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A.Li*; H.Huang*; D.Li*; S.Zheng*; H.Du*; S.Zhu*; 岩田 忠夫
Japanese Journal of Applied Physics, 32(3), p.1033 - 1038, 1993/03
被引用回数：8 パーセンタイル：44.68(Physics, Applied)中性子照射したSiについて陽電子寿命測定を行い、100~800
Cにおける欠陥のアニーリングを調べた。陽電子寿命スペクトルの2成分フィッティングを行った。第1成分は完全結晶中のfreeな陽電子及びmonovacancy-substitutional oxygen complexesに捕獲された陽電子の平均に対応し、第2成分はdivacancyまたはdivacancy-substitutional oxygen complexes及びquadrivacancy-substitutional oxygen complexesに捕獲された陽電子の平均に対応するものであることを示した。2成分データをトラッピング模型によって解析し、これらのvacancy型欠陥による陽電子捕獲率(欠陥濃度に比例する)を求めた。これらの欠陥のアニーリングを議論した。
S.Zhu*; 久米 民和; 石垣 功
Radiation Physics and Chemistry, 42(1-3), p.421 - 424, 1993/00
被引用回数：8 パーセンタイル：63.68(Chemistry, Physical)照射小麦の発芽試験による検知法について検討した。照射小麦を25~28Cの室温で5日間、シャーレ上で発芽させ、発芽率及び芽と根の長さを測定した。発芽率は3.3kGyで減少することが認められた。10kGyの照射では完全に発芽は阻害された。芽及び根の伸長は0.3kGyで小さくなり、0.5kGy以上では顕著に阻害された。0.5kGyでの芽の長さは20mm程度であり、5日以上培養してもそれ以上伸びなかった。古い種子では発芽率の減少が認められるが、芽の長さを測定することにより、照射小麦と区別することができた。以上の結果、発芽試験法は照射小麦の検知に適した方法であると考えられた。
S.Zhu*; 久米 民和; 石垣 功
JAERI-M 92-014, 25 Pages, 1992/02
照射小麦の検知法の開発を目的として、小麦の照射による種々の変化について検討した。発芽試験では、芽の伸長が500Gyで著しく阻害され、貯蔵中も変化しなかった。発芽率の減少は、3300Gyで検出された。胚芽の酵素活性を発芽試験装置(バイタスコープ)で測定した場合には、10kGyで検知できた。アミノ酸分析では、10kGyでリジンの減少が認められたが、わずかな変化であり検知に用いるのは難しいと考えられた。化学発光強度は、照射線量に比例して高くなったが、貯蔵中に減少した。10kGy照射した場合では、3ヶ月貯蔵後でも検知できた。ESR測定では、皮を除いた小麦のg値2.0055におけるシグナルが線量に比例して増加した。これらの方法の中で、発芽試験法が最も感度がよく、照射小麦の検知法として効果的であった。
S.Zhu*; A.Li*; S.Zheng*; H.Huang*; D.Li*; 岩田 忠夫
Chin. J. Nucl. Phys., 14(2), p.166 - 168, 1992/00
シリコンに1.45
10
n/cm
及び3.110
n/cmの中性子照射を行い、陽電子寿命の測定をアニーリング温度(343~1073K)の関数として行った。短寿命成分は、バルク中及び酸素-monovacancy対にトラップされた陽電子の寿命の平均である。長寿命成分はdivacancyあるいはquadrivacancyによるものである。照射量が3.110n/cmの場合にはquadrivacancyによるものは観測されなかった。
