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口頭

LuFe$$_{2}$$O$$_{4}$$の電気的特性に及ぼすバイアス電場の効果

深田 幸正; 福田 竜生; 吉井 賢資; 木村 彰杜*; Paku, G.*; 池田 直*

no journal, , 

${it R}$Fe$$_2$$O$$_4$$はイオン変位を伴わない強誘電体物質である(${it R}$:希土類)。この系では、${it R}$イオンとOイオンからなる三角格子の層とFeイオンとOイオンからなる三角格子が二枚重なった層が交互に積層している。後者の層ではFe$$^{2+}$$とFe$$^{3+}$$が同数存在し、それらが空間反転対称を破って配列することで電気分極を発生する。外部電場を印加することによって電荷秩序の形態の変化を引き起こすことが予想されるため、電荷秩序とバイアス電場の相関関係が岡山大学大学院の木村氏らを中心として現在調べられている。一方、バイアス電場と巨視的な物理量の関係性を知ることも興味深い。そこで本研究では、電気的特性である誘電率や電気抵抗率の精密測定をバイアス電場下で行った。実験では、単結晶のLuFe$$_2$$O$$_4$$を用いて、バイアス電場を三角格子の層に対し垂直方向に印加した。この系は通常の強誘電体より電気抵抗が低く緩和時間に分布が存在することから、新たな解析方法が必要である。そこで、多数のRC並列回路が直列に接続した等価回路を用いて、バイアス電場と電気的特性の関係性を精密に解析した。詳細は当日報告する。

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