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丸下 元治*; 三井 隆也; 福田 竜生; 高橋 正光; 稲見 俊哉; 片山 芳則; 塩飽 秀啓; 水木 純一郎
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A, 467-468(Part.1), p.392 - 395, 2001/07
被引用回数:4 パーセンタイル:33.81(Instruments & Instrumentation)本会議では、SPring-8の原研ビームラインBL-11XUに設置したダイアモンド2結晶分光器及び実験で得られた基本的な性能についての報告を行う。また、ほかの放射光施設における光学素子にかかわる研究の動向、情報を調査する。加えて、他国の研究者との国際交流を行い、施設状況などについての情報交換を行う。
三井 光; 田中 隆一; 須永 博美; 金沢 孝夫; 田中 進; 春山 保幸; 上松 敬; 松田 純夫*; 野口 敬*; 田村 高志*; et al.
JAERI-M 89-085, 164 Pages, 1989/07
宇宙開発事業団が開発した宇宙用シリコン薄型太陽電池とGaAs太陽電池の耐放射線性について、原研と宇宙開発事業団は共同研究を実施した。この共同研究に関し、本報告では、先ず、人工衛星用太陽電池が遭遇する宇宙の放射線環境について述べる。次いで、共同研究に使用した太陽電池および実験方法について記述する。その後、電子線照射方法の検討結果について報告する。電子線照射方法の検討では、固定照射法(走査ビームによる静止試料の照射法)、移動照射法(走査ビームによる移動試料の照射法)、およびスポット照射法(無走査ビームによる静止試料の照射法)の3方法について検討した。その結果、固定照射法が宇宙用太陽電池の耐放射線性評価試験における最も妥当な電子線の照射方法であると結論した。さらに、この研究において、電子線照射による太陽電池の電気特性の変化に関する若干の知見を得た。
三井 光
SEM研究会報告, 0(5), p.66 - 75, 1988/00
この報告は、昭和61年10月21日開催のSEM(Space Environment Monitor)研究会において説明した原研高崎研の「放射線高度利用研究計画」の内容を要約したものである。
松田 純夫*; 辻 政信*; 三井 光; 田中 隆一; 須永 博美
Proc.5th European Symp.on Photovoltaic Generators in Space, p.433 - 435, 1986/00
人工衛星の寿命の長期化と軽量化の要請に応え、かつ耐放射線性を考慮して試作した厚み280mのGaAs太陽電池と厚み50mの超薄型Si太陽電池に電子線を照射した結果について報告する。 加速管内電子エネルギー1.0MeV(太陽電池表面入射電子エネルギー0.92MeV)の場合を基準として、開放電圧、短絡電流、および最大出力について、0.5~3.0MeVのエネルギー範囲の電子線による損傷の換算係数を求めた。これらの電気特性の換算係数の電子エネルギー依存性はほぼ一致した。また、電子線とガンマ線の損傷等価性を調べた。その結果、電子エネルギー0.75~3.0MeVの範囲において、等価の損傷を与える電子フルエンスとガンマ線量はほぼ比例関係にあることがわかった。 以上の結果に基づいて、太陽電池の電子線損傷機構について考察する。
三井 光
材料技術, 3(8), p.365 - 370, 1985/00
高分子材料の放射線橋かけ改質について、工業プロセスと関連する高分子の実用性の変化を中心に解説した。先ず、高分子に放射線を照射したときの主な化学反応である橋かけと分解について、ポリエチレンを例にして説明した。続いて、電線被覆材料の耐熱化プロセスで使われているポリエチレンとポリ塩化ビニル、および最近注目されているエチレンープロピレンゴムの放射線橋かけによる実用物性の変化について解説した。さらに、発砲ポリエチレンおよび熱収縮材料の製造プロセスに利用されている素材の性質について説明し、最後にタイヤ用ゴムの前加硫(部分橋かけ)について簡単に触れた。
三井 光; 清水 雄一
Journal of Polymer Science; Polymer Chemistry Edition, 19, p.1539 - 1552, 1981/00
