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幸本 重男*; 中古 知貴*; 久松 秀悟; 奥田 康裕*; 桝 飛雄真*; 高橋 正洋*; 岸川 圭希*
Crystal Growth & Design, 15(6), p.2723 - 2731, 2015/05
被引用回数：16 パーセンタイル：75.03(Chemistry, Multidisciplinary)アントラセン系ビスピリジニウム塩のピエゾルミネッセンスと液晶性に関して、結晶状態における刺激応答性とイオン性液晶状態での発光特性で調べた。この塩は中心に発光部位としてアントラセン環を有し、アントラセン部分に結合したピリジニウムはトリアルコキシベンジル基で置換されている。2つのトリメトキシベンジル基を有する塩の単結晶が溶媒和物として得られた。塩化物の酢酸エチル、アセトンおよびジオキサン溶媒和結晶は1次元チャネルを有するほぼ同じ結晶構造であった。溶媒和結晶を粉砕すると含まれている溶媒分子が押し出され、固体状態での蛍光がレッドシフトした。トリス(オクチルオキシ)ベンジルおよびトリス(ドデシルオキシ)ベンジル誘導体は、臭化物および四フッ化ホウ酸塩の場合は昇温過程で、またPF
酸塩の場合は降温過程で、どの場合でもレクタンギュラーカラムナー相の液晶相を発現した。これらのピリジニウム塩のうち、PF酸塩は、溶媒依存性のある特徴的な蛍光を示した。
久松 秀悟; 桝 飛雄真*; 高橋 正洋*; 岸川 圭希*; 幸本 重男*
Crystal Growth & Design, 15(5), p.2291 - 2302, 2015/04
被引用回数：77 パーセンタイル：98.08(Chemistry, Multidisciplinary)9位にカルバメート基を、10位にエステル基をそれぞれ有するアントラセン誘導体を調製し、それらの結晶構造中にアントラセン発光体のペア型パッキング構造を持つ結晶を作製した。それらはエタノール溶液中で非発光性であり、エタノール水溶液中および固体中でAIE(凝集誘導放出)特性を示した。それらの結晶構造解析により、その結晶構造に関与する水素結合ネットワークが4つのパターンに分類されることが示された。それはカルバメートとエステルカルボニル(モチーフA)との水素結合、カルバメートとエステル酸素原子(モチーフB)との水素結合、カルバメート部分の水素結合環状二量体(モチーフC)、カルバメート間での連続的な水素結合(モチーフD)である。ペア型構造をとったアントラセン発光体は、ペアを形成していない状態のとき発する発光の波長よりも、長波長の発光を示すダイマー発光を示した。
今泉 充*; 豊田 裕之*; 島田 貴信*; 小川 博之*; 田島 道夫*; 久松 正*; 中村 一世*; 高本 達也*; 佐藤 真一郎; 大島 武
Proceedings of the 8th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (RASEDA-8), p.127 - 130, 2008/12
宇宙航空研究開発機構が着手している金星ミッションと水星ミッションにおいて惑星探査機がさらされる環境を模擬し、宇宙用InGaP/GaAs/Ge三接合太陽電池の電気出力に対する高温高光強度(HIHT)環境の影響について調べた。電流・電圧測定の結果、+200
Cでは電流が0の付近でキンク状のパターンが現れた。また、これらのミッションの運用期間において予想される放射線曝露量を換算し、3MeV陽子線を2
10
/cm
照射した試料に対しても、同様にキンク状のパターンが確認された。さらに、HIHT環境下での熱サイクル試験及び連続稼働試験を行い、連続稼働試験では電流出力が有意に劣化する結果を得た。
今泉 充*; 豊田 裕之*; 嶋田 徹*; 小川 博之*; 田島 道夫*; 久松 正*; 中村 一世*; 高本 達也*; 佐藤 真一郎; 大島 武
Proceedings of 8th European Space Power Conference (CD-ROM), 6 Pages, 2008/09
InGaP/GaAs/Ge三接合太陽電池の高光強度高温(HIHT)条件下における電気出力の影響について調べた。金星ミッションや水星ミッションを想定してHIHT条件を設定し、宇宙航空研究開発機構(JAXA)において電気特性の測定を実施した。電流電圧測定の結果、200
Cにおいては電流出力が0となる付近でキンク状のパターンが形成されることがわかった。また、3MeV陽子線を
cm照射することで特性を劣化させた太陽電池においても同様の結果が観測された。熱サイクル試験では電気出力の劣化はみられなかったが、連続稼働試験では徐々に電流出力が劣化する結果となったことから、太陽電池パネルの設計において、この出力減少分を考慮する必要があることが判明した。
松浦 秀治*; 岩田 裕史*; 鏡原 聡*; 石原 諒平*; 米田 雅彦*; 今井 秀彰*; 菊田 真経*; 井上 裕喜*; 久松 正*; 川北 史朗*; et al.
