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論文

Development of an accurate methodology for measuring the pore fluid pH of low-pH cementitious materials

Alonso, M. C.*; Garc$'i$a Calvo, J. L.*; Pettersson, S.*; Cu$~n$ado, M.*; Vuorio, M.*; Weber, H.*; 植田 浩義*; 内藤 守正; Walker, C.

Proceedings of 13th International Congress on the Chemistry of Cement (13th ICCC) (CD-ROM), 7 Pages, 2011/07

低アルカリ性セメントの開発において基本的なことは、pHの目標値を決定づける配合の量と品質を確保するために正確かつ信頼できる方法でpHを測定することである。本件の目的は低アルカリ性セメントのpHを測定するための標準的な手順を開発することである。文献調査により4つの方法を出発点に検討を開始し、その結果、圧搾法をレファレンスに、浸出法を通常の方法として2つのタイプを選定した。これらについて、pHに影響を与える固液比などのパラメータを変えて手順の検討を行い、同じサンプルを用いて7か国8機関でそれぞれ測定を試みたところ、ばらつきは小さく、高い再現性を有することが示された。

論文

State-of-the-art report on nuclear aerosols

Allelein, H.-J.*; Auvinen, A.*; Ball, J.*; G$"u$ntay, S.*; Herranz, L. E.*; 日高 昭秀; Jones, A. V.*; Kissane, M.*; Powers, D.*; Weber, G.*

NEA/CSNI/R(2009)5, 388 Pages, 2009/12

The TMI accident in 1979 motivated an interest in LWR source terms and resulted in the production of a supplement to the first state of the art report (SOAR) which concentrated on LWR aerosol issues. The second SOAR dealt with primary system FP release and transport that covers vapor the condensation on aerosols and aerosol agglomeration. The present third SOAR was prepared focusing on aerosol behavior in both the primary circuit and in containment such as mechanical resuspension, impact of chemistry, re-vaporization of deposits, charge effect, removal by spray, hydrogen-burn effects on suspended aerosols, penetration of aerosols through leak paths and so on. A large number of probabilistic safety analysis (PSA level 2) plant studies have been performed around the world, frequently involving aspects of aerosol behavior. This report provides some examples, including sensitivity studies that demonstrate the impact of aerosol-related processes.

論文

(Nitrogen/vacancy)-complex formation in SiC; Experiment and theory

Pensl, G.*; Schmid, F.*; Reshanov, S.*; Weber, H. B.*; Bockstedte, M.*; Mattausch, A.*; Pankratov, O.*; 大島 武; 伊藤 久義

Materials Science Forum, 556-557, p.307 - 312, 2007/00

炭化ケイ素(SiC)半導体中の窒素(N)ドナーの電気的活性化を阻害する欠陥を同定するために、N注入及び、電子線照射したp型六方晶(4H)SiCのホール効果及びDLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)測定を行った。電子線は炭素(C)のみがはじき出される200keVのエネルギーでの照射を行った。N注入試料の熱処理温度とキャリア濃度の関係を調べたところ、1450$$^{circ}$$C以上の熱処理によりNドナーの電気的活性化率が低下し始めることが見いだされた。DLTS測定の結果、同熱処理温度でZ$$_{1}$$/Z$$_{2}$$中心と呼ばれる欠陥が消失すること、さらに電子線照射試料では新たにP$$_{1}$$中心と呼ばれる欠陥が発生し始めることが判明した。さらに、分子動力学を考慮した理論解析の結果、C空孔が存在するSiCでは複数のC空孔とSi空孔の複合欠陥(V$$_{rm C}$$)$$_{x}$$-V$$_{rm Si}$$(x=1$$sim$$4)が安定であること、この状態でNが結晶中に存在する場合にはC格子位置を置換したN(N$$_{rm C}$$)が4つとV$$_{rm Si}$$の複合欠陥である(N$$_{rm C}$$)$$_{4}$$-V$$_{rm Si}$$が最も安定であることが導出された。以上より、(V$$_{rm C}$$)$$_{x}$$-V$$_{rm Si}$$がP$$_{1}$$中心の起源であること、Nの電気的活性化率の低下は(N$$_{rm C}$$)$$_{4}$$-V$$_{rm Si}$$によることを提案した。

論文

Deactivation of nitrogen donors in silicon carbide

Schmid, F.*; Reshanov, S. A.*; Weber, H. B.*; Pensl, G.*; Bockstedte, M.*; Mattausch, A.*; Pankratov, O.*; 大島 武; 伊藤 久義

Physical Review B, 74(24), p.245212_1 - 245212_11, 2006/12

 被引用回数:11 パーセンタイル:47.32(Materials Science, Multidisciplinary)

六方晶炭化ケイ素中に含まれる窒素ドナーの電気的活性化率と欠陥の関係を調べた。p型エピタキシャルSiCに500$$^{circ}$$Cで窒素(N)イオン注入及び1700$$^{circ}$$Cまでの熱処理を行いn型領域を形成した。併せて、N注入後にシリコン(Si)、炭素(C)及びネオン(Ne)注入した試料も作製した。また、200keV電子線を室温照射した試料も作製した。Si, C, Ne注入量とNドナー濃度,補償中心濃度の関係を調べたところ、N注入、Ne/N注入、C/N注入試料では濃度の増加とともにNドナー濃度は減少し補償中心が増加するのに対し、Si/N注入試料のみNドナー濃度と補償中心濃度の両方が低下することが見いだした。また、熱処理を行ったところ、Si/N及び電子線照射試料のみ1450$$^{circ}$$Cの熱処理温度以上では、Nドナー濃度と補償中心濃度の両方が低下することが判明した。理論解析を試みたところ高温では4個のC置換位置NとSi空孔の複空孔((N$$_{C}$$)$$_{4}$$-V$$_{Si}$$)が安定な欠陥であると帰結された。Si/N注入では過剰なNがV$$_{Si}$$を減少させること,低エネルギー電子線照射ではCのみはじき出されることを考えると補償中心はV$$_{Si}$$関連欠陥であり、高温では(N$$_{C}$$)$$_{4}$$-V$$_{Si}$$の形成によりNドナーの活性化率が減少することが帰結された。

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