0~76wt%のスチレンをグラフト重合したポリエチレンの線分解を、真空中、30~100Cで行った。線量率は6.3510rad/hrであった。水素およびトランスビニレン基の生成量はポリマー中のスチレン単位の増加とともに減少し、これらの生成速度はそれぞれの濃度に関し一次の生成反応とゼロ次の消失反応を仮定した速度式によって表すことができる。ゲル分率は、照射時間および温度によって、ポリマー中のスチレン単位の増加とともに種々に変化する。ゲル分率はCharlesby-Pinnerの式を用いて解析した。これらの速度論的解析によって、スチレンをグラフト重合したポリエチレンの線分解では、水素の生成反応が幾らか阻害され、橋かけおよび主鎖切断反応は促進されるが、水素の消失反応ならびにトランスビニレン基の生成および消失反応はほとんど影響を受けないという結果を得た。以上の結果について、反応論の観点から考察した。
三井 光; 清水 雄一
Journal of Polymer Science; Polymer Chemistry Edition, 18, p.1115 - 1122, 1980/00
3Mradの電子線を前照射したポリエチレンの線分解反応を、真空中,30~100Cの温度範囲において行った。線量率は6.3510rad/hrであった。線分解反応における水素の生成反応は前照射によってほとんど影響を受けないが、トランスビニレン基およびゲルの生成反応はいくらか抑制された。水素およびトランスビニレン基の生成速度は、それぞれの濃度に関してゼロ次の生成反応と一次の消失反応を仮定した速度式によって表わすことができる。これらの生成および消失反応の見かけの速度定数および活性化エネルギーは、電子線の前照射によって変化しなかった。ゲル分率はCharlesby-Pinnerの式を用いて解析した。橋かけおよび主鎖切断のG値は前照射によって増加したが、活性化エネルギーは変化しなかった。以上の結果に基づいて、線によってポリエチレン中に誘起される反応におよぼす電子線の前照射の影響について考察した。
清水 雄一; 三井 光
Journal of Polymer Science; Polymer Chemistry Edition, 17(8), p.2307 - 2316, 1979/00
真空におけるポリスチレンの線橋かけ反応を、30~100Cの温度範囲において行った。線量率は63510rad/hrであった。水素の生成量は照射時間の増加および照射温度の上昇とともに増加するが、水素の生成速度は照射時間の増加に伴って低下する。ゲルの生成が初めて観測される限界時間以上照射すると、照射時間の増加とともにゲル分率は増加するが、ゲルの生成速度は照射時間の増加に伴って低下する。照射温度を上昇すると、ゲルの生成反応は抑制され、100Cでは極く僅かなゲル分率しか観測されない。水素の生成および消失反応がそれぞれ水素の生成量のゼロ次および一次に比例すると仮定した速度式を導き、水素の生成量を解析した。ゲル分率はCharlesby-Pinnerの式を用いて解析した。解析結果に基づいて、ポリスチレンの線橋かけ反応の機構を考察した。
三井 光; 清水 雄一
Journal of Polymer Science; Polymer Chemistry Edition, 17(9), p.2805 - 2813, 1979/00
ポリエチレンの線分解における水素およびトランスビニレン基(t-V)の生成反応について、速度論の観点から研究した。照射は、真空中、30~100Cの温度範囲で行った。線量率は6.3510rad/hrであった。水素およびt-Vの生成速度は、いずれもそれぞれの濃度に関してゼロ次の生成反応および一次の消失反応をかていして誘導した速度式によって表すことができる。水素の生成反応の見かけの速度定数は、照射温度の上昇とともに幾らか増加し、0.6kcal/molの活性化エネルギーを与える。一方、水素の消失反応、ならびにt-Vの生成および消失反応の見かけの速度定数は、照射温度に無関係にほぼ一定である。Charlesby-Pinnerの式を用いてゲル分率を解析して得られた橋かけおよび主鎖切断反応のG値の活性化エネルギーは、いずれも1.5kcal/molであった。以上の結果に基づいて、線によって固体ポリエチレン中に誘起される化学反応について考察した。
三井 光; 清水 雄一
