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論文

Effect of ion beam irradiation for ${it Asclepias}$ species

小林 伸雄*; 佐々木 真一郎*; 田崎 啓介*; 中務 明*; 野澤 樹; 長谷 純宏; 鳴海 一成

JAEA-Review 2010-065, JAEA Takasaki Annual Report 2009, P. 67, 2011/01

${it Asclepias}$ is one of the perennial ornamentals native to Central America, using for cutting, potting and bed flowers. To obtain flower and/or plant form mutation, ${it Asclepias}$ seeds were irradiated with ion beams. Seed germination rate decreased over 100 Gy and any seeds could not germinate at 150 Gy. Survival rate of seedlings decreased below 50% at 50 Gy. In the case of ${it Asclepias}$ seeds, irradiation of 50 to 200 Gy is estimated to be optimal to generate mutants.

論文

Mutation induction in ${it Asclepias}$ using ion beam irradiation

小林 伸雄*; 加納 さやか*; 佐々木 真一郎*; 田崎 啓介*; 中務 明*; 野澤 樹; 長谷 純宏; 鳴海 一成

JAEA-Review 2009-041, JAEA Takasaki Annual Report 2008, P. 77, 2009/12

${it Asclepias}$ is one of the perennial ornamentals native to central America, using for cutting, potting and bed flowers. For the purpose to obtain flower and/or plant form mutation, ${it Asclepias}$ seeds were irradiated with ion beams. Irradiated seeds were sowed in green house and germinated seedlings were transplanted into pots. After 10 months, these plants were planted in the field. Seed germination rate decreased from 200 Gy irradiation with increasing doses and any seeds could not germinate at 500 Gy. Survival rate of seedlings decreased below 50% at 150 Gy and 200 Gy, and all seedlings were molted at 250 Gy and more higher doses. In 50 Gy and higher doses irradiated seedlings, abnormal morphology of leaves (rounded apical leaf, branched leaf and narrow leaf) was observed and appearance of abnormal leaf was increased with dose up to 200 Gy.

論文

Mutation induction in azalea seedlings using ion beam irradiation

小林 伸雄*; 田崎 啓介*; 加納 さやか*; 坂本 咲子*; 中務 明*; 長谷 純宏; 鳴海 一成

JAEA-Review 2008-055, JAEA Takasaki Annual Report 2007, P. 70, 2008/11

本研究では、花色及び花姿の突然変異を誘導するために、ツツジ4品種(${it Rhododendron ripense}$, ${it R. japonicum}$, ${it R. wadanum}$及び${it R. degronianum}$ var. ${it okiense}$)の種子に220MeV炭素イオンビームを0から50Gy照射した。${it R. ripense}$${it R. japonicum}$については20Gy照射区まで生存し、また、${it R. wadanum}$${it R. degronianum}$ var. ${it okiense}$は30Gy照射区まで生存できた。発芽率は非照射区で最も高かったが、生存率は非照射区よりも低線量照射区の方が高かった。これは、イオンビーム照射による刺激効果によるものであろう。斑入りの葉を持つものが幾つかの苗木で観察された。矮性や発育阻害も観察された。

論文

Mutation induction in azalea using ion beam irradiation and its gene analysis

小林 伸雄*; 坂本 咲子*; 中務 明*; 長谷 純宏; 鳴海 一成

JAEA-Review 2007-060, JAEA Takasaki Annual Report 2006, P. 87, 2008/03

本研究では、花色及び花姿の突然変異を誘導するために、ツツジ4品種の種子及び「千重大紫」の葉片培養物に220MeV炭素イオンビームを照射した。種子については30Gy以上の線量で発芽率が著しく低下し、品種間で若干の違いがあるものの、突然変異を誘発するための最適線量は10から40Gyと見積もられた。葉片培養物については8Gy以上で、線量依存的にカルスの再生率が低下し始め、最適線量は4から8Gyと見積もられた。今後は、イオンビーム照射した芽原基から再生した植物体を用いて、突然変異解析を進める。

論文

Mutation induction in azalea using ion beam irradiation and its gene analysis

小林 伸雄*; 坂本 咲子*; 中務 明*; 長谷 純宏; 横田 裕一郎

JAEA-Review 2006-042, JAEA Takasaki Annual Report 2005, P. 96, 2007/02

本研究では、ツツジの種子及び培養葉片にイオンビームを照射することで、花色変異体や形態変異体を取得し、花の形・器官の変異に関係するホメオティック遺伝子や花色変異に関係するアントシアニン生合成遺伝子など、イオンビーム誘発突然変異に重要と考えられる遺伝子を解析することを目的とした。120Gy以上の炭素イオン照射は、ヤマツツジ種子の発芽を完全に抑制した。適正照射線量は、20Gy付近であると推定された。また、オオムラサキツツジの葉片培養物の再生率は、照射線量の増加とともに減少する傾向にあった。葉片培養については、温度,培地などの条件をさらに至適化する必要があると考えられた。

