試料に適用したところ、延伸に伴う自由体積空孔のサイズの減少と、自由体積空孔内で消滅する陽電子の割合の増加が測定できた。

論文

Positron annihilation in the near surface of room temperature ionic liquids

平出 哲也; O'Rourke, B. E.*; 小林 慶規*

Journal of Physics; Conference Series, 791(1), p.012029_1 - 012029_4, 2017/02

 被引用回数:2 パーセンタイル:63.05

イオン液体である、N,N,N-trimethyl-N-propylammonium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide (TMPA-TFSI)について、産総研に整備された垂直型の低速陽電子ビームを用いて、液面近傍における陽電子消滅率の測定を試みた。イオン液体の蒸気圧は非常に小さく、真空容器内にそのままイオン液体を配置することで、液面表面近傍の陽電子消滅率の測定を行うことが可能である。本測定は、イオン液体表面近傍における最初の陽電子消滅率の測定となる。その結果、三重項ポジトロニウムの消滅率が表面に近いほど大きくなることが分かった。

口頭

Investigation of near surface defects in metal samples produced by mechanical cutting/polishing using positron annihilation spectroscopy

Jiang, L.*; 大島 永康*; O'Rourke, B. E.*; 鈴木 良一*; 原田 祥久*; 鈴木 隆之*; 高津 周平*; 平出 哲也; 高井 健一*

no journal, , 

陽電子消滅法は、原子空孔, 空孔クラスター, ナノボイドなどの欠陥に敏感な分析手法である。産業技術総合研究所に整備されている陽電子プローブマイクロアナライザー(PPMA)は陽電子マイクロビームを走査することで、欠陥分布を観察することが可能である。PPMAを使用する場合、陽電子の打ち込み深さが浅いため、試料の作成時に導入される欠陥は重要な問題である。ここでは、2つの試料加工方法、放電加工のみと放電加工後にコロイダルシリカによる研磨を行うことで導入される欠陥について、SUS316Lのほかいくつかの試料について、これらの加工方法で導入される欠陥の深さ分布を陽電子消滅法で調べた。

口頭

Investigation of the near surface damage layer induced by electric discharge machining in steel

Jiang, L.*; O'Rourke, B. E.*; 原田 祥久*; 高津 周平*; 伊藤 賢志*; 大久保 雅隆*; 平出 哲也; 上殿 明良*; 鈴木 良一*; 高井 健一*; et al.

no journal, , 

放電加工により導入される欠陥の深さ依存性をSUS316Lについて、電子線マイクロアナライザー(EPMA),陽電子消滅寿命測定(PALS), X線構造解析(XRD)を用いて調べた。EPMAの結果から10ミクロン以上の深さに大きな影響がみられた。この層は鋳直された部分であると考えられる。PALSとXRDの結果からは、欠陥は50ミクロン程度の深さまで存在していると考えられた。この層は熱が影響している部分であると考えられ、転位と空孔クラスターが存在している。陽電子消滅寿命測定などの手法で観察する場合、放電加工後の試料については100ミクロン程度化学処理により取り除くべきである。

口頭

ポジトロニウムを用いた室温イオン液体表面の研究

平出 哲也; O'Rourke, B. E.*; 小林 慶規*

no journal, , 

産業技術総合研究所に整備された垂直型低速陽電子ビームを用いて、室温イオン液体,N,N,N-trimethyl-N-propylammonium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide (TMPA-TFSI)の表面近くの陽電子消滅寿命測定を行った。その結果、バルクに比べ液面付近では高いポジトロニウム(Ps)形成収率と短いオルソーPs(o-Ps)消滅寿命が観測された。これらは、おそらくTMPA-TFSIの表面近傍の層構造によって起こっているものであると考えられる。垂直型低速陽電子ビームはイオン液体の表面の研究において重要な手法の一つになると考えられる。

5 件中 1件目~5件目を表示
  • 1