JAERI-M 7993, 35 Pages, 1978/12
温度30Cにおけるゲージ圧9.0kg/cmのモル比4:1の水素と二酸化炭素の混合気体に、50~450Cの温度範囲において、線量率8.3410rad/hrのコバルト-60からのr線を20Mrad照射した。観測された主な生成物は、一酸化炭素、メタン、およびエタンである。熱化学反応による生成量を補正した一酸化炭素、メタン、およびエタンの100Cにおける生成のG値は、それぞれ0.24、0.25、および0.03であるが、450Cでは、それぞれ27.7、2.1、および1.9に増加する。200C以下の温度におけるこれらのG値の活性化エネルギーは、それぞれ4.8、0.0、および0.0kcal/molであるが、250C以上では、それぞれ11.3、6.7、および15.7kcal/molの活性化エネルギーを与える。一酸化炭素、メタン、およびエタンの生成のG値の活性化エネルギーが変化する境界温度は、それぞれ240、221、および239Cと推定された。以上の結果について考察した。
三井 光; 細井 文雄; 後川 正裕*
J.Appl.Polym.Sci., 19(2), p.361 - 369, 1975/02
被引用回数:9数平均分子量(Mn)1500~114000の各種ポリエチレンに眞空中、30Cで線を照射し、ゲル分率を測定した。このゲル分率をCharlesby-Pinnerの式を用いて解析し、低密度ポリエチレンについて、次の関係式を得た。q=1.49 10 〔C=C〕.17 p=0.95 10 〔C=C〕.17 rg=1.38 10Mn 〔C=C〕.17 ここに、qおよびpは単位線量(Mrad)照射したときのモノマー単位あたりの橋かけおよび主鎖切断の確率、rgはゲル化線量(Mrad)、〔C=C〕は末端ビニル基およびビニリデン基の初期含量の合計(mol/g-PE)を表わす。これらの結果から、室温、眞空中におけるポリエチレンの線橋かけ反応において、末端ビニル基およびビニリデン基が重要な役割を果たすと結論した。
細井 文雄; 三井 光; 後川 正裕*; 鍵谷 勤*
高分子論文集, 31(2), p.94 - 99, 1974/02
分子量1500~114000の各種ポリエチレンに、真空中30Cで線を照射した場合の水素およびトランスビニレン基(t-V)の生成、ならびに末端ビニル基(Vi)およびビニリデン基(Vd)の消失について、つぎの速度式を得た。(mol/g-PE・hr)R=d[H]/dt=1.0310MnIR-V=d[t-V]/dt=1.0110MnIRvi=-d[Vi]/dt=2.5810Mn.I[Vi]Rvd=-d[vd]/dt=6.5710Mn.I[Vd]照射によるメチル基含量の変化は認められなかった。以上の結果に基づいて、水素およびt-vの生成、ならびにViおよびVdの消失反応の機構について検討した結果、ViおよびVdは、主鎖切断反応によって生成する主鎖高分子ラジカルが関与する反応によって消失すると考えることができる。
三井 光; 細井 文雄; 鍵谷 勤*
Polym.J., 6(1), p.20 - 26, 1974/01
被引用回数:14ポリエチレンの橋かけ反応を、絶対圧力3kg/cmのアセチレンの存在下、1.110rad/hrの線量率の線を用いて、温度30~200Cの範囲で行った。ゲル分率は、温度の上昇とともに増加し、105C付近で最高値に達し、その後著しく減少して150C以上でほぼ一定値になる。ポリエチレンの融点以下の温度では、ゲルの生成量は真空中照射の場合と比較して、アセチレンの存在下では著しく大きい。ポリエチレンの重量は、線量の増加とともにほぼ直線的に増加し、その増加の割合は、150および200Cで低下する。アセチレンの存在における特徴的な構造変化は末端ビニル基の生成であり、その生成量は線量とともにほぼ直線的に増加し、生成速度は温度とともに増加する。アセチレンの存在において照射した場合の水素およびトランスビニレン基の生成量は、真空中照射の場合とほぼ一致する。以上の結果に基づいて、本橋かけ反応におけるアセチレンの作用機構について考察する。
三井 光; 細井 文雄; 鍵谷 勤*
Polym.J., 4(1), p.79 - 86, 1973/01
