Effects of C or Si co-implantation on the electrical activation of B atoms implanted in 4H-SiC

伊藤 久義; T.Troffer*; C.Peppermuller*; G.Pensl*

Applied Physics Letters, 73(10), p.1427 - 1429, 1998/09

https://doi.org/10.1063/1.121965

六方晶炭化珪素(4H-SiC)半導体におけるホウ素(B)アクセプターの電気的活性化に対する炭素(C)または珪素(Si)共注入効果を、ホール測定及びフォトルミネッセンス(PL)測定法を用いて調べた。この結果、B注入層の正孔濃度は、B単独注入の場合と比較し、C共注入を行うと増加し、Si共注入を行うと減少することが解った。C共注入を高温(800C)で実施すると、室温C共注入と比べ、正孔濃度はより一層増加することを見出した。またPL測定より、浅い準位を有するBアクセプターに起因する波長383.9nmの発光線強度が、C共注入により増大することが解った。これらの結果は、B注入により作製したp型層の電気特性がC共注入により改善されることを示している。また本論文では、注入B原子の電気的活性化に対する共注入効果の機構についても議論する。