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山田 雄一*; 綾井 直樹*; 三雲 明浩*; 伊藤 睦*; 林 一彦*; 高橋 謙一*; 佐藤 謙一*; 小泉 徳潔; 安東 俊郎; 松井 邦浩; et al.
Cryogenics, 39(2), p.115 - 122, 1999/00
被引用回数:39 パーセンタイル:82.96(Thermodynamics)ITER-EDAの一環で、NbAl素線の大量生産用技術を開発した。製作した素線の臨界電流値は12Tの磁場にて600A/mm以上、3Tの磁場変動に対するヒステリシス損失は、600mJ/cc以下となった。また、NbAlフィラメントの配置を最適化することによって安定化銅の比抵抗を1.510m以下とすることができた。1500m以上の単長歩留は70%を達成することに成功しており、これは世界的にもNbAl素線の大量生産のはじめての成功である。