被引用回数:34エチレンの線気相重合によって製したポリエチレンに、真空中、30-200Cで線を照射したときの橋かけ反応の機構について検討した。線照射したポリエチレンのゲル分率は、照射温度の上昇とともに増加し、150C以上でほぼ一定になる。ゲル化線量は、温度の上昇とともに低下し、150および200Cではほぼ等しい。ゲル化線量以上の照射によってゲル分率は増加するが、その増加の割合は線量とともに減少する。水素の生成量は、照射温度とともに幾らか増加する傾向が認められる。トランスビニレン基の含量は、線量の増加とともにほぼ直線的に増加し、その増加の割合は照射温度に無関係にほぼ一定である。150および200Cでは、メチル基の含量が線量とともにほぼ直線的に増加し、その増加の割合は200Cの方が150Cの場合より幾らか大きい。以上の結果に基づいて、ポリエチレンの線橋かけ反応の機構を考察する。
萩原 幸; 三井 光; スガヌマフジオ*; カギヤ ツトム*
Bull.Chem.Soc.Jap., 45(2), p.500 - 505, 1972/00
被引用回数:0抄録なし
三井 光; 常田 和義*; 鍵谷 勤*
高分子化学, 29(331), p.806 - 810, 1972/00
アクリル酸メチルの塊状重合速度におよぼすポリアクリル酸メチルの影響を、重合系の粘度との関連において検討した。重合は、'-アゾビスイソブチロニトリルあるいは線を開始剤として、それぞれの温度40あるいは30Cで行なった。いずれの系においても、重合初期のポリマー収量は時間の二乗に比例して増加し、その増加の割合はポリマー添加量の増加とともに指数関数的に増加した。系の粘度もまたポリマー添加量とともに指数関数的に増加した。これらの結果に基づいて、重合初期には生長鎖ラジカルの停止反応はほとんど起こらないと結論した。また、ポリアクリル酸メチルを添加して系の粘度が増加すると、開始ラジカルの二分子失活反応が阻害され開始効率が増大するので、見かけの重合速度が増加すると推論した。
三井 光; 萩原 幸; 菅沼 藤夫*; 町 末男; 鍵谷 勤*
丸善石油技報, 15, p.78 - 84, 1972/00
第三ブチノレアノレコール(TBA)を溶媒とするエチレンの線重合を温度2060,圧力120400kg/cm,線量率10025,000rad/hr,の条件下回分法で行なった.重合速度および生成ポリマーの平均分子量は重合時間とともに増加した.ポリマー収量は圧力および線量率のそれぞれ1.6乗および0.9乗に比例した,これらの結果を速度論的に検討し,生成ポリマーの構造および2,2'-アゾビスイソブチロニトリル開始重合との関連においてエチレンの線重合におよぼすTBA添加の影響を検討した。その結果,TBAの添加によって,開始反応速度が著しく増加すること,絶対生長速度は変化しないこと,TBAが関与する一種の破壊的連鎖移動反応が起こることなどを認めた.
三井 光
未来産業とプラスチック, p.347 - 359, 1972/00
高分子化学に放射線を利用しようとする場合,現在のところ2つの大きな流れがある。その一つは,モノマーに放射線を照射してポリマーを合成することであり,他の一つは,ポリマーに放射線を照射して高分子反応を行なわせることである。前者は放射線重合,後者は放射線高分子反応と呼ばれている。
三井 光; 常田 和義*; 鍵谷 勤*
工業化学, 74(9), p.1918 - 1920, 1971/00
エチレンと塩化ビニリデンの線共重合反応を,圧力400kg/cm,温度30で行なった。仕込み単量体中の塩化ビニリデンの濃度が小さい場合の生成物は淡黄色で粘着性のグリース状であり,大きい場合には白色粉末状であった。共重合体中の塩化ピニリデンの含量が増加すると,有機溶剤に対する溶解性が低下し,溶融温度は上昇した。共重合体の赤外綿スペクトルには共重合体に特有な770cm付近の吸収が観測された。共重合組成曲線から求めた単量体反応性比はr(エチレン)=0.03,r(塩化ビニリデン)=15.2であった。これらの値は,鍵谷らの方法を用いて推算した生長反応の活性化エネルギーから算出した単量体反応性比とほぼ一致した。エチレンこ少量の塩化ビニリデンを添加すると共重合速度および重合度は著しく減少し,単量体中の塩化ピニリデンの含量が6mol%付近で最低値を示し,その後塩化ピニリデンの含量とともに増大した。
三井 光; 細井 文雄; カギヤ ツトム*
Polymer Jornal, 3(1), p.108 - 110, 1971/00
被引用回数:19抄録なし