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, 45(4A), p.2648 - 2655, 2006/04
被引用回数：15 パーセンタイル：49.28(Physics, Applied)宇宙用Si太陽電池の耐放射線性強化に関する研究の一環として、1MeV電子線又は10MeV陽子線照射がSi基板中の正孔濃度に及ぼす影響をホール効果により調べた。試料は、ボロン(B), アルミニウム(Al), ガリウム(Ga)等の異なる種類のアクセプタを添加したCZ成長Si基板,MCZ法で作製したB添加Si基板及びFZ法で作製したB添加Si基板を用いた。その結果、CZ基板では、陽子線照射量の増加とともに正孔濃度が減少し、添加不純物によらず2.510
/cm
で伝導キャリアのタイプが正孔から電子へと変化した。また、B添加したCZ, MCZ, FZ基板を比較したところ、いずれの基板も電子線照射量の増加とともに正孔濃度は減少するが、その減少の大きさはCZ, MCZ, FZの順であり、110
/cm照射でCZ基板のキャリアタイプが電子に変化したのに対してMCZ, FZは正孔のままであった。CZ基板では添加不純物によらず正孔濃度の減少は同程度であること、CZ, MCZ, FZの順で正孔濃度の減少が少ないこと、CZ, MCZ, FZの順で基板に残留する酸素原子が少なくなることを考慮すると、正孔濃度を減少させる照射誘起欠陥の構造は、添加不純物と空孔の複合欠陥ではなく、基板に残留する酸素原子と空孔型の複合欠陥であることが示唆される。
油谷 崇志*; 久松 正*; 松田 純夫*; 大島 武; 梨山 勇
Proceedings of 3rd International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, p.63 - 68, 1998/00
地上用の太陽電池の耐放射線性を宇宙で試験するための、MDS-1計画の地上試験として、ポリシリコン、GaAs/InGaP,CuInSe,n-type基板Si太陽電池(いずれも地上用として設計)の耐放射線性を調べた。照射は1MeVの電子線、3MeV及び10MeVの陽子線を用いた。ポリシリコンとn-type Si太陽電池は基板の不純物濃度に依存して若干耐放射線性が異るが、いずれもほぼ同程度の劣化であった。GaAs/InGaP太陽電池は宇宙用GaAsに比べ短絡電流の劣化が大きいことが分かった。CuInSeは110e/cm照射しても特性は劣化せず、優れた耐放射線性を示すことが分かった。
大島 武; 森田 洋右; 梨山 勇; 川崎 治*; 久松 正*; 松田 純夫*; 中尾 哲也*; 若生 義人*
JAERI-Conf 97-003, p.256 - 260, 1997/03
宇宙用シリコン太陽電池の高フルエンス領域での特異な劣化現象の起源を明らかにするために、太陽電池の照射劣化のシミュレーションを行った。本研究では従来の理論では考慮していなかった、キャリア濃度減少に関する効果、発生キャリアの照射欠陥等による移動度の低下を考慮することで、実験結果のシミュレーションに成功した。本研究によって高フルエンス領域での照射劣化の理論についても明らかになり、今後の太陽電池寿命予測への大きな知見を得たといえる。
鈴木 静男*; 永井 勝*; 小嵐 淳; 安藤 麻里子; 横沢 正幸*; 原 登志彦*; 日浦 勉*; 渡邉 博史*; 波松 香苗*; 多胡 靖宏*; et al.
no journal, ,
炭素循環は森林生態系の重要な機能のひとつである。本研究では、植物によって固定された炭素が落葉により有機物として地表面へ供給された後に、地表面の落葉堆積層からどのように分解されるのか、土壌へ移行するのか、さらには、土壌中に蓄積されるのかに焦点を絞り、野外及び室内実験に基づいて、これらのプロセスのモデル化とパラメータの推定を行った。構築したモデルにより、落葉により地表面へ供給された有機物の落葉堆積層及び土壌中での分解・蓄積挙動をよく表すことができた。
