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論文

Energy losses of MeV B clusters in solids

鳴海 一雅; 中嶋 薫*; 木村 健二*; 万波 通彦*; 齋藤 勇一; 山本 春也; 青木 康; 楢本 洋

Materials Chemistry and Physics, 54(1-3), p.229 - 233, 1998/00

 被引用回数:1 パーセンタイル:8.21(Materials Science, Multidisciplinary)

高速クラスターイオンを固体に照射すると、非常に狭い領域に高密度の物質及びエネルギーを付与できるため、単原子イオンを照射する場合とは異なった効果が期待される。膜厚が2-17$$mu$$g/cm$$^{2}$$の炭素薄膜を透過した0.8MeV/atomのB$$_{2+}$$,B$$_{3+}$$,B$$_{4+}$$イオンのエネルギースペクトルを半導体検出器で測定し、2つのクラスター照射効果を観測した。まず、クラスターを構成する原子1個当たりの平均のエネルギー損失と0.8MeVのB$$^{+}$$イオンのエネルギー損失との比の膜厚依存は、薄い膜厚で1より大きくなり、膜厚が厚くなると1に近づくことがわかった。このことは、クラスターに対する阻止能が単原子イオンに対する阻止能を単に積算したものではないことを示している。また、測定に用いた半導体検出器の出力において、パルス波高欠損が観測された。これは、クラスターの持つ高いLETによって半導体中に高密度の電子・正孔プラズマが生成されたため、単原子イオンの場合よりも電子・正孔対の再結合の確率が高くなり、見かけの出力が小さくなったことによる。

論文

Energy losses of B clusters transmitted through carbon foils

鳴海 一雅; 中嶋 薫*; 木村 健二*; 万波 通彦*; 齋藤 勇一; 山本 春也; 青木 康; 楢本 洋

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 135, p.77 - 81, 1998/00

 被引用回数:38 パーセンタイル:92.24(Instruments & Instrumentation)

高速クラスターイオンを固体に照射すると、非常に狭い領域に高密度の物質及びエネルギーを付与できるため、単原子イオンを照射する場合とは異なった効果が期待される。薄膜が2-17$$mu$$g/cm$$^{2}$$の炭素薄膜を透過した0.8MeV/atomのB$$_{2+}$$,B$$_{3+}$$,B$$_{4+}$$イオンのエネルギースペクトルを半導体検出器で測定し、2つのクラスター照射効果を観測した。まず、クラスターを構成する原子1個当たりの平均のエネルギー損失と0.8MeVのB$$^{+}$$イオンのエネルギー損失との薄膜依存は、薄い膜厚で1より大きくなり、膜厚が厚くなると1に近づくことがわかった。このことは、クラスターに対する阻止能が単原子イオンに対する阻止能を単に積算したものではないことを示している。また、測定に用いた半導体検出器の出力において、パルス波高欠損が観測された。これは、クラスターの持つ高いLETによって半導体中に高密度の電子・正孔プラズマが生成されたため、単原子イオンの場合よりも電子・正孔対の再結合の確率が高くなり、見かけの出力が小さくなったことによる。

論文

Effect of Channeling on the Lattice Defects Produced by Proton Irradiation in Alkali Halide Crystals

小沢 国夫; 藤本 文範*; 小牧 研一郎*; 万波 通彦*; 桜井 照夫*

Phys.Status Solide, 9, p.323 - 332, 1972/00

抄録なし

論文

Protonの異常透過

藤本 文範*; 万波 通彦*; 小沢 国夫

日本結晶学会誌, 10(2), p.78 - 83, 1968/00

X線,電子線の異常透過(Borrmann効果)は読者の皆様になじみ深いものであろうが、Proton Deuteronのみならず、かなり重い陽イオンについても外見上、非常に似た異常透過の現象がある。ここで外見上と述べるのはX線,電子線の場合は回折現象と密接な関係にあるのに対し、Protonを始め陽イオンの場合は質量が大きいだけにまず回折現象とはあまり縁がないように思える点が本質的な大きな違いである。ここではせいぜい$$alpha$$粒子位までのものについて話をしぼってみる。

論文

Anomalous energy losses of 1.5MeV protons channeled in silicon single crystals

小沢 国夫; 万波 通彦*; 藤本 文範*

Phys.Lett.,A, 26A(5), p.201 - 202, 1968/00

抄録なし

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