口頭

イオンビーム照射が各種ツツジ種子の発芽に及ぼす影響

坂本 咲子*; 小林 伸雄*; 中務 明*; 長谷 純宏; 鳴海 一成

no journal, , 

イオンビームは$$gamma$$線に比べて生物効果が高く、新しい突然変異誘発原として期待されている。本研究では、ツツジ種子へのイオン照射により突然変異を誘導するための基礎研究として、照射線量や種の違いによる発芽率の検討を行った。ヤマツツジ,キシツツジ,オキシャクナゲ,レンゲツツジの種子を供試し、炭素イオンを照射した。照射した種子はミズゴケ上に播種し、播種後6週間後に発芽率を調査した。第1回目に0-100Gyで照射したところ、各種子とも40Gyで急激に発芽率が低下し、60Gy以上ではほとんど発芽が見られなかった。第1回目照射の結果から、第2回目では0-50Gyの範囲で照射線量を設定し、発芽率を調査した。各種子とも、照射線量が増加するにしたがい発芽率が低下し、子葉展開に至らないものが増加した。20Gy区において、キシツツジでは子葉先端の分岐、レンゲツツジではアルビノなどの変異がみられたが、その後枯死した。第1, 2回目のヤマツツジ及びレンゲツツジでは、他のツツジに比べて高照射線量においての発芽がみられた。変異体作出を目的としたツツジ種子に対するイオンビーム照射線量は、種によって多少異なるが20-40Gy程度であると考えられる。

口頭

イオンビーム照射がアスクレピアスの生育及び開花に及ぼす影響

加納 さやか*; 小林 伸雄*; 中務 明*; 長谷 純宏; 鳴海 一成

no journal, , 

イオンビームは$$gamma$$線やX線などによる従来の突然変異育種と比べ、従来の変異原では得られなかった変異を誘発できることから、新たな突然変異原として期待されている。本研究では、熱帯アメリカ原産の多年草で、切花,鉢物及び花壇用として利用されているアスクレピアス${it Asclepias curassavica L.}$の有用変異体の獲得を目的に、イオンビーム照射が生育及び開花に及ぼす影響について調査した。「シルキーゴールド」及び「シルキーレッド」の雑種後代種子に対し、炭素イオンビームを0-500Gyの10段階で照射した。照射した種子は温室内で育成し、約10か月後に温室内から圃場に定植した。生存率は150及び200Gy区では50%以下になり、250Gy以上ではすべて枯死した。葉先端の分岐,葉先端の丸み,2枚葉及び縮れなどの葉の異常は50Gy以上の照射区で観察された。開花については無照射区の個体に比べ、25-100Gy区の一部の個体で到花日が早まり、150及び200Gy区では全体的に到花日の遅れがみられた。以上の結果から、照射線量が高いほど生存率の低下,葉の異常個体出現率と分枝数の増加及び到花日の遅延を引き起こすことが確認された。

口頭

イオンビーム照射によって得られたアスクレピアス突然変異体の特性

加納 さやか*; 小林 伸雄*; 中務 明*; 野澤 樹; 長谷 純宏

no journal, , 

イオンビームは$$gamma$$線やX線など従来の突然変異原と比べて線エネルギー付与が高く、新しい突然変異原として期待されている。アスクレピアスは熱帯アメリカ原産のガガイモ科の多年草で、切花,鉢物及び花壇用として利用されており、本種の有用なイオンビーム突然変異体の獲得を目的に研究を進めている。本発表では照射次世代で得られた葉や花器官に関する変異体の特性について発表する。照射次世代種子の発芽率,生存率はそれぞれ98%及び78%以上で、照射当代で見られた顕著な障害はみられなかった。変異個体数は照射線量が高いほど増加し、葉身が楕円形化し花が大型化した個体,葉身が狭披針形化した個体及び分枝数の多い個体などの変異体が得られた。これらは有用な育種素材であると考えられ、現在、これらの変異個体を挿し木により増殖し、形質の安定性を評価するとともに染色体の観察及び種子稔性を調査中である。

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