検索対象:     
報告書番号:
※ 半角英数字
 年 ~ 
 年
検索結果: 2 件中 1件目~2件目を表示
  • 1

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

使用言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

選択した検索結果をダウンロード

論文

Muon spin rotation measurements of heterogeneous field response in overdoped La$$_{2-x}$$Sr$$_{x}$$CuO$$_{4}$$

MacDougall, G. J.*; Savici, A. T.*; Aczel, A. A.*; Birgeneau, R. J.*; Kim, H.*; Kim, S.-J.*; 伊藤 利充*; Rodriguez, J. A.*; Russo, P. L.*; 植村 泰朋*; et al.

Physical Review B, 81(1), p.014508_1 - 014508_7, 2010/01

 被引用回数:11 パーセンタイル:46.11(Materials Science, Multidisciplinary)

Transverse-field muon spin rotation measurements of overdoped La$$_{2-x}$$Sr$$_{x}$$CuO$$_{4}$$ reveal a large broadening of the local magnetic field distribution in response to applied field, persisting to high temperatures. The field response is approximately Curie-Weiss-like in temperature and is largest for the highest doping investigated. Such behavior is contrary to the canonical Fermi-liquid picture commonly associated with the overdoped cuprates and implies extensive heterogeneity in this region of the phase diagram. A possible explanation for the result lies in regions of staggered magnetization about dopant cations, analogous to what is argued to exist in underdoped systems.

論文

Muon spin rotation study of field-induced magnetism in heavily overdoped La$$_{2-x}$$Sr$$_{x}$$CuO$$_{4}$$

MacDougall, G. J.*; Birgeneau, R. J.*; Kim, H.*; Kim, S.-J.*; Rodriguez, J.*; Russo, P. L.*; Savici, A. T.*; 植村 泰朋*; 脇本 秀一; Wiebe, C. R.*; et al.

Physica B; Condensed Matter, 374-375, p.211 - 214, 2006/03

 被引用回数:4 パーセンタイル:22.76(Physics, Condensed Matter)

高温超伝導体の研究において、単結晶試料育成や化学的ドーピングの困難から、過剰ドープ領域の研究はほとんどなされていなかった。本研究では、世界初となる過剰ドープしたLa$$_{2-x}$$Sr$$_{x}$$CuO$$_{4}$$単結晶の$$mu$$SR実験の結果を報告する。縦磁場$$mu$$SRの結果から、relaxation rateの温度依存性がCurie-Weiss則に従い、そのCurie constantが磁場の関数として$$Cproptoalpha H$$と書かれることが見いだされた。この現象は、内部磁場分布の異常が磁場により誘起されていることを示している。磁場誘起の度合を表す$$alpha$$$$x=0.12$$から既に現れ、過剰ドープ領域の$$x=0.30$$まで単調増加し、ドープ量に依存することがわかった。この磁場誘起による異常な内部磁場分布の原因の解明は、今後の重要な課題である。

2 件中 1件目~2件目を表示